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相似文献
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1.
李宝军  李国正  刘恩科 《光学学报》1997,17(12):1718-1723
对1.55μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGex/Si多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)对Si1-xGex光波导,Ge含量x=0.05,脊宽、高和腐蚀深度分别为8、3和2.6μm;2)对Si1-xGex/Si多量子阱红外探测器,Ge含量x=0.5,探测器由厚度为550nm、23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成,长度约2mm。结果表明,这种结构器件的内量子效率可达88%。  相似文献   

2.
波分复用器(WDM)作为光纤通信中一种重要的元器件,能够在不改变原有通信线路的条件下,有效地增加光纤通信的容量。传统的波分复用器主要基于色散原理,分光比不能准确控制,信号间串音大;而基于平面波导中多模干涉效应研制的波分复用器,具有体积小,损耗低(<05dB),不受光偏振态的影响,易集成等优点;在很宽的工作波长范围内,受环境变化影响小,适合现代通信器件集成化的发展。利用多模干涉效应(MMI)集成的098μm/155μm波分复用器,波导长度仅几个毫米,分光比例准确,隔离度可达30-40dB,波形失真小,它不仅可用于155μm光纤激光器和EDFA的集成,也可用于实现1×N和N×N分光,在光纤通信中有广泛的应用前景。  相似文献   

3.
李宝军  李国正 《光学学报》1997,17(12):718-1723
对1。55μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGex/Si多量子阱红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)对Si1-xGex光波导,Ge含量x=0.05,脊宽,高和腐蚀深度分别为8,3和2.6μm,2)对SI1-xGex/Si多量子阱红外探测器,Ge含量x=0.5,探测器由厚度为550nm,23个周期的6nmSi0.5GE0.5+18nmSi组成,长度约2mm。  相似文献   

4.
傅焰峰  李涛 《光学学报》1997,17(8):113-1116
对1.5μm波导型声光TE-TM模式转换光滤波器进行了研究。采用了可降低驱动功率的表面声波导结构。在1.5 ̄1.6μm波段实现了可调滤光,通带宽度小于2nm,达到97¥以上转换率所需的射频驱动功率约80mW(19dBm),器件总插入损耗约9dB。  相似文献   

5.
集成光学TM模偏振器的制作   总被引:2,自引:0,他引:2  
季家Rong  冯莹 《光学学报》1997,17(3):73-375
用扩钛和质子交换相结合的方法在x切y传LiBnO3衬底上制成了TM模集成光波导偏振器。质子交换区位于扩钛波导的末端两侧。在质子交换区域Δne〉0,Δn0〈0,因此TE模辐射进入衬底。偏振器工作于1.3μm波长,消光比优于47dB,光纤0-波导-光纤插入损耗3.5dB。  相似文献   

6.
高福斌  冯克诚 《光学学报》1995,15(8):102-1105
在1.5μm光波长,首次研制出质子交换铌酸锂光波导TE0模偏振器。器件由嵌在Ti扩散波导之间的一段质子交换波导构成,器件长度为2mm。实验测得,偏振器的消光比和带尾纤插入损耗分别为42dB和4.3dB。  相似文献   

7.
王红斌  孙可煦  汤晓清 《光学学报》1998,18(9):192-1196
以小能量0.35μm激光(<100J)辐照盘靶(Φ600μm×4μm),用软X射线平响应探测器测量X射线角分布(dE/dΩ)和X射线转换效率(ηx)。dE/dΩ=a+bcosθ,与角无关。ηx随激光入射角增加而下降。按金盘、多层膜(0.11μm)金盘和CH膜(0.4μm)金盘顺序,ηx依次下降。  相似文献   

8.
热稳定法拉第旋转TbYbBiIG磁光单晶及性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
张守业  张志良 《光学学报》1997,17(5):26-629
采用高温溶液法,以Bi2O3/B2O3为助熔剂成功地生长出掺铋复合稀土铁石榴石(TbYbBi)3Fe5O12(简称TbYbBiIG)晶体。晶体外形规则,最大尺寸为7×6×4mm3,X射线衍射分析证实,生长的晶体为TbYbBiIG单相单晶体,扫描电镜能谱分析其组成为Tb2.06Yb0.46Bi0.48Fe5O12。在1.0μm~1.7μm波段测量出晶体法拉第旋转谱和光吸收谱。当λ=1.55μm时,在10°C~80°C温度范围内测得法拉第旋转θF的温度系数为dθF/dT=-2.3×10-2deg·mm-1K-1。研究结果表明,TbYbBiIG单晶体在近红外波段θF约为YIG单晶的3倍,温度系数小,是制作高性能光隔离器的一种好材料  相似文献   

9.
单模光纤中Raman光放大   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道在单模光纤中,背向受激拉曼散射(BSRS)对通信光的光放大研究。所用泵浦源为声光0开关Nd ̄(+3):YAG激光器,工作波长1.064μm。信号源为InGaAsP半导体激光器,工作波长1.30μm。在1.30μm处实现了Raman光放大,增益达19.4dB以上,增益系数为2.3×10 ̄(-12)cm/w。  相似文献   

10.
1.06μm激光辐照金盘靶的软X光转换   总被引:1,自引:1,他引:0  
在1.06μm激光辐照金盘靶实验中,利用坪响应X光二级管探测器测量了软X光能量(0.1-1.5keV)角分布,得到了软X光转换效率。实验条件:激光波长λL=1.06μm,EL=60-500J,τpm≈800ps,f/1.7,IL=10^1^3-10^1^4W/cm^2。实验结果表明:软X光能量角分粗略呈α+bcosθ分布,软X光转换效率随激光强度的增加而降低。当靶面激光焦斑直径235μm,激光强度  相似文献   

11.
赵策洲  李国正 《光学学报》1995,15(11):598-1600
根据大截面单模脊形波导理论和双模干涉机制,在硅片直接键合、背面抛光减薄的SOI材料上,通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法,成功地研制出SOI波长信号分离器,在波长为1.3μm,其插入损耗为4.81dB,串音小于-18.6dB。  相似文献   

12.
本文首次报导了生长温度为550℃,以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机物气相沉积(LFMOCVD〕技术,高质量1.62um和1.3umInGaAsP及In0.57Ga0.43As0.98P0.04/In0.73Ga0.27As0.6P0.4量子阶结构的生长,并给出了1.55umGaAsP/InP分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件,激光器于室温下脉冲激射,其阈值电流密度为2.4kA/cm2。  相似文献   

13.
马红燕  王云 《光谱实验室》2000,17(1):100-103
本文报道了在溴化十六烷基三甲铵(CTMAB)存在下,以5-溴水杨基荧光酮(5-BrSAF)作为荧光试剂,用荧光熄灭法测定微量钼的新方法。详细研究了各种条件实验。反应的适宜酸度范围为 0.08-0.24m ol·L- 1 HCl,钼含量在0- 4.0μg/25m L范围内呈线性关系,配合物的组成比为Mo(Ⅵ)∶5-BrSAF∶CTMAB= 1∶2∶2,激发波长为365nm ,发射波长为525nm 。方法灵敏度高,检出限为2.0μg/L。用于样品中微量钼的测定,结果令人满意。  相似文献   

14.
SOI大截面单模脊形X型分支波导的研制   总被引:2,自引:1,他引:1  
赵策洲  李国正  刘恩科 《光学学报》1994,14(11):230-1232
报道了硅片直接键合(SDB)SOI大截面单模脊形互型分支波导的研制.对于波长为1.3μm的光,在θ=2°小分支角时,这种分支波导的通道串音小于-20dB,辐射损耗小于0.3dB.直通传输损耗小于0.85dB/cm.  相似文献   

15.
通过测量无机光谱烧孔系列材料MyM′1-yFClxBr1-x:Sm2+(M=Mg,Ca,Sr,Ba)中4f5d带的激发光谱随组分x和y的变化,5DJ—7F0(J=2,1,0)跃迁的荧光衰减随组分与温度的变化,对其烧孔的电子跃迁过程及其对烧孔效率的影响进行了研究.得出结论:在此系列材料中,随着Br含量和小半径的碱土离子的增加,Sm2+的4f5d带与5DJ能级更加接近,使7F0—5DJ的电子跃迁几率增大,烧孔效率提高  相似文献   

16.
靳晓珠 《光谱实验室》1999,16(2):215-217
DBC-偶氮胂对铋的灵敏度较高且选择性好,在0.2-1.0mol/L硝酸介质中与Bi形成配位比为1:2的紫红色配合物,λmax=630nm,ε630=8.8×10^4L.mol^-1.cm^-1。铋量在0-=10μg/10mL范围内符合比耳定律。用于人发中微量的铋的测定,操作简便,结果满意。  相似文献   

17.
程干超  杨琳  吴海信  程宁 《光学学报》1999,19(3):14-419
制备了组分x=0.2,0.5,0.75的AgGa(Se1-xSx)2单晶体。报道了它的一些光学性能。计算表明,如采用1.06μm光源泵浦A(gGa(Se1-xSx)2晶体的Ⅰ型光能量振荡,当组分x=0.65时便可获得1.4-12μm连续调谐中红外光谱。  相似文献   

18.
用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变  相似文献   

19.
i线投影光刻曝光系统的光学设计   总被引:3,自引:1,他引:2  
林大键  李展 《光学学报》1995,15(3):47-351
叙述具有同轴对准特性的光学投影物镜双远心结构和均匀照明光学系统原理。为了满足i线光刻所需的光学传递函数要求,讨论了光刻分辨率和数值孔径的关系。设计了一种新的双远心投影物镜,其数值孔径NA=0.42,放大倍率M=-1/5,像场尺寸15mm×15mm(直径21·2mm),共轭距L=602mm。用光学设计程序ZEMAX-XE计算此i线物镜的像质。设计结果说明,整个视场内波差<λ/4,MTF>0.55,当空间频率为715pairlines/mm,使用波长为365士3nm时。可以实现0.7μm光刻分辨率;照明均匀器,由81个小方型透镜组成一方列阵。用本文模拟计算软件OPENG计算被照像平面上的光能分布,说明实际系统的照明不均匀性为土2%。  相似文献   

20.
本文介绍了用熔融法制备Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15-xNaxO8+y(x=0,0.4~0.8)样品,发现诸样品零电阻温度都在90K左右,其小x=0.7.Tc0达到92,5K.在81K较高温区,该类样品仍然表现出良好的超导电性,其临界电流密度还达到103A/cm2量级.  相似文献   

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