不同[Cu]/[In]比例的CuInS2薄膜的特性

采用连续离子层吸附与反应方法在玻璃基板上按照不同[Cu]/[In]的比例制备了CuInS₂薄膜,并在400 °C退火30 min. 对薄膜的晶体结构和晶粒尺寸用X射线衍射方法进行了表征,原子力显微镜测定薄膜的表面形貌. 研究不同的[Cu]/[In]比例对薄膜光学和电学性能的影响. 采用直流两探针法在300～470 °C测定CuInS₂薄膜的电阻率,随着[Cu]/[In]比例的增加,电阻率值越来越低. 溶液中[Cu]/[In]的比例明显影响CuInS₂薄膜的结构、电学和光学特性.     

球坑仪及其应用

一、引言球坑仪是一种用机械方法测量固体薄膜和涂层厚度的仪器.测量的范围在0.5μ50μ之间最为合适.用这种方法测量薄膜厚度无论是透明膜或不透明膜毋须知道其薄膜的折射率或所用光波的波长,并且测得的厚度是绝对值.它既可测量光学膜亦可测量电学膜、半导体薄膜、金属膜或非金属膜的厚     

基于不同衬底的五氧化二钒薄膜光电特性

利用射频磁控溅射方法,在红外石英、蓝宝石和光学单晶金刚石上制备了氧化钒薄膜,然后对其结构与厚度、表面形貌、电学及光学性能进行了表征。实验结果表明,制备出的薄膜均为单一组分的V_2O_5薄膜,在(001)面有明显的择优取向,单晶金刚石衬底的薄膜结晶度和表面形貌最好;电学性能方面,金刚石衬底的薄膜相变温度最低经历的温度范围也最小,电学突变性能最为优异;光学性能方面,蓝宝石和金刚石衬底的薄膜光关闭时间均非常短,低于2.5 ms,回复时间在30 ms左右;单晶金刚石衬底的薄膜相变前后透射率比值为10.3,表现出了非常显著的光学突变性能。     

基于磁控溅射与退火工艺制备的纳米结构VO2薄膜特性的研究

氧化钒（VOx）根据不同价态表现出不同的电学特性,其电学和光学特性还与薄膜的结构有关。通过不同的沉积方法,可以得到不同态的氧化钒。目前制备氧化钒薄膜的方法有真空蒸镀、溅射、气相沉积和溶胶-凝胶法等。适当改变制备条件可以制得不同结构的氧化钒薄膜,这种结构对薄膜的性能会产生明显的影响。     

薄膜测厚仪

许多物理实验要用很薄的膜,如薄靶、薄吸收片、薄窗等,并且要知道所用薄膜的厚度(或面密度)。测量薄膜厚度的方法有称重方法、光学方法、电学方法和放射性方法等。这些方法适用于测量不同厚度的薄膜,准确度也不同。我们制备了一台简便的α粒子薄膜测厚仪,并且用它测量了厚度从10微克/厘米~2到数百微克/厘米~2的VYNS有机薄膜的厚度(VYNS是氯乙烯和醋酸乙烯的共聚物)。     

衬底温度对氧化锌薄膜电学性质的影响

氧化锌是一种性能良好的半导体材料,可以用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料,主要研究了用磁控溅射方法在不同衬底温度下生长ZnO薄膜的电学特性,分析了ZnO薄膜的电阻率和击穿场强随温度的变化关系。     

常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质

用常压MOCVD在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了氧化锌 (ZnO)薄膜。用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射 /沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光性能和电学性能。AFM分析结果显示 ,薄膜呈六角柱状结晶 ,表面平整 ,粗糙度 (RMS)为 6 .2 5 7nm ,平均晶粒直径达 1.895 μm。室温PL测量该样品在 380nm处有很强的近带边发射 ,半峰全宽为 15nm。使用Hall测量检查了薄膜的电学性质。室温下该样品的载流子浓度为 2× 10 17cm-3 ,迁移率为 75cm2 ·V-1·s-1。用X射线双晶衍射和卢瑟福背散射 /沟道效应研究了薄膜的结晶质量 ,样品的双晶衍射ω扫描半峰全宽为 0 .0 4° ,沟道效应的最小产额比χmin为 3.1%。     

纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性

采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差,电学相变温度为63 ℃,高于光学相变温度,60 ℃;电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽;在红外光波段,随着波长的增加,纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大,由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高,相变持续的温度宽度变窄。在红外光波段,纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控,电学相变特性更适合表征纳米VO₂薄膜的半导体-金属相变特性。     

表面预处理对氧化锌薄膜质量的影响

用MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜。生长前衬底表面进行预处理,观察不同表面预处理对ZnO薄膜质量的影响。测量氧化锌的XRD谱,观察表面预处理后对氧化锌薄膜结晶质量的影响。室温下用325nm的He-cd激光器作为激发源测量ZnO薄膜的紫外发光谱,观察表面处理后对ZnO薄膜发光特性的影响。用HL5500 Hall System分别对ZnO薄膜的电学特性进行了测试。得到了ZnO薄膜的电阻率和霍尔迁移率,并得到氧气气氛处理后电阻率变小,霍尔迁移率变大;氮气气氛射频处理后电阻率变大,霍尔迁移率变小的结果。     

PbTiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/PbTiO3夹心结构铁电薄膜子晶层的优化

用Sol-Gel法制备了Pb(1 x)TiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/Pb(1 x)TiO3(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜,为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜,使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO3 (PT)层进行制备,以获得优化的PT子晶层.X射线衍射和原子力显微镜分析结果表明PT层中过量Pb配比(x)对薄膜的微结构影响很大,只有PT层中Pb过量配比x＝0.10-0.15的薄膜为表面晶粒大小均匀致密的纯钙钛矿结构.X射线电子能谱对薄膜微区进行元素成分分析表明,对x=0.00的薄膜,在表面和界面处Pb明显的缺乏;而x=0.20时的薄膜,Pb则明显的过量.薄膜的铁电性能、疲劳特性和漏电流特性等电学性能与PT层中过量Pb配比(x)没有明显的变化趋势,但与薄膜的结晶性能密切相关.结晶性能较好的薄膜,其电学性能也较好.说明PT层中过量Pb配比(x)是通过影响PT子晶层自身的结晶,而影响整个薄膜的结晶行为,并进一步影响到整个薄膜的电学性能.因此,在其他工艺参数都相同时,PT层中合适的过量Pb配比应为x=0.10-0.15.优化的子晶层不仅能获得结晶性能较好的薄膜,而且薄膜的电学性能也好.     

氨处理溶胶-凝胶SnO2薄膜的光学性质

采用溶胶－凝胶法制备ＳｎＯ２薄膜,通过对薄膜的不同处理方式（热处理和氨处理）所获得的ＳｎＯ２薄膜的比较,研究了氨处理ＳｎＯ２薄膜的光学性质。实验结果表明氨处理溶胶－凝胶ＳｎＯ２薄膜不仅具有良好的增透特性,同时也具有较好的机械强度和电学性能。     

脉冲溅射V2O5薄膜结构和性能研究

V2O5薄膜具有很好的离子注入/退出可逆性,是最有潜力的锂离子储存层的候选材料之一,它的电学特性与制备方法、化学计量比、结构和取向等有直接关系,仔细控制工艺参量是制备出在锂电池上应用的V2O5薄膜关键。研究中采用脉冲磁控反应溅射方法,通过精确地控制氧分压、基底温度等关键工艺参量,在石英玻璃和硅片上制备V2O5薄膜。利用X射线衍射和X射线光电子谱,分析了薄膜的成分、相结构、结晶和价态情况,用原子力显微镜表征了薄膜的微观结构,用分光光度计测量从200—2500nm波段V2O5薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好。高低温电阻变化2个量级,薄膜的光学能隙为2.46eV。     

MSM结构ZnO/Cu薄膜的接触特性

利用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(111)衬底上分别生长了ZnO薄膜和Cu薄膜, 用Cu薄膜作电极,研究了ZnO薄膜与Cu薄膜的接触特性。分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和I-V测试的方法对样品的晶体质量、结构和电学性质进行了测试。结果表明:样品中ZnO薄膜和Cu薄膜均具有高度的择优取向;当Cu和 ZnO直接接触时,样品的I-V特性是非线性的;当Cu和 ZnO之间通过ZnO:Cu层间接接触时形成良好的欧姆接触,而且退火后欧姆接触性能明显提高,电阻率降低约2/3。本研究为价格低廉的Cu电极成为ZnO基器件的欧姆电极提供了一定的依据。     

Langmuir薄膜及其应用前景

Langmuir薄膜近年来引起人们越来越大的兴趣。由于这种薄膜制备方式上的特点,使之具有其他薄膜技术无法实现的独到之处。本文对这一薄膜的制备方法、结构,电学性质、光电导和能量传递以及应用前景等几方面给予综述。     

热处理方式对ZAO薄膜结构以及电学性质的影响

采用溶胶-凝胶旋转涂敷方法在普通玻璃衬底上生长ZAO薄膜.每涂敷1层薄膜,都要在一定的温度下对薄膜进行1次热处理,连续涂敷7层,最后再对部分薄膜在600℃的马弗炉中退火2h.采用X射线衍射和薄膜电阻率分别来表征涂敷薄膜的结构特征和电学特性.实验结果表明:每次涂敷薄膜后所设定温度的大小以及最后是否再对薄膜进行退火处理直接影响着制备薄膜的结构特征和电学性质.     

柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性(英文)

以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性。实验结果表明,随着生长温度(低温下)的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善。当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度(5.62×1019cm-3)和电子迁移率(28.2 cm2·V-1·s-1)。     

利用MOCVD技术生长As掺杂的p-ZnMgO薄膜

利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析.结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性;...     

近距离升华沉积CdTe掺Cd薄膜的微结构和电学、光学特性

采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性,由弱的p型电导转变为导电性能良好的n型电导,但对光能隙影响不大. 关键词： 近距离升华 CdTe薄膜 掺杂Cd 电学和光学特性     

溅射光学膜

<正> 制备固体薄膜的方法很多,其中真空蒸发和溅射是两种主要的方法,电子工业的迅速发展刺激了溅射技术的发展。三极溅射和四极溅射的出现,使溅射薄膜的质量和再现性均有提高。高频溅射更把溅射技术提高到一个新的水平。溅射技术主要应用在电学薄膜中,近十年来,在溅射光学介质薄膜方面也做了一定的工作。     

VO2热致变色薄膜的结构和光电特性研究

用磁控溅射方法制备了VO₂热致变色薄膜.用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜的宏观及微观结构进行了分析，表明VO₂薄膜纯度高、相结构单一、结晶度好.薄膜的光透过率在2000nm处相变前后改变了42%，高/低温电阻率变化达到三个数量级以上.薄膜的光透过谱和相变过程中电学性质变化的研究与结构分析结果相一致. 关键词：