共查询到20条相似文献,搜索用时 8 毫秒
1.
本文介绍了BaTiO_3半导瓷PTCR材料的性能,给出了低温PTCR材料的配方、工艺要点及主要特性参数,提出了改进性能的途径。 相似文献
2.
3.
本文提出了一种新型的BaTiO3PTOR材料的制备方法。研究了它的导电机理,给出了材料的组分,工艺条件及主要参数,提出了改进性能的途径。 相似文献
4.
文介绍了BaTiO3半导瓷PTCR材料的性能,给出了低RTCR材料的配方,工艺要点及主要特性参数,提出了改进性能的途径。 相似文献
5.
BaTiO_3半导瓷材料中施受主杂质互补作用的研究 总被引:6,自引:3,他引:6
对施主掺杂而言,在缺位补偿区,引入高受主掺杂可使材料的常温电阻率随受主杂质的引入量增加呈U型曲线变化,同时晶粒尺寸随之单调上升。这是由于受主杂质的引入利于产生氧空位,导致钡空位浓度下降的结果。 相似文献
6.
BaTiO_3系PTCR热敏电阻器用烧结助剂的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
研究了烧结助剂的作用,实验结果表明:如只引入半导化元素,不引入烧结助剂,则室温电阻率ρ25很大,甚至是绝缘体。由于烧结助剂的加入,既改善了PTCR热敏电阻陶瓷的烧结性,又改善了其ρ25、耐电压Vb、PTC效应等特性,从而使产品的各种特性易于重复。烧结助剂昔日多用AST,现在常用SiO2,其加入量x宜小于2%。SiO2的纯度、杂质等化学特性,与粒子形状、粒度分布、晶系等物理特性,对PTCR热敏电阻器的电性能有很大的影响。据此提出了BaTiO3系PTCR热敏电阻器用SiO2的技术标准。 相似文献
7.
8.
研究Mg在BaTiO3瓷中的抗还原作用。采用CO、CO2还原气氛中烧结制作不同含Mg量(摩尔分数为0.05%~0.25 %)BaTiO3瓷试样。实验结果表明含Mg的BaTiO3瓷比不含Mg的BaTiO3瓷体积电阻率高8~9数量级。试样XRD谱线计算,晶胞参数a,c随Mg含量的增加而增大,电子探针显示Mg均匀分布。显微结构分析推断,Mg既固溶于A位(MgBa)又固溶于B位(MgTi),杂质缺陷结构(MgTI)的受主电离复合还原气氛产生的氧缺位(VO)的施主电离,从而大大降低了施主电离的电子浓度。因此,MgTi的存在是BaTiO3瓷抗还原的本质。 相似文献
9.
水热法合成的BaTiO3粉体具有超细、高纯等特点,从而能够使PTCR热敏电阻器的制备工艺相对简化,并有利于获得较好性能的PTCR电阻器。本文采用水热法合成的BaTiO3粉体制备PTCR陶瓷。研究了不同添加剂对材料性能及微观结构的影响。 相似文献
10.
施主浓度与 PTCR效应的关系 ,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化 ;另一方面也被很多作者所忽视。然而 ,这一关系可以在一定程度上映射出 PTCR效应的本质。海望曾指出 ,在 Ba Ti O3材料中 ,晶界上过剩施主的堆集 ,能够形成晶界层中高浓度的表面受主态 ,从而使材料 PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受 ,然而 ,我们研究了 Sm2 O3掺杂的 Ba Ti O3陶瓷中掺杂浓度与 PTCR效应的关系 ,结果表明 :随着稀土掺杂量的提高 ,材料的升阻比降低。采用其他稀土元素 ,也得到相同的结果。因此 ,PTCR效应应当来源于在铁电相变点 ,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子 ;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率 ,而不能提高 PTCR效应 相似文献
11.
本文提出了用混合烧成制取低温PTCR陶瓷材料的工艺方法,该方法和普通工艺相比,不仅降低BaTiO3陶瓷的工作温区,而且室温电阻率比普通工艺下的要小,即半导化程度比普通工艺要好。 相似文献
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
本文提出了用混合烧成制取低温PTCR陶瓷材料折工艺方法,该方法和普通工艺相比,不仅降低BaTiO3陶瓷的工艺温区,而且室温电阻率比普通工艺下的要小,即半导化程度比普通工艺要好。 相似文献
19.
通信总配线架过流保护用BaTiO_3系PTCR热敏电阻器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
针对总配线架小型化而提出的过流保护用PTCR热敏电阻器小型化的要求,研究和讨论了PTCR热敏电阻器配方材料组成和生产工艺对其性能的影响。根据行业标准YD/T 741—95,对通信总配线架过流保护用钛酸钡(BT)系PTCR热敏电阻器配方进行设计,以施主掺杂Y2O3的配方,研制出全部性能指标满足YD/T 741—95要求的、小型化过流保护用PTCR热敏电阻器。试验发现:采用掺杂Y2O3的配方,工艺稳定性好,适合大批量生产;所制备的PTCR热敏电阻器反应灵敏,耐电流强度大,阻值稳定性好。 相似文献