归一有效声子谱谱形对超导临界温度Tc的影响

作者设计了一个图分析法,用来分析Eliashberg方程的数值解。从这个分析,得到如下结论:硬化归一有效声子谱g(ω),可使超导材料的T_c提高。而g(ω)软化,只能提高小λ超导体的T_c。关键词：     

有效声子谱对超导体临界温度的影响

本文由超导体强耦合能隙方程出发,对64种有效声子谱求得了近3500个临界温度的数值解。它们说明,在谱面积A不变时,T_c具有条件极值(T_c/A)_max。T_c主要取决于α²F(ω)上峰的位置及其面积,与峰的宽度关系不大。控制<ω>及<ω²>两个参量时,用双δ谱来代替L谱所产生的误差为3.2％。本文分析并澄清了文献中关于“λ=2极限”的争论。关键词：     

高温超导体系中有效声子谱结构对T_c的影响

本文由Eliashberg方程出发,讨论了La-Ba-Cu-O体系有效声子谱及模型声子谱的结构对 T_c的影响;并利用几种声子谱,将已有的T_c公式进行了比较。     

T_c级数的收敛半径对声子谱高频行为的敏感性

通过实例说明,超导临界温度级数的收敛半径是声子谱高频端行为的敏感量。因此,以它作A,B两类超导体分类的判据是不适宜的。     

用于检测宽带声子的超导声子检测器

在高频声子实验中,用自制的超导声子检测器测量了宽带声子信号,实验样品是x-石英和[001]砷化镓单晶.超导声子检测器用厚度约800A的高纯锡膜做成,其电压响应为190 V/W,NEP为10~(-12) WHz~(-1/2),时间常数为10 ns,动态范围为46 dB.这种检测器不仅适用于检测宽.带声子和相干声子,也可用于检测热脉冲或远红外光脉冲.     

表面和界面对声子谱的影响

运用线性系统的无穷级微扰论研究了表面和多层(AB)界面系统的声子态。结果表明,多层界面系统的声子谱发生软化或硬化(相对于原来的A或B系统)。这些软化或硬化效应可用来提高超导临界温度。     

超导转变温度T_c的测量

临界温度T_c,临界磁场H_c和临界电流密度J_c是表征超导体的三个主要参数,在探索高温超导体的途径中,测定T_c也是一项重要的工作。通常,用电阻法和电感法测量T_c。电阻法是根据试样中电阻减小为零来测量,而电感法是基于超导体的迈斯纳效应。本文着重介绍一套利用电感法测量超导体临界温度T_c的装置。采用数一模转换器由X-Y记录仪直接描绘超导转变曲线,观察超导转变过程。一套由DWT-702改装的恒温控温装置,可作4.2—20K的定点测量。整个装置操作简单、控制容易,精确度较高,为大量探索高温超导体提供了有利条件。     

非晶态的声子谱

声子是与固体中原子的热振动相联系的一种量子,也称声量子．非晶固态材料（例如各种非品半导体、金属玻璃合金和无序合金）以及含有杂质、空位和缺陷的晶体的许多特性都与声子有密切联系．一、热振动与声子谱固体中的原子在它平衡位置附近一刻不停地振动,这就是原子的热振动．原子的热振动具有能量,是固体内能的重要组成部分,热振动与电子、光子、中子束可以发生相互作用．它决定着固体的比热、热容、热导、电导、超导和热?...     

高临界温度超导材料超导性能的检测

高温超导体临界温度Ｔｃ的高低是超导材料性能良好与否的重要判据。本文根据超导体的基本特性（零电阻现象和完全抗磁性）讨论了临界温度Ｔｃ的两种测量方法：电阻法（即四引线法）和电磁感应法，并介绍了获得低于正常液氮沸点温度（７７Ｋ）的减压降温技术。文中给出了对ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿（７－δ）的两种测量方法的条件利结果。     

超导材料的各向异性特征与超导转变温度T_c

在本文中,以电声子机制超导电性理论为基础,用电负性均衡原理研究了由于超导材料的各向异性引起的电子态密度分布的不均匀性,晶格稳定性的差异性及超导材料中元素成键特征对超导转变温度影响的特征,提出了在各向异性的超导材料中电声子机制可以产生高的超导转变温度Tc.     

用超导隧道结产生和接收声子的声子谱仪

本文叙述了用超导隧道结产生和接收声子的声子谱仪的工作原理及其测量电路.给出了用 Sn-I-Sn 声子发生器,Al-I-Al 声子检测器,硅单晶样品的声子谱仪的实验结果.     

多声子强耦合超导理论

本文提出了多声子过程的强耦合超导理论,给出了能隙方程和T_c公式。结果发现,考虑电子多声子过程,高频声子对提高T_c有重要作用,单胞中对超导贡献的简并度数大,也有利于高T_c的出现。关键词：     

超导临界温度严格公式的探讨

近来Allen和Dynes对Eliashberg方程重新进行了数值分析,并提出了一个新的T_c公式。他们先就Einstein谱的情形,在一级和二级近似导出了T_c的一个渐近公式。在二级近似下,T_c=0.180λ~(1/2)ω_E,当λ>10,μ*=0时,其中λ是电-声子耦合常数,μ*是库仑赝势。然后把ω_E换成〈ω~2〉~(1/2),     

非晶态Zr-Si合金的超导临界温度

测量了采用Melt-Spinning方法制备的非晶态合金Zr_(100-x)Si_x(8.8≤x≤15.3)的超导临界温度与Si浓度的关系.发现:在上述组分范围内,T_c以0.18K/(at.％)的速率随着Si含量增加而线性地下降.经外推到x=0,得非晶态纯Zr的T_c应为5.15K,与Onn et:al根据Fe-Zr合金的低温比热测量结果作理论外推所得的值十分一致.研究了非晶态合金Zr_(87.7)Si_(12.3)分别在310、370、415和445℃下作等温热处理对T_c的影响.结果表明,其结构弛豫行为与金属-金属型Zr基合金的大为不同.T_c的变化速率大且不遵从Int规律;随着热处理的进行,T_c较快地就趋向于饱和.伴随着结晶化的开始,T_c则以一大得多的速率下降.结合DSC等测量结果,对Zr-Si合金的结构弛豫和结晶化行为进行了讨论.     

高T_c超导材料的结构象

自从发现了高Tc超导氧化物以来,人们纷纷用各种方法研究它们的晶体结构.七十年代发展起来的高分辨电子显微术,给人们提供了直接观察晶体结构的手段.图1是超导转变温度为90K的Y-Ba-Cu-O化合物的高分辨电子显微象,是我们用JEM-200C X高分辨电子显微镜拍摄的.电子加速电压为200kV.Y-Ba-Cu-O化合物属正交晶系,晶胞参数a=0.389um,b=0.382nm,c=1.166nm.晶体沿c方向的周期均为a方向的三倍,具有类钙钛矿型超结构.图2给出了该晶体的结构模型. 图1所示的高分辨电子显微象是用楔状晶体拍摄的.图1的上端对应于楔状晶体的薄区,晶体厚度约为几个nm,…     

超导临界温度级数公式的应用

从超导临界温度级数公式(1)出发,得到了B类超导体同位素效应的表达。在μ^*=0及μ^*≠0时,我们得到了T_c上限的级数表达式,其结果与数值解符合甚好。最后,在μ^*=0时,讨论了T_c与各种谱参数的关系。由级数表达式可以清楚地看出,当固定不同参数时,T_c的行为完全不同,从而统一解释了不同作者关于声子谱对T_c影响的不同结论。我们着重指出,在大多数情况下,级数公式(1)仅取前两项,可作为数值解的很好近似,从而大大简化了级数公式。预计可以由此简化公式出发研究其它问题。关键词：     

单壁碳纳米管声子谱计算

本文对单壁碳纳米管的结构对称性进行分析,并对其晶格振动模对称性进行分类。计算单壁碳纳米管的声子谱,给出了直径在0.7～10.0nm范围内的碳纳米管的拉曼活性和红外活性振动模的频率。     

超导临界温度级数公式系数的改进

本文报道用λ较小的数值解确定出的超导临界温度级数公式的系数,在较小λ值范围内,它与数值解拟合较好,同时也适用于大的λ值。关键词：     

高T_c超导π环的自发磁化

分析和计算了Tsuei三晶实验中有一个结是π结的三结π环的自发磁化 ,发现与单结π环明显不同 ,当 β =2πLIc 0 趋于零时 ,环中仍有自发磁化 .详细计算表明随温度下降 ,β值增大 ,自发磁化磁矩很快上升并趋于0 2 .很好地说明了Tsuei的自发磁化温度曲线 .