电阻丝蒸镀Si/Al膜特性及分析

用电阻丝加热蒸发，可作出合Si量为1％左右的Si／Al膜，能防止“Al钉”对结的破坏，采用适当的合金条件可作出良好欧姆接触，本文着重介绍了这种Si／Al膜的特性。     

Co—Si多层膜的透射电镜研究

本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co、Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程中硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度、薄膜的表面形态和界面特征等微结构的变化。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340—370℃退火后在Co耗尽前Co_2Si和CoSi能同时生长(三相共存)。结合XRD分析,证实了上述结果的可靠性。     

急冷Mn—Si—Al中八次准晶中的反相畴界的观察

自从在急冷的Cr-Ni-Si合金中首次发现八次对称准晶后,在急冷的Mn-Si-Al合金中也观察到了八次准晶,且后者准晶颗粒比前者大,因此可以通过衍衬方法来研究Mn-Si-Al合金中准晶相的缺陷。图A是当电子束平行于八次轴方向入射时得到的八次对称衍射谱的四分之一部份,对该谱的衍射点逐个进行暗场成象分析,结果发现衍射斑点可以分为四类(a.b.c.d)。在a类点的暗场象中看不见黑线似的反相畴界衬度,如图B和图C所示。在b类点成象的暗场象中能看到图D所示的黑线似的反相畴界的衬度,c类点的暗场象则给出图E示的反相畴界衬度。我们从图D和图E可看出,b类点的畴界衬度在c     

a—Si：O：H钝化膜

本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化非晶硅氧合金膜钝化平面晶体管,不仅明显地改善了小电流放大系数,而且放在盐水里浸几个小时后,特性不变.     

Ce—Si多层膜中铈硅化物的形成

超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(～1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。     

Al栅a—Si TFT栅绝缘膜研究

Ａｌ栅可明显降低ＡＭ－ＬＣＤ中ａ－Ｓｉ ＴＦＴ矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细分析了Ａｌ栅的阳极氧化技术，获得了适于ａ－Ｓｉ ＴＦＴ复合栅的Ａｌ２Ｏ３栅绝缘材料。     

厚膜材料和技术的发展及在MCM—C中的应用

为增强和扩展ＭＣＭ－Ｃ技术的能力，近年来已有许多种新型的厚膜材料和厚膜加工工艺被研究开发成功。充分体现这些材料，新工艺特点的各种高密度电路－－ＭＣＭ－Ｃ已经开始从研究阶段走向大批量生产阶段。本文重点介绍了厚膜材料和技术的最新发展动态及其在ＭＣＭ－Ｃ中的应用。讨论了其发展趋势。     

Pd－Ag－Si合金膜中的亚稳相

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）对Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜的亚稳相进行了研究。结果表明，真空蒸发的Ｐｄ－Ａｇ－Ｓｉ合金膜由粒度均匀的纳米晶粒组成，具有ｆｃｃ结构。经不同温度退火后，在薄膜的局部区域析出了未知结构的亚稳相。利用电子衍射图确定了这些亚稳相的结构。     

沉积条件和内应力对a—Si：H膜光致发光谱的影响

实验研究表明,a-Si:H薄膜的光致发光谱随沉积条件,内应力的变化十分敏感。当射频功率、偏压及内应力增大时,发光峰值能量向低能方向移动,半宽带展宽,并且发光强度略有下降。文中对这些实验结果进行了解释。     

高空穴迁移率P沟道a—Si TFT

掺氢非晶硅(a-Si∶H)低空穴迁移率的问题已经通过控制膜中的氢含量而得到了解决.利用游离基控制法已经制备了具有低氢含量的a-Si膜,该法借助SiF_4和H_2混合物的辉光放电,并控制各反应成份的滞留时间.MOSFET样品表明空穴迁移率为0.12cm~2/Vs,电子迁移率为0.24cm~2/Vs.这为a-Si CMOS电路的可行性提供了论据.     

a—Si：H光导成像器件

利用a-Si:H膜的光电导灵敏性可记录图像信息。目前正在研制中的实际器件有a-Si:H靶摄像管和用a-Si:H作光感受器的静电成像器件等。 一、a-Si:H静电成像器件 静电成像技术有广泛的应用,如用于传真印刷、计算机数据记录等自动化终端设备中,也可用于X射线图像显示及通常的静电复印机中。 a-Si:H薄膜静电成像器件采用干成像原理,包括三     

Si间隔层对Al(1wt.%Si)/Zr极紫外多层膜热稳定的作用研究

为了提升Al/Zr多层膜的热稳定性,采用直流磁控溅射方法制备了18个带有不同厚度Si间隔层的Al(1 wt.%Si)/Zr多层膜,并将这些样品分别进行了不同温度(100~500 ℃)的真空退火,退火时间为1 h.利用X射线掠入射反射(GIXR)和X射线衍射(XRD)的方法来研究Si间隔层对Al/Zr多层膜热稳定性的作用.GIXR测量结果表明:随着Si间隔层厚度的增大,Al膜层的粗糙度减小,而Zr膜层的粗糙度增大;XRD测量结果表明:Al和Zr膜层粗糙度的变化是由于退火后膜层中晶粒尺寸不同造成的.相比于没有Si间隔层的Al/Zr多层膜,引入厚度为0.6 nm的Si间隔层可以有效提升Al/Zr多层膜的热稳定性.     

多层W—Si薄膜及其与GaAs衬底间的界面特性

本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。