光电子技术与器件 光调制与器件

TN761 2006065275一种新型谐振腔增强型光调制器结构的研究=A novel resonant cavity enhanced optical modulator structure[刊,中]/周震(北京邮电大学电子工程学院．北京(100876)),马建新…//半导体光电．—2006．27(3)．—250-253提出了一种新型谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,它由一个对称型谐振腔增强型光调制器和一个高反镜构成。利用传输矩阵法对该器件的插入损耗及临界吸收厚度进行了模拟分析,并同传统谐振腔增强型光调制器的相关性能进行了比较。分析结果表明,这种结构解决了传统谐振腔增强型光调制器的临界吸收厚度与插入损耗之间相互制约的矛盾,可同时获得低临界吸收厚度和低插入损耗。图5参11(严寒)     

激光器件 半导体激光器

TN248．4 2006064958高效率1．06μm波段大功率半导体激光列阵模块=High efficiency 1．06μm wavelength high power diode array module[刊,中]/尧舜(中科院长春光机所激发态开放实验室．吉林．长春(130033)),套格套…//半导体光电．—2006,27(3)．—260—262采用InGaAs/InGaAsP应变量子阱折射率分别限制(SCH)宽波导结构结合优化欧姆接触减小串联电阻的方法．制作出高效率大功率1．06μm波段半导体激光列阵模块。激光芯片宽1cm。腔长1200μm．条宽200μm。填充密度为50%,室温连续输出功率为50．2W时,光电转换效率达到56．9%。图3参10(严寒)     

光电子技术与器件 光调制与器件

TN761 2005053718 精确标定光弹调制器的新方法=A new method to cali- brate accurately a photoelastic modulator[刊,中]／曾爱军 (中科院上海光机所.上海(201800)),王向朝…∥光学学 报．-2005,25(6)．-799-802 针对现有光弹调制器标定方法的不足,提出了一种精 确标定光弹调制器的新方法。首先利用起偏器、波片、光 弹调制器和检偏器构成标定光路,通过寻找探测信号基频 分量的极大值进行粗略标定,使光弹调制器的峰值延迟量 处在1．841 rad附近。然后撤走波片形成光弹调制器的精 确标定光路,在检偏器旋转90°前后获得探测信号的直流 分量和二次谐波分量。最后利用这两种探测信号的直流 分量和二次谐波分量精确地计算出光弹调制器的峰值延 迟量。实验验证了此光弹调制器标定方法,实验结果表明 其标定误差仅为0．7％。图2表2参10(于晓光)     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN219 2006065296 1．55/μm SiGe 2×3光开关=A 2×3 photonic switch in SiGe for 1．55μm operation[刊,英]/陈志文(中山大学光电材料与技术国家重点实验室．广东,广州(510275))．李宝军…//半导体学报,—2006,27(3)．—494-498利用多模干涉效应和自由载流子等离子体色散效应设计和模拟了基于1．55μm波长的2×3 SiGe光开关。该     

集成光学 光电集成与器件

TN256 2006032264光波导位相调制技术产生多波长光源=Optical waveguidephase modulation technology for generating multi-wave-length optical source[刊,中]/向端燕(上海交通大学物理系,先进光通信系统与网络国家重点实验室.上海(200240)) ,刘兰芳…∥光电工程.—2006 , 33(2) .—73-75 ,122用Matlab软件模拟分析了高频光波导电光位相调制器的输出光谱特性。实验制作了光波长1 .55μm、微波频率10 GHz的铌酸锂电光波导位相调制器;输出光谱中可清楚观察到正负三阶等频率间隔的边波带,即可实现七路光源输出,由此提出并验证了光波导位相…     

激光、激光技术 激光器件 固体激光器

TN248.1 2006031983LD抽运Nd∶GdVO41 .34μm激光器及其倍频特性=LD-pumped Nd∶GdVO41 .34μmlaser and its harmonic gen-eration[刊,中]/彭倩倩(山东师范大学物理与电子科学学院.山东,济南(250014)) ,杨峰…∥光电工程.—2006 ,33(2) .—50-53采用直线腔激光二极管(LD)抽运Nd∶GdVO4晶体1 .34μm激光器。在泵浦功率为8 W的情况下,获得连续波输出为1 .91 W。激光器光-光转换效率为23 .9 %,斜效率为29 .1 %。采用声光调Q,重复频率为10 kHz时,得到最短脉宽、最大单脉冲能量分别为78 ns和20 .1μJ ,最大平均输出功率为253 mW。采…     

光电子技术与器件 光探测与器件

O434．22 2005032089 GaN基紫外光探测器研究进展=Research progress in GaN-based semiconductor UV detectors[刊,中]／徐立国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院．北京(100022)),谢 雪松…∥半导体光电．-2004,25(6)．-411-416 介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构 和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电 探测器的研究新进展。图3参25(严寒) O434．22 2005032090 6H-SiC pn结紫外光探测器的模拟与分析=Simulation and analysis of 6H-SiC pn junction ultraviolet photodetector [刊,中]／周拥华(西安电子科技大学微电子研究所．陕西,     

锗-2-羟基-3-甲氧基苯基荧光酮-溴化十六烷基三甲基铵(CTMAB)体系的分光光度法

在阳离子表面活性剂 CTMAB存在下 ,硫酸介质中 ,2 -羟基 - 3-甲氧基苯基荧光酮与 Ge( )显色反应 ,形成红色的络合物 ,其最大吸收波长为 5 0 5 .5 nm,表观摩尔吸光系数为 1.5× 10 5L· mol-1·cm-1,锗量在 0— 13μg/ 2 5 m L范围内符合比耳定律 ,分光光度法测定锗 ,很多离子不干扰测定。方法具有很高的灵敏度 ,直接用于锅炉烟尘中微量锗的测定 ,结果令人满意     

苯基荧光酮光度法测定煤矸石中微量锗

在磷酸介质中 ,吐温 - 2 0存在下 ,锗 ( )与苯基荧光酮反应生成稳定的络合物 ,其最大吸收波长为5 0 0 nm,表观摩尔吸光系数ε=1.2 7× 10 5L· mol-1· cm-1。锗含量在 0— 10μg/2 5 m L范围内符合比耳定律 ,测得络合物的组成比为 :Ge( )∶苯基荧光酮 =1∶ 2。方法的灵敏度高 ,选择性好 ,络合物稳定 2 4 h以上 ,用于测定煤矸石中微量锗 ,结果令人满意     

光调制与器件

TN7612007010605光栅平动式光调制器结构参量的优化分析=Opti mizationand analysis for structural parameters of grating movinglight modulator[刊,中]/张洁(重庆大学光电工程学院教育部光电技术及系统重点实验室.重庆(400030)),黄尚廉…//光学学报.—2006,26(8).—1121-11     

辐射与发光 发光与发光器件

TN312．8 2005053215 GaN基发光二极管芯片提取效率的研究=Study on light extraction efficiency of GaN-based light-emitting diode chips[刊,中]／申屠伟进(清华大学电子工程系,集成光电 子学国家重点联合实验室．北京(100084)),胡飞…∥光电 子·激光．-2005,16(4)．-384-389 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极 管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN 与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取 效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的 正面出光的芯片光提取效率至少高20％;同时,低GaN光 吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效地增 加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下 时光提取效率较高。图6表3参13(严寒)     

光电子技术与器件 光探测与器件

TL816．5 2005053713 位置敏感探测器统一结构模型的分析=Analysis of uni- form configuration model of position sensitive detector[刊, 中]／尚鸿雁(北京航空航天大学仪器科学与光电工程学 院．北京(100083)),张广军∥光电工程．-2005,32 (7)．-89-92     

激光器件 固体激光器

TN248．1 2005031712 高平均功率腔内和频蓝光Nd:YAG激光器=High power blue Nd:YAG laser by intracavity summing frequency [刊,中]／毕勇(中科院光电所光电系统工程部．北京 (100080)),孙志培…∥光学 精密工程．-2005,13(1)．- 16-21 研究了Nd3+离子~4F3/2→~4I13/2态1．3μm谱线腔内三 倍频产生高平均功率蓝光激光,获得4．3 W蓝光激光输 出,重复频率3.5 kHz,脉冲宽度150±10 ns,光束质量M2     

GenMn(n=1-13)团簇的稳定结构、电子性质和磁性研究

基于全电子的密度泛函理论,对GenMn (n=1-13)团簇的结构和电子、磁特性进行了研究,结果表明：GenMn(n=1-7)团簇的最稳定结构是在Gen+1团簇的最稳态结构的基础上用Mn原子替代一个角位的Ge原子获得;纯锗团簇的稳态结构为空心的笼状或扁长的棒状构型,而GenMn(n=8-13)趋于以二十面体为基础生长,即掺杂Mn可以使锗团簇趋于密实结构生长;除Ge3Mn团簇的总磁矩是5μB外,其他掺杂团簇总磁矩都是3μB或1μB,而且主要是由Mn原子3d轨道电子提供的,且3d轨道的磁矩大小与4s,3d轨道间电子的转移程度有着直接的关系;计算得到的Mn原子居于中心的六棱柱形结构的Ge12Mn团簇,无论是几何结构还是化学活性方面都是最稳定的．     

光电子技术与器件 光调制与器件

TN761 2005010466 电光调制器的偏振控制系统设计=Design on polarization control system for electro-optical modulator[刊,中]／陈好 (浙江大学信息与电子工程学系．浙江,杭州(310027)),宋牟平…∥光通信技术．2004,28(4)．-25-26 通过分析光纤圈型偏振控制器和铌酸锂电光调制器原理和工作特点,设计验证了光纤圈型偏振控制器能将固定的输入偏振态转变为多种输出偏振态,完成了应用于电光调制器的偏振控制系统。图3(杨妹清)     

光电子技术与器件 光调制与器件

TN761．92 2005064333 聚合物电光调制器行波电极系统=Traveling-wave elec- trode for polymer electro-optic modulators[刊,中]/鹿飞 (清华大学电子工程系,北京(100084)),梁琨…∥光电子 ·激光．-2005,16(3)．-267-270 设计了20 GHz聚合物光波导电光调制器CPW电极 系统。制作和测试了分别用Si、石英、玻璃做衬底的CPW     

基于绝缘体上硅的一种改进的Mach-Zehnder声光调制器

传统的基于绝缘体上硅的Mach-Zehnder(MZ)声光调制器中,叉指换能器位于两臂的同一侧.为实现高的调制效率,声表面波的波峰和波谷分别调制MZ干涉仪的两臂,这要求控制MZ干涉仪两臂之间的距离为奇数倍声波半波长.但实际上由于传播过程中衬底材料的变化,声波波长会变大,这会导致两臂的间距难以准确设置.另一方面,声波在传播过程中经过MZ干涉仪的一臂后会发生衰减,降低了对另一臂的调制效果,影响了整体的调制效率.本文针对这些问题给出了一种解决方案,把叉指换能器放在MZ波导两臂之间,确保MZ干涉仪两臂到叉指电极中心距离相等.采用有限元法,首先对新提出的结构进行分析,然后通过声光互作用原理得到了材料的折射率变化;进而研究了波导类型、波导宽度、氧化锌厚度及叉指对数等因素对声光调制效率的影响,并对声光调制器的结构参数进行了优化以提高其性能.基于COMSOL Multiphysics的仿真结果表明,当条波导宽度为6μm,氧化锌只覆盖有叉指电极的部分且厚度为2.2μm,控制叉指电极数目为50对时,波导有效折射率变化在驱动电压为1 V时可以达到4.08×10~(-4),比传统结构提高了12%.     

二甲基亚锗基锗烯与乙醛生成螺锗杂环化合物反应机理的密度泛函理论研究

用B3LYP/6-31G*方法研究了单重态二甲基亚锗基锗烯(Me₂Ge=Ge:)与乙醛环加成反应的反应机理,根据该反应的势能面可以预言,该反应有一条主反应通道. 该反应所呈现的反应规律为：两反应物通过[2+2]环加成反应首先生成了一锗杂四元环锗烯,由于该锗杂四元环锗烯中Ge:原子的4p空轨道与乙醛的?轨道形成了π→p授受键,从而使锗杂四元环锗烯进一步与乙醛结合生成了一中间体. 由于该中间体中的Ge:原子在过渡态之后发生了sp³杂化,从而使该中间体经过渡态异构化为了一螺锗杂环化合物. 该研究结果从理论上揭示了单重态二甲基亚锗基锗烯(Me₂Ge=Ge:)与乙醛环加成反应的反应机制,奠定了亚锗基锗烯(H₂Ge=Ge:)及其衍生物(X₂Ge=Ge:, X=H, Me, F, Cl, Br, Ph, Ar?)与非对称性π键化合物环加成反应的理论基础.     

双调Q Nd:GdVO_4激光器的脉宽控制

采用激光二极管(LD)抽运c轴切割的Nd:GdVO_4晶体,声光调制器作为主动调Q开关,Cr~(4+):YAG饱和吸收体作为被动调Q开关,实现了声光Cr~(4+):YAG主被动双调Q 1.06μm激光运转。实验结果表明,通过改变声光调制器和Cr~(4+):YAG饱和吸收体在谐振腔内的位置,可以有效地控制脉冲宽度,同时获得了双调Q激光的单脉冲能量、峰值功率的变化范围。根据ABCD矩阵传输理论计算得出的腔内模式半径沿腔轴的变化关系,考虑腔内振荡光强的空间高斯分布以及声光调制的渡越时间,给出了LD抽运声光Cr~(4+):YAG主被动双调Q激光的耦合速率方程组,理论计算与实验结果相符。     

集成光学 光电集成与器件

TN256 2005031940 高压隔离高线性度光电耦合器=High-voltage linear isola- tion optocoupler[刊,中]／张亮(电子科技大学光电信息学 院．四川,成都(610054)),李应辉…∥半导体光电．- 2004,25(4)．-264-267 研制了一种高压隔离高线性度光电耦合器。采用混 合集成技术,在6DIP陶瓷管座内成功制作出了高压隔离 线性光电耦合器。叙述了该器件的工作原理、工作特性及