首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
如果将螺线管的表面电流看成是磁介质的磁化电流,那么螺线管的磁场就与介质的磁场完全相同。于是可以通过计算磁介质的磁场得到螺线管的磁场。根据公式B=μ0(H+M),磁介质的磁场或者磁感应强度可以分为两部分:一部分是磁化强度的贡献,另一部分是磁场强度。对于磁介质来说,由于没有传导电流,所以磁场强度的环路积分是零,而磁场强度对于闭合面的积分不是零。也就是说,这种情况下,磁场强度的方程与静电场电场强度的方程完全相同,因此可以用计算静电场电场强度的方法计算磁场强度,这就是处理磁场的等效的磁荷方法。利用等效的磁荷方法对矩形截面的有限长螺线管的磁场进行了讨论,给出了对称面上精确磁场的解析表达式,磁场的解析表达式中不包含积分和难以求和的级数,同时进行了数值分析。  相似文献   

2.
给出了计算圆电流在非均匀磁场中所受的安培力的两种方法:换元积分法和复变函数法,对教师在教学中处理有关的积分问题以及培养学生的计算能力有一定指导意义.  相似文献   

3.
圆形载流导线空间非近轴磁场分布解析解   总被引:1,自引:0,他引:1  
在物理学实验研究及功能材料科研领域,分析感应电炉特性、电磁悬浮冶炼、区熔提纯熔点高、活性强、易与坩埚起反应的稀土材料的稳定性,圆形载流导线空间磁场的计算与分析有重要的实际意义.在电磁学及电动力学中讨论圆形载流导体产生的磁场时,通常只给出圆电流中心或轴线上的磁感强度[1,2].对非近轴磁场的计算相对繁难,需要借助圆电流轴外场涉及椭圆积分等较复杂的数学计算,难以得到较准确的解析解.  相似文献   

4.
对于通以恒定电流的有限长螺线管,首先用柱函数展开法推导出矢势的表达式,再利用磁感应强度与矢势的关系式,得出积分形式的磁场表达式.然后用直接积分的方法计算出磁场分布的级数表达式.最后讨论了某些特殊位置处的磁场.  相似文献   

5.
韩亮  赵玉清  张海波 《中国物理 B》2008,17(2):996-1000
应用电磁场分析中的一种新方法——半解析法,对一种典型的非平衡磁控溅射系统进行了磁场分析. 结果表明,应用半解析法计算,求解变量少、方法简单,而且计算精度高,该方法相对于等效源法有严密的理论依据,标量位函数的表达式为级数解析式,有利于场强的计算,更有利于优化设计.  相似文献   

6.
李红红  王劼  郭玉献  王峰 《物理学报》2006,55(5):2633-2638
在4个方面研究了实验数据的预处理和应用加和定则中的问题.1)外磁场对样品电流法测量的吸收谱强度的影响.发现外磁场H<200×10-4T时,信号强度正比于H;当H>200×10-4T时,尽管外磁场继续增加,但信号强度基本保持不变.2)不同方向的电磁铁剩磁会导致吸收谱的分离.这种分离与入射光的偏振态和样品的磁性无关,可以通过乘以一个常数很好地消除这种分离.3)通过XPSPEAK 4.1对实验数据拟合,写出了吸收谱的解析函数.利用解析函数的积分值,建立一种相对“客观"的标准,判断在一定的实验条件下,不同的数值积分方法的准确性.4)以误差函数作为吸收谱的背景函数,建立了一套完整的X射线磁性圆二色的数据处理方法.最后用Bode积分法计算出20nm厚Co膜的轨道和自旋磁矩分别为0.141μB和1.314μB. 关键词: X射线磁性圆二色 加和定则 台阶函数 吸收谱拟合  相似文献   

7.
圆电流在圆心附近的磁场林敬与(北京航空航天大学数理系北京100083)圆电流是电磁理论中的一个重要模型,它的磁场分布可以在许多有关的书籍中找到.通常求解磁场分布的解析式,总是先求出磁矢势人然后导出磁场B(或H).一个半径为a、电流强度为I的圆电流,置...  相似文献   

8.
对于通以恒定电流的有限长厚壁螺线管,用柱函数展开法推导出矢势的表达式,再根据磁感应强度与矢势的关系式得出磁场的积分形式表达式.用直接积分的方法,计算出厚壁螺线管内部和外部的磁场分布的级数表达式.另外还用本文得出的公式求得中轴线上的磁场.  相似文献   

9.
对于通以恒定电流的有限长厚壁螺线管,用柱函数展开法推导出矢势的表达式,再根据磁感应强度与矢势的关系式得出磁场的积分形式表达式.用直接积分的方法,计算出厚壁螺线管内部和外部的磁场分布的级数表达式.另外还用本文得出的公式求得中轴线上的磁场.  相似文献   

10.
张国才  陈浩 《大学物理》2007,26(11):20-22,24
用Bessel函数积分对圆环电流磁矢势及均匀带电圆环电势作进一步的计算分析,引申出磁感应强度及电场强度新的级数表达式,分析讨论了所得结果.  相似文献   

11.
给出了圆电流磁场的级数解,讨论了解的收敛性  相似文献   

12.
Helmholtz线圈、直螺线管及圆电流磁场均匀性分析的简单公式   总被引:30,自引:6,他引:24  
采用由 Helm holtz 线圈、直螺线管及圆电流对称轴上的磁场来计算轴外磁场的方法,求得磁场均匀性的简单公式,并对计算结果进行了讨论.  相似文献   

13.
利用COMSOL"静磁场,无电流"的应用模式给出了相对放置的永磁条、具有磁回路结构的磁轭磁极、环形磁体的磁场分布图,并分析了这3组磁体的磁场和梯度情况,更关注于均匀磁场和恒梯度磁场的分布情况。  相似文献   

14.
We report a theoretical scheme using a B-spline basis set to improve the poor computational accuracy of circular Rydberg states of hydrogen atoms in the intermediate magnetic field. This scheme can produce high accuracy energy levels and valid for an arbitrary magnetic field. Energy levels of hydrogen are presented for circular Rydberg states with azimuthal quantum numbers |m| = 10--70 as a function of magnetic field strengths ranging from zero to2.35
ⅹ109 T. The variation of spatial distributions of electron probability densities with magnetic field strengths is discussed and competition between Coulomb and magnetic interactions is illustrated.  相似文献   

15.
圆电流空间磁场分布   总被引:8,自引:0,他引:8  
朱平 《大学物理》2005,24(9):13-17
在柱坐标系中,直接从磁感应强度的计算公式毕奥一萨伐尔定律出发,在更为普遍的情况下得到了圆电流空间磁场的一般分布,并绘制出磁场的空间分布图,讨论了圆电流平面上、中心轴线以及远区的磁场.  相似文献   

16.
Solutions of Grad-Shafranov(GS) equation with Reversed Current Density(RCD) profiles present magnetic islands when the magnetic flux is explicitly dependent on the poloidal angle.In this work it is shown that a typical cylindrical(large aspect-ratio) RCD equilibrium configuration perturbed by the magnetic field of a circular loop(simulating a divertor) is capable of generate magnetic islands,due to the poloidal symmetry break of the GS equilibrium solution.  相似文献   

17.
3个共轴圆线圈形成的匀强磁场   总被引:2,自引:0,他引:2  
张引科  昝会萍 《物理实验》2003,23(10):43-47
分析了3个共轴圆线圈形成磁场的均匀性,得到了3个共轴圆线圈形成匀强磁场的条件,并且通过数值计算,全面展示3个共轴圆线圈磁场的均匀性.只要合理配置3个共轴圆线圈的大小、线圈中的电流强度和线圈之间的距离,3个共轴圆线圈的磁场在强度和均匀性方面都优于亥姆霍兹线圈的磁场。  相似文献   

18.
黄勇  宣益民  李强 《计算物理》2012,29(1):87-94
建立磁场作用下水平圆管内磁性潜热型功能流体对流换热的数学物理模型,分析磁场强度、磁性相变微胶囊体积分数、流体质量流量等因素对流体对流换热的影响.磁场对磁性潜热型功能流体的对流换热具有显著的强化作用,磁场强度愈大强化作用愈明显,强化原因是磁性相变微胶囊受到磁力作用产生扰动.  相似文献   

19.
本文定义了非平面载流线圈的磁矩,计算了它在均匀磁场中所受的磁力矩,并举例计算了线圈的磁矩和磁力矩.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号