反向驱动的异质结有机薄膜电致发光

成功制备了结构为ITO／PDDOPV／PPQ／Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV，但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加，当反向直流电压分别为22V、24V、26V、28V时，其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ／IPDDOPV分别为1．092、1．329、1．605、2．046。换句话说，该器件的发光颜色是压控可调的，这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ／IPDDOPV受电压控制的原因。     

一种新型的稀土Tb配合物的光致和电致发光性能的研究

用一种新型的含酚羟基的Schiff碱三足配体H₃L3稀土Tb配合物作发光层制备了三层结构电致发光器件,器件在正向直流偏压下发出明亮的绿光。器件的电致发光(EL)光谱和Tb配合物薄膜的光致发光(PL)光谱与典型的Tb配合物的发光光谱相同。研究了器件发光及电学特性,讨论了该种新型的稀土Tc配合物的发光机理。     

磁场对有机电致发光的影响

制备了常规有机发光二极管ITO/NPD/Alq₃/LiF/Al，测量了该器件发光的磁场效应.发现尽管在1T范围内的磁场对发光层Alq₃的光致发光没有影响，但磁场作用下器件的电致发光(MEL)却呈现出明显的磁效应，且MEL与器件的偏压有很强的依赖关系：在小偏压时，随着磁场的增加MEL是单调递增，且在大小约为40kA/m的磁场下达到饱和，之后即使磁场增大到约1T 的情况下也没有变化；但当偏压变大时，MEL则呈现先增加，在40kA/m处达到峰值后却又减弱，而且偏压越大该MEL的减弱则越明显.对所观察到的实验结果进行了定形解释，即三线态激子相互淬灭产生单线态激子和三线态激子与器件中的非平衡载流子相互作用是此效应的物理机理. 关键词： 有机发光 磁场效应 激子淬灭     

有机薄膜的光致发光和电致发光

制备了以Alq3为发光物质的有机薄膜电致发光器件,得到了30V直流电压下100cd/m2的绿色发光.探讨了Alq3薄膜的光致发光和器件的电致发光机理.     

氧化锌纳米颗粒薄膜的近紫外电致发光特性研究

利用溶胶-凝胶法(sol-gel method)制备了ZnO纳米颗粒薄膜(ZnO nanoparticle film),并以此为发光层制备了结构为ITO/ZnO nanoparticle/MEH-PPV/LiF/Al的电致发光器件.通过调整器件发光层厚度,对器件的发光光谱和电学特性进行测试研究,发现该器件在一定的直流电压下可以得到以ZnO近紫外(中心波长390 nm)发光为主的电致发光光谱,显示出较好的ZnO近紫外电致发光特性.对该器件的发光机理进行了一定的研究,认为该器件的发光是基于载流子隧穿.     

稀土有机电致发光器件

我们研制了用有机材料Tb(AcA)3·phen作为发射层的绿色发光二极管,两层结构为玻璃衬底ITO/芳香族二胺类衍生物TPD/Tb(AcA)3·phen/A1。各功能层均用真空热蒸发的方法制备。在正向直流偏压驱动下获得了Tb3+的特征发光,同时还发现一个峰位425um的蓝光发射,它来源于空穴输运层TPD。在室温条件下器件的阈值电压为4V,当驱动电压提高到16V时,器件的最高发光亮度达到200cd/m2,同时在相同条件下制备了结构为玻璃衬底ITO/芳香族二胺类衍生物TPB/Tb(AcA)3·phen/A1的器件,通过对两种器件光谱及电学特性的测量、比较与分析,探讨了有关稀土有机电致发光的发光机理等问题。     

金刚石薄膜电致发光研究

报道了金刚石薄膜电致发光现象.为进一步提高金刚石薄膜蓝区电致发光强度,分别采用了硼氮双掺杂法和稀土掺杂法制备出了金刚石薄膜电致发光器件,并采用低电容率的本征金刚石薄膜和氧化硅薄膜为绝缘层的夹层式器件结构.研究结果显示:采用稀土铈掺杂可以有效地提高金刚石薄膜蓝区电致发光强度,其蓝区最大电致发光强度可达3.5 cd/m2;采用低电容率绝缘膜的夹层式结构,能有效地提高电子进入发光层时的能量,并有助于提高器件发光的稳定性和发光寿命.     

n+-Si与p-Si衬底上含纳米硅的SiO2膜电致发光

对于Au/富Si-SiO₂/p-Si和Au/富Si-SiO₂／n⁺-Si这两种结构，研究并比较了它们的电致发光特性．对于前者，当正向偏压大于4V时发射红光，而加反向偏压时不发光；对于后者，加正向偏压不发光，而当反向偏压大于3.5V时发射红光．着重讨论了Au/富Si-SiO₂/n⁺-Si的电致发光机制 关键词：     

MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC 异质结器件及其电致发光性能

采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO:As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。     

Au/(SiO2/Si/SiO2)纳米双势垒/n+-Si结构的电致发光研究

利用射频磁控溅射方法 ,在n Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子 空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 .     

交流电激发下的聚合物PPV单层薄膜发光器件的电致发光

交流电激发下的聚合物ＰＰＶ单层薄膜发光器件的电致发光＊张凤玲ａ，ｂ）杨志敏ａ）徐征ａ）黄宗浩ｃ）徐长远ａ）王永生ａ）徐叙王容ａ，ｂ）ａ）（北方交通大学光电子技术研究所，北京１０００４４）ｂ）（天津理工学院材料物理研究所，天津３００１９１）ｃ）（东北师...     

Red electroluminescent process excited by hot holes in SrGa2S4:Ce, Mn thin film

This paper reports the first observation of red electroluminescence (EL) in SrGa₂S₄:Ce, Mn thin film. The EL spectrum consists of single broad emission band having a peak wavelength of 665 nm. The dominant EL decay time was 31 μs. The relationship between the applied voltage and the EL waveform was measured in single insulating thin film electroluminescent (TFEL) devices. An asymmetric EL waveform was observed in SrGa₂S₄:Ce, Mn TFEL devices under a rectangular applied voltage. The polarity of the EL waveform in these devices was different from the waveform in manganese-activated zinc sulfide ZnS:Mn devices. This indicates that hot holes excite the Mn²⁺ ions to cause the red EL.     

薄膜场致发光显示的研究进展

描述了薄膜场致发光显示的电学和光学性质,介绍了夹层结构,它等效齐纳二极管组成的线路。分析了影响亮度和效率的因素,主要是发光中心浓度,电子的能量和发光体的结晶状态,为了提高电子能量,提出了分层优化方案,它具有明显的优越性;为改善发光层的结晶状态,提出了厚膜扬致发光。对场致发光的机理进行了讨论,描述了多色和全色ＴＦＥＬ器件的材料和结构的研究进展。     

The influence of ZnO seed layers on n-ZnO nanostructure/p-GaN LEDs

Light-emitting diodes (LEDs) were formed by hydrothermally growing n-ZnO nanostructures on p-GaN with or without seed layers. The performance of the fabricated LEDs was studied. The seed layers not only have a great influence on the morphology and density of the ZnO nanostructures but also determine the lighting bias and emitting mechanism. The LEDs without seed layers and with sputtered seed layers exhibit light emission only under reverse bias, which is believed due to the GaN buffer layer/p-GaN p–n junction. The LEDs with sol–gel seed layers exhibit light emission under both forward and reverse biases. With the increase of the forward bias, the LEDs first demonstrate a red electroluminescence emission coming from the sol–gel seed layers and then demonstrate an orange emission coming from the ZnO nanorods. The sol–gel seed layer and the interface play a very important role in the electroluminescence.     

ZnS中Er3+的正向注入电致发光

已报导的三价稀土离子(RE3+)和二价锰离子发光的电致发光器件,都是激发机理为碰撞激发的高场发光器件[1,2]。我们研究了znS:RE2+的带边激发光谱,由此提出了实现正向注入下三价稀土离子电致发光的发光器件的设想,这种器件的必要条件是在存在三价稀土离子的区域同时注入电子和空穴。在离子注入的ZnS:Er3+发光二极管上观察到了这种发光,实验证明不是碰撞激发,而是正向注入产生的发光。     

有机薄膜电致发光器件的光学微腔效应

制备了以铝掺杂氧化锌（ＡＺＯ）透明导电膜为阳极的有机薄膜电致发光微腔器件，研究了垂直的光学法布里－珀罗微共振腔对有机器件的自发发射的微腔效应，发出了光谱窄化、发光强度增加及发射的角度依赖关系等现象。具有微腔结构的器件发射谱将高宽只有１４display status     

聚对苯乙炔(PPV)的薄膜电致发光特性

聚对苯乙炔[poly(p-phenylene vinylene),缩写为PPV]是一种典型的线性共轭高分子.早在1968年,美国化学家Wessling就宣布合成出了PPV[1],但由于当时对该材料的应用前景不清,故未能引起科学界的重视.80年代中期,Murase等用AsF5及其它多种掺杂剂成功地对PPV进行了掺杂导电研究[2],使其电导率提高了16个数量级,由绝缘体变成了导体.     

Er-doped edge emitting devices with a SiGe waveguide

Er-doped Si edge emitting devices have been fabricated using layer structures grown by molecular beam epitaxy (MBE). Both oxygen and carbon were used as co-dopant in the Er-doped layer. In order to achieve a waveguiding effect, a SiGe layer has been placed next to the Er-doped layer. Intense electroluminescence (EL) at 1.54 μm has been observed from edge emission of such a device at room temperature and even up to 50°C at low excitation power under reverse bias. The value of an activation energy (125 meV) for dominating luminescence intensity quenching, as derived from temperature-dependent EL measurements, was 30 meV lower than that observed from our previous Er/O-doped structures (155 meV), which is likely caused by the band gap narrowing induced by C-doping. The estimated external quantum efficiency of these Er-doped Si edge emitting LEDs is 5×10⁻⁵ at room temperature.     

金属电极对聚对苯乙炔电致发光过程的影响

分别采用两种不同功函数的电子注入电极铝(Al)和钙(Ca),构造出了在正常光照下发光可见的单层聚对苯乙炔(PPV)的电致发光器件.发现电极材料的不同使发射光谱产生明显差异,主要表现在550nm的发射峰与510nm发射峰强度的比值不同.通过电致发光(EL)与光致发光(PL)过程的比较,分析了产生这种显著差异的原因.进一步明晰了电流密度与亮度呈线性关系的物理过程.