稀磁半导体Zn1—xCoxSe的光谱特性

本文首次报道一类新型半导体材料：含Ｃｏ＾＋６＋离子的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＣｏｘＳｅ晶体的光谱特性研究实验结果。对组分ｘ＝０．００１，０．００９７，０．０３０，０．０３７系列样品，在７３Ｋ－３００Ｋ范围内分别在可见和近红外区测量了吸收光谱和光致发光谱。实验观测到一系列与ｘ值无关的吸收峰和光致发光峰，两者一一对应，它们分别对应于具有Ｔｄ对称的晶体场中Ｃｏ＾＋＾＋离子不同能级间的跃迁，对这些峰进行了初步     

稀磁半导体Zn_（1－x）Co_xSe的光谱特性

本文首次报道一类新型半导体材料：含Ｃｏ＋＋离子的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＣｏｘＳｅ晶体的光谱特性研究实验结果。对组分Ｘ＝０．００１，０．００９７，０．０３０，０．０３７系列样品，在７３Ｋ—３００Ｋ范围内分别在可见和近红外区测量了吸收光谱和光致发光谱。实验观测到一系列与Ｘ值无关的吸收峰和光致发光峰，两者—一对应，它们分别对应于具有几对称的晶体场中Ｃｏ＋＋离子不同能级间的跃迁，对这些峰进行了初步指认。从光致发光谱实验结果给出能隙随Ｘ值的变化。     

利用可调谐半导体激光光谱技术对含尘气体中NH3的测量

利用可调谐半导体激光吸收光谱技术（TDLAS）并结合波长调制，在近红外波段1531.7nm处对常温常压下的NH₃进行浓度测量.在10m的长程吸收池内得到了25×10^-6的浓度信号，并且在25×10^-6—400×10^-6浓度范围内二次谐波信号与浓度具有良好的线性关系.讨论了粉尘颗粒对于二次谐波信号的干扰，并提出了利用激光强度线性拟合解决颗粒对气体测量干扰的方法. 关键词： 可调谐半导体吸收光谱 波长调制 3浓度测量')" href="#">NH₃浓度测量 颗粒影响     

用光声技术研究半导体TiO2,ZnO纳米晶粉的光学特性

应用新型的光声光谱技术,研究了不同种类和不同制备工艺条件的半导体纳米晶粉的光学特性,测量了半导体TiO2、ZnO和掺铝ZnO纳米晶粉的光声光谱,获得了这些半导体纳米晶粉的带隙和光谱吸收系数.研究结果表明,相同种类和相同颗粒形状的半导体纳米晶粉的粒径越小,光学吸收系数越大.半导体纳米晶粉的带隙与相同种类纳米颗粒形状(圆球...     

GaAs/SiO2纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究

采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法,分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了ＧａＡｓ／ＳｉＯ２纳米晶镶嵌薄膜样品。激光拉曼光谱的测量结果表明,退火态样品（４００℃,６０ｍｉｎ）的拉曼光谱特征峰呈现宽化和红移,红移量为９．５ｃｍ＾－１,对应薄膜中ＧａＡｓ纳米晶粒平均粒径约为３ｎｍ。样品的室浊吸收光谱测量结果表明,由于受量子限域效应的主导作用,与ＧａＡｓ块状单晶相比,样品光学吸收边呈现出明显的蓝     

调谐半导体激光光谱分时扫描多路方法

针对调谐半导体激光光谱多组分气体检测需要,提出了一种基于多激光分时扫描的激光时分多路新方法.该方法结合了波长调制光谱技术,通过对多台检测激光器输出波长的分时扫描,在一个系统周期内实现多组分气体的准同时检测.将该方法应用于天然气泄漏红外激光多组分检测系统,通过对天然气主要成份CH4和H2S的同时测量,及时发现可能的天然气气体泄漏,在满足灵敏检测的前提下,实现了系统结构的简化.     

半导体SnO2纳米微粒的光学特性

通过测量具有表面化学修饰的SnO_2纳米微粒的吸收光谱、激发光谱和荧光光谱:研究了量子尺寸效应和介电限域效应对其光学特性的影响,探讨了产生这些影响的物理机制。 关键词：     

掺杂半导体/金属膜系的光谱透射反射特性

提出了以改变半导体薄膜的掺杂浓度来调节它的等离子体频率ω_p,使它的高透射区移至可见光带.选择本征吸收频率在近紫外区的金属与之构成最佳的D/M光谱透射-反射膜系,同时结合掺杂半导体膜与金属膜的最佳厚度组合以形成较理想的透明隔热复合膜. 关键词：     

利用可调谐半导体激光光谱技术对含尘气体中NH3的测量

利用可调谐半导体激光吸收光谱技术(TDLAS)并结合波长调制,在近红外波段1531.7nm处对常温常压下的NH3进行浓度测量.在10 m的长程吸收池内得到了25×10-6的浓度信号,并且在25×10-5-400×10-6浓度范围内二次谐波信号与浓度具有良好的线性关系.讨论了粉尘颗粒对于二次谐波信号的干扰,并提出了利用激光强度线性拟合解决颗粒对气体测量干扰的方法.     

温度对CdS纳米颗粒形状和光致发光特性的影响

采用反胶束法,在常温和低温下(接近零度)合成了硅土包裹的CdS纳米颗粒.高分辨电镜表明常温下合成的颗粒呈现直径小于5 nm的球形,而在低温下出现了短棒形和长达微米量级的线形.通过对实验过程的分析表明:不仅合成CdS纳米颗粒溶液的浓度,而且温度对CdS纳米颗粒的形状产生了重要的影响.进一步研究了CdS纳米颗粒的光致发光特性.     

外腔式可调谐半导体激光器的光谱法求解

利用由射线法求得的光谱表达式，分析了外腔式半导体激光器的输出谱，并以此求得了普遍情况下阈值载流子密度的解析表达式，结合光谱表达式与载流子速率方程，求得了不同电流下腔内载流子密度与阈值的差值，从而可以不必诸光子数速度方程而获得外腔式半导体激光器的自洽解。     

由半导体激光器端面输出谱确定自发辐射谱

利用射线法和平均载流子分布近似，从理论上预言了用阈值以下半导体激光器的端面输出谱来确定自发辐射谱的可能性。在此基础上，通过实验测得的阈值以下半导体激光器的端面输出谱确定了自发辐射谱，并且对自发辐射谱和增益谱进行了比较和分析。     

半导体粒子CdS的光学性质研究

采用DDA(discrete dipole approximation)方法对用于光催化制氢的半导体粒子的光学性质进行了研究,讨论了形状、尺寸等因素对放置在水中的CdS吸收效率的影响,选取的粒子形状有球形,圆柱形,正四面体,正三棱柱,长方体,正六角棱柱,发现粒子形状对局部表面等离子体共振峰的数目和共振波长有重要影响,而...     

聚电解质/硫化镉薄膜的层-层组装及其光谱分析

以六偏磷酸钠为稳定剂,采用硝酸镉和硫化钠合成了硫化镉纳米颗粒,利用层-层组装技术制备了聚电解质与硫化镉胶体的复合薄膜.吸收光谱显示,硫化镉胶体的吸收带边相对其体相有明显蓝移,并可观察到激子吸收峰,显示出量子尺寸效应.复合薄膜的荧光光谱上出现2个发光带,随着薄膜的组装层数的增加,复合薄膜的带带跃迁发光和表面态发光都相应减弱.     

介质阻挡放电等离子体沉积多孔硅纳米颗粒膜的光发射及红外光谱

用介质阻挡放电(DBD)等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以硅烷为源气体,在沉积区域加载脉冲负偏压进行调节,在玻璃基片上沉积得到具有荧光特征的多孔硅纳米颗粒膜。沉积过程的发射光谱结果表明,在412 nm处出现S iH*(A2Δ→X2Π0-0)特征峰,证明放电沉积过程中存在不同程度的硅烷裂解。将脉冲负偏压固定在-300 V,当占空比从0.162增大到0.864时,薄膜的红外光谱显示S i—O—S i在1 070cm-1伸缩振动吸收峰与800 cm-1的弯曲振动峰都有所增强,而930 cm-1的S i—H弯曲振动减弱。说明随着占空比的增加,S i—O—S i键的结合越来越明显。     

氩气/甲烷/空气介质阻挡放电等离子体的发射光谱诊断

为了获得可燃气体的放电及等离子体发射光谱特性,进一步揭示等离子体助燃作用下燃料在稀燃状态的点火与燃烧特性,在常压下以氩气作为载气对预混的甲烷和空气进行放电研究。实验基于平行板电极射频(13.56 MHz)介质阻挡放电的等离子体发生装置,首先在常压下对体积分数为90%氩气/10%空气的混合气体开展放电研究;再在90%氩气含量不变的情况下,调节空气含量并加入与之能形成燃烧化学当量比Φ＝1的甲烷,氩气/甲烷/空气的混合气体同样能实现稳定而均匀的放电;最后分别在90%氩气含量不变,甲烷和空气在当量比为Φ＝0.4～1.9六种情况下进行放电实验。由光谱仪记录不同放电工况下的发射光谱信息,诊断反应产物类型,利用观测到的氮分子第二正带系(0-2)380.4 nm和(1-3)375.4 nm处的发射谱线,与自编程序计算的模拟谱线拟合,得出分子转动温度(即气体温度)。研究结果表明：通过拟合模拟光谱与实验所测发射光谱的方法推测分子转动温度,进而获得气体的平动温度,氩气/空气放电的气体温度可达到1 150 K,氩气/甲烷/空气Φ＝1时放电气体温度升高到1 390 K;甲烷与空气形成不同当量比时,所测等离子体气体温度相对于90%氩气/10%空气混合气体温度的温升在70～240 K范围变化;由光谱信息观测到CH,H,OH和CH₂O等活性粒子的存在以及气体温度的升高,表明可燃成分混合气在射频电场放电作用下发生等离子体燃烧化学反应并释放出化学热。     

混合光谱中已知组分光谱的自加强方法研究

通过数学变换手段将混合物光谱中某待测组分（已知纯光谱组分）所包含的信息集中于原点,使得待分析组分光谱在变换结果曲线的原点处贡献最大,称之为纯光谱组分的自加强作用;在杂质光谱所包含谱带中心位置与待分析组分纯光谱差别较大的假设基础之上,通过理论分析可认为杂质光谱在变换结果曲线原点处贡献最小,因而可选择变换结果曲线原点处的小波变换系数作为待测组分定量分析的依据,降低了分析位置选择的人为性,增强了分析手段的可靠性与适应性。模拟对比了理想曲线与含加性高斯白噪声信号的变换结果,证明该方法具有好的抗噪特性。模拟分析结果表明,该方法相比以往文献报道的单纯利用小波系数作为定量分析依据的做法在分析误差方面有很大改善。     

New Approach to Investigation of Tunable External Cavity Semiconductor Lasers

ＮｅｗＡｐｐｒｏａｃｈｔｏＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＴｕｎａｂｌｅＥｘｔｅｒｎａｌＣａｖｉｔｙＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＬａｓｅｒｓ￥ＬＵＨｏｎｇｃｈａｎｇ；ＬＵＯＢｉｎ（ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１...     

介质势垒放电(DBD)等离子体中NO荧光发射谱研究

利用介质阻挡放电 (DBD)等离子体技术对大气污染物NO分子进行了光谱研究 ,得到了低气压条件下放电等离子体在 2 1 0～ 2 80nm光谱范围内的荧光发射谱。该谱明显的表现为双峰结构 ,谱线均成对出现 ,强度分布符合Frank Condon原理 ,且最大峰值位置出现在 2 36nm处 ,将该组谱线归属为NO分子的A2 ΣA →X2 Π1 / 2 ,2 / 3 跃迁。荧光产生过程为 :基态NO分子与高能电子发生非弹性碰撞被激发至激发态A2 Σ 后自发跃迁回基态同时辐射出荧光。通过测量等离子体中NO分子和N2 分子 337nm谱线强度随时间的变化关系 ,初步证实了放电等离子体中存在的NO分子的分解机制为 :e NO→N O e,N NO→N2 O ,O NO→NO2 hν。     

微波强场中的光谱激发及其谱线特征

本文报道了关于微波强场中的光谱激发现象的最新研究,并对微波强场激发光谱（ＭＳＥＳ）和普通的原子发射光谱（ＡＥＳ０的比较光谱进行了分析,对其中出现的谱线偏移现象进行了重复性实验。