在等离子体中镁离子谱线MgⅡλ4481?的宽度和位移

本工作测量了MgIIλ4481?(3²D—4²F)在电子数密度为7×10¹⁶—3.1×10¹⁷电子数/cm³范围内的谱线轮廓和位移。采用振荡型电容放电作为光谱光源。在光源中引入水汽,由测量H_β谱线宽度来定电子数密度。观测结果指出,H_β的实验轮廓和Griem-Kolb-Shen的计算结果符合颇好。实验发现MgIIλ4481?谱线向紫方位移,并正比于微观电场的平方;由此定出一个经验上的二级斯塔克效应常数C₄=5.0×10^-14cm⁴/sec。该谱线的轮廓宽度和标准微观电场之间也有平方正比的关系。发现在本实验条件范围内,宽度和位移的比值γ/△保持为常数,其值为γ/△=10.4±0.6。由于谱项4²D的二级斯塔克效应的干扰而产生上能级4²F位移的理论计算虽能说明谱线位移和微观电场间的平方正比关系,但数值偏小于实验结果,指出还有电子贡献的部分。把光谱线的宽度和Lindholm理论公式及Griem等的近似公式作了比较;简单的估计指出,实验结果和后者符合较好。     

OSA光学光谱分析仪用于激波管光谱的线性研究

本文对光学光谱分析仪OSA WP-4系统做了一般介绍,对该系统用于研究激波管光谱的优点和特点做了分析。在激波管不同的状态下,对研究气体(Ar+H_2),用OSA WP-4系统在快门和直流累积光辐射条件下,得到了H_α、H_β线的清晰光谱线轮廓;对H_β线形进行了测量分析,得到了半宽度△λ_(1/2)和峰峰间距△λ_(pp)及其它们之间的关系;也得到了△λ_(pp)与电子密度n_e之间的关系;实验结果与国外结果做了对比,并进行了分析讨论,取得了一些基本看法。实验证明:OSA WP-4系统特别适宜于研究高速瞬态和弱光源的光谱辐射和动力学过程。     

CdS/HgS/CdS球状纳米系统高能级斯塔克线度效应

研究了在层间作用和电场作用下球状纳米系统的电子能量和波函数.以CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,讨论了层间作用、电场和样品线度对高能级斯塔克效应以及谱线频率和强度的影响.结果表明：CdS/HgS/CdS球状纳米系统在外电场作用下发生斯塔克效应的能级分裂规律与氢原子类似,但能级位移量不同.谱线频移与电场强度的平方成正比,多数谱线的频移随线度增大而减小,少数谱线的频移则相反;而层间作用引起谱线的频移随线度增大而减小.除少数谱线外,多数谱线的相对强度随线度增大而减小,层间作用不会改变相对强度随线度的变化趋 关键词： CdS/HgS/CdS球状纳米系统 斯塔克效应 谱线频率 谱线强度     

H2O分子泛频振动谱的半导体激光检测

本文使用0.82μmAlGaAs激光二极管(LD)观测H_2O分子(0,0,0)—(2,1,1)泛频振动吸收谱,获得822.6～823.2 nm波长范围内H_2O分子26条泛频吸收谱线.其中,检测谱线的最小吸收系数α_(min)～3×10~(-6)cm(-1),对α～1×10~(-4)cm~(-1)谱线所获得的信噪比(SNR)约60.本文还观测了气体压强对泛频谱线形、线宽的影响,测量了泛频谱线的压强增宽系数β_p～0.128MHz/Pa.     

YAG晶体色心的EPR谱

本文描述了8种YAG样品的室温和77K的EPR谱.从这些谱的参数与光谱的实验数据对照,认为晶体中有三种顺磁性的色心,其中g～2.00和g～1.98两条顺磁谱相应于光谱2×10~4cm~(-1)～3.4×10~4cm~(-1)的吸收带,为YAG基质晶体中的缺陷俘获一个电子构成的电子型缺陷中心;而 g～30.60的顺磁谱线与氧空位和掺杂的金属离子Mg~(2+) 、Cr~(3+)有关,推测为氧空位团或氧空位与金属离子构成的S>1/2的复合顺磁中心缺陷.YAG晶体随着在大气氛中高温退火,氧的进入和金属离子的掺入,造成电子和空间体积的不平衡,从而使晶体色心浓度加大.     

球状纳米系统高能级斯塔克效应和谱

以三层CdS/HgS/CdS球状纳米系统为例,研究了在电场和层间作用下球状纳米系统高能级斯塔克效应的能级分裂规律以及谱线的频率、强度和自发幅射系数的线度效应. 结果表明,系统的斯塔克效应在只有电场时,能级是按1,3,…,(2n—1)的规律进行分裂,与氢原子类似;有电场和层间同时作用时,能级是按1,4,…,n²的规律进行分裂. 量子跃迁时各谱线的频率均随系统线度增大而减小,除少数谱线外,多数谱线的强度随线度增大而减小,而自发幅射系数随线度增大而增大;电场会引起谱线的频率发生改变,其谱线频移量与电场强度的平方成正比;除少数谱线外,电场和层间作用引起的谱线频移量均随线度增大而减小;层间作用会使电子的能级稍有降低,稍微增大谱线的强度和自发幅射系数值,但它不会影响谱线的频率、强度和自发幅射系数随线度的变化趋势,在线度较小时层间作用的影响才显著.     

柱状锗等离子体状态的时空分辨诊断

在四靶串接X光激光实验中,用时间分辨晶体谱仪记录了类Ne锗共振线及其类Na伴线的时间扫描特性。测出了这些谱线的辐射持续时间(FWHM)约为0.95ns。考察了锗等离子体电子温度T_e随时间的演化,观测到T_e≥400eV的维持时间大于1.2ns。用空间分辨晶体谱仪诊断得到锗等离子体电子温度T_e和电子密度n_e的轴向分布,其平均值T_e=4.9×10~2eV,n_e=1.2×10~(20)/cm~3。     

13MeV质子对Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导薄膜的低温辐照效应

用不同通量的13 MeV 质子束照射了 Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O 超导薄膜,引起了电阻率ρ、T_c、T_(offset)(超导电阻完全转变的温度)和转变宽度△T_c 的明显变化.在照射通量≤2.8 ×10~(15)H~+/cm~2下,T_c 和 △T_c 没有变化,而ρ随通量的增加而超线性地增加,在通量为1.3×10~(17)H~+/cm~2时,T_(offset)和 △T_c 发生急剧的变化,这意味着超导晶粒间的相耦合被完全破坏了.被最大照射通量2.5×10~(17)H+/cm~2照射过的薄膜经室温退火后,T_(offset)和△T_c,几乎完全恢复了,但ρ仍然没有变化.     

非晶锂离子导体B_2O_3-Li_2O—LiCl一Al_2O_3中VO~(2+)的电子自旋共振

两种非晶锂离子导体B_2O_3-0.7Li_2O-0.7LiCl-xAl_2O_3-0.1V_2O_5(x=0.05和0.15)的电子自旋共振谱研究表明:(i)ESR线型是高斯型,证实V_2O_5添加量适当;(ii)超精细结构来源于VO~(2+)络离子,具有四角对称性,属C_(4v)群。越精细耦合张量的平行分量平均值A_∥=0.0175cm~(-1),垂直分量A_⊥=0.0063cm~(-1)。由g_∥(g_⊥)求出其基态~2B_(2g)与第一激发态~2E_g的能级间距△_1=2.46×10~4cm~(-1),基态与第二激发态~2B_(1g)的能级间距△_2=3.03×10~4cm~(-1);(iii)变温实验证实:Al_2O_3组分较少(x=0.05)的非晶ESR强度比x=0.15的非晶高3倍至2倍,而Al_2O_3组分越多则ESR强度随温升下降越小。     

HL—1装置边缘扰动特性研究—静电探针方法

本文针对HL-1托卡马克边缘等离子体扰动特性做了详细的研究。在低频范围内(2πω≤200kHz《ω_(ci)),装置边缘扰动为湍流扰动。孔栏附近悬浮电位扰动的相对量和密度扰动的相对量分别为40％和30％。频率较低时(2πω≤75kHz),扰动的相关性较强;频率较高时(2πω≥125kHz),相关性下降或呈现下降趋势。实验中还发现,在等离子体刮削层的扰动频谱宽度要大于等离子体柱边缘的谱宽度。最后，文中给出了粒子输流Γ随径向的分布，其值约在1.0×10~(16)cm(-8)、s~(-1)量级。由Γ值可心得到扩散系数经为D≈1.2×10~4cm~2·s~(-1),可以同玻姆扩散系数D_Bohm ≈1.0×10~4cm~2·s~(-1)进行量级上的比较。     

SrCl_2:Co~(++)EPR谱电场效应的理论解释

本文从理论上研究了[111]方向电场对SrCl_2:Co~(++)的EPR谱的影响。结果表明:外电场使晶格发生畸变而偏离原来的O_h对称,成为C_(3v)。由此圆满地从理论上解释了零场分裂因子D随电场强度E线性变化的实验规律,并从理论上预言了晶格在平行电场方向的变化率为α=—8×10~(-5)α_0 mm/kV,在垂直电场方向的变化率β=1.66×10~(-4)α_0 mm/kV(α_0为Bohr半径,以下同)。     

α-Al_2O_3单晶中Fe~(3+)离子的电子顺磁共振

本文对α-Al_2O_3单晶体中Fe~(3+)离子在室温下,X波段进行了电子顺磁共振研究,发现Fe~(3+)离子实际上占据四种磁性不等价晶位。在同一氧离子层间的两种晶位上的Fe~(3+)离子具有相同的自旋哈密顿参量,而不同氧离子层间的晶位上的Fe~(3+)离子具有不同的自旋哈密顿参量,两种自旋哈密顿参量为:(1)g=2.001,g=2.003,D=1679×10~(-4)cm~(-1),|α|=237×10~(-4)cm~(-1),α—F=317×10~(-4)cm~(-1);(2)g=2.001,g=2.006,D=1660×10~(-4)cm~(-1),|α|=243×10~(-4)cm~(-1),α—F=338×10~(-4)cm~(-1)。     

Raman紫外双共振研究C_2H_2分子的碰撞转动弛豫

本文利用受激Raman抽运,选择性地制备了C_2H_2分子电子基态的红外非激活振动能级的单一转动态(X~1∑~+,v″=1,J″=9,11,13),并从紫外激光诱导的A~1Au(v′=1)←X~1∑~+(v″=1)荧光谱,直接测定上述三个转动态的C_2H_2—C_2H_2碰撞的消激活速率常数,它们分别为(7.96±1.04)×10~(-10),(8.79±0.97)×10~(-10),(8.76±0.88)×10~(-10)cm~3~(-1),以及由这些初始转动态向其它不同转动态(v′=1,J′=1,3,5,7,9,11,13,15)多量子跃迁转移的激活速率常数。     

中子辐照对熔融织构YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体磁学性能及微观组织的影响

本文研究了中子辐照对熔融织构生长(MTG)YBaCuO 超导样品磁学性能及微观组织的影响.采用了两种辐照剂量:2.3×10~(16)n/cm~2和1.16×10~(17)n/cm~2.通过比较辐照前后样品磁滞回线,发现临界电流密度明显提高,在77K、0.1T 磁场下,临界电流密度达到4.7×10~5A/cm~2,此辐照前样品的临界电流密度提高了几十倍.通过观察辐照前后不可逆线 T~*(H)的变化,发     

CaOH自由基A-X(100)-(000)跃迁的激光激发荧光光谱研究及其转动温度测量

本文报道了CaOH自由基A-X(100)-(000)跃迁的激光激发荧光光谱研究结果。对约100条转动谱线进行了归属,并用最小二乘方拟合得出A~2H_(1/2)(100)态的 B’=0.337097(10),D＇=0.377(5)×10~(-6),P=一0.04039(2)cm~(-1)。由这些转动谱线的相对强度还推导出CaOH自由基X~2∑态的转动温度T_R=308K。     

HL-1装置边缘区的电探针测量

用一个可移动的静电双探针获得了HL-1装置边缘区电子温度T_e,电子密度n_e的时空分布。实验测得孔栏边缘处T_e和n_e。分别约为12eV和3×10~(11)cm~(-3),n_e沿小半径方向的径向梯度约4.7X 10~(11)cm~(-3);在等离子体边缘区,n_e,T_e的e倍衰减特性长度分别约为20mm和27mm,在删削区内,λ_n,λ_T急剧减小。粒子的横向扩散系数与玻姆系数同量级。     

Stark线形与ICF等离子体诊断

本文理论计算了ICF等离子体中离子或原子的发射谱线线形函数,该线形主要是由Stark效应产生的.我们的研究表明该谱线线形函数的宽度随电子温度变化很缓慢,而随电子密度变化很敏感.结合局部热动平衡理论,并利用实验测量的氩(Ar)和硫(S)的α线与β线的线强比,分别估算出等离子体的电子温度为885 eV和793 eV.通过理论计算的Stark线形函数与ICF实验谱线的比较,估算出ICF等离子体的电子密度Ne=1.0×1024.     

充蜡稳定超导螺线管的实验研究

本文总结了充蜡超导螺管的实验研究工作.大量实验证明,石蜡充填可使大电流密度、密绕的超导螺管达到或接近短样性能.最大被试磁体的绕组内径为400mm,储能约3×10~3J,最强场约5.2忒,超导体电流密度为9×10~4A/cm~2,总电流密度约2.2×10~4A/cm~2.多次热循环后磁体性能稳定.     

掺TiNb3Sn超导性能改善机制研究

在 Nb/Cu 挤压管法制备的多芯 Nb_3Sn 超导复合线中添加合金元素 Ti 使其超导性能特别是在高场下的临界电流密度 J_c 得到显著改善.T_c 值提高约0.3K,H_(c2)(0)值提高到大约29Tesla,在4.2K_2 15T 和20T 脉冲背景磁场下(脉冲上升时间为10ms),J_c(Nb_3Sn)值分别达到4.4×10~4A/cm~2和3.3×10~4A/cm~2.在实验事实基础上,认为在低温下(<43K)掺适量Ti 元素的 Nb_3Sn 会发生部分马氏体相变,并用此观点结合磁通钉扎基本原理,对掺适量 Ti元素 Nb_3Sn 超导性能显著改善的事实进行解释,得到了一个改善掺适量 Ti Nb_3Sn 超导性能的可能机制.     

感应磁场压缩下氢等离子体中巴耳末系谱线的斯塔克加宽

本工作研究感应磁场压缩下,氢等离子体中的巴耳末系谱线的斯塔克加宽。电容器对围绕在放电管外部的线圈放电,产生交变轴向磁场,使放电管中氢气离化、压缩与加热。放电周期14微秒,放电电压20千伏,最大电流165千安,初始工作气压2.0×10^-1毫米汞高。用照相方法研究H_β和H_γ的轮廓。这些谱线有显著的加宽。在整个发光阶段中,H_β的平均半宽度为14—16(埃),H_γ为18—19(埃),相应的离子密度为1.7—2.5×10¹⁶厘米^-3。实验轮廓与Griem,Kolb和Shen的理论较为接近,与Holtsmark理论相差较远。光电测量进一步表明:H_β的轮廓随着时间而改变,相应的离子密度亦在改变。在放电的第三半周期初级电流极大时,离子密度最大,达到3.2×1O¹⁶厘米^-3,为初始氢原子密度的2.2倍。