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后摩尔时代的封装技术 总被引:2,自引:1,他引:1
童志义 《电子工业专用设备》2008,37(9)
综述了进入后摩尔时代半导体业界面临制造技术极限的挑战所进行的各种应对措施的现状,着重介绍了叠层封装、系统级封装、晶圆级封装、硅通孔技术等一些新型的三维垂直封装技术在电子电路集成方面的进展及高密度3D芯片封装的前景。 相似文献
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3D封装的发展动态与前景 总被引:8,自引:2,他引:6
3D封装是手机等便携式电子产品小型化和多功能化的必然产物。3D封装有两种形式,芯片堆叠和封装堆叠。文章介绍了芯片堆叠和封装堆叠的优缺点、关键技术、最新动态和发展前景。 相似文献
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认为通过封装技术的发展创新延续摩尔定律,满足未来通信芯片及消费性电子的需求已成为业界新的热点。介绍了3D封装技术发展现状与优势,提出"高带宽、高性能、大容量、高密度"通信网络芯片对3D封装技术有迫切的应用需求,并深入分析了堆叠封装技术如何解决400G网络处理器(NP)所面临的瓶颈问题。建议中国芯片产业链应协同合作,从整体上推动IC产业的发展。 相似文献
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目前电子产品正朝着高集成化、多功能及微型化方向不断发展。堆叠封装(PoP)作为一种新型3D封装技术,在兼容现有的标准表面贴装技术(SMT)的基础上能够实现不同集成电路在垂直方向上堆叠,从而能够提升封装密度,节省PCB板组装空间,缩短互连线路长度。该技术已从初期的低密度双层堆叠发展至当前的高密度多层堆叠,并在互连方式与塑封形式等封装结构及工艺上不断改进,以适应高性能电子产品的发展需求。通过对PoP上层与下层封装体结构及其封装工艺的近期研究成果进行综述,对比分析它们的各自特点与优势,并展望PoP未来发展趋势。 相似文献
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本文从应用的观点出发简要介绍了各种封装技术在新世纪中的发展趋势。论述了如CSP、BGA 及倒装芯片等先进封装技术在微电子工业中所发挥的重要作用。 相似文献
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介绍了在传统的摩尔定律发展速度受阻的形势下以及在封装技术的驱动下,特别是先进的TSV互连和3D堆叠三维封装技术创新的应用,"后摩尔定律"对半导体技术产业的发展产生了强大推动力。为了适应中段制程的来临,应对新兴封装技术的挑战,满足不同工艺阶段的封装需求,各封装工艺设备的性能也在不断地创新和提高,工艺被更多地物化在设备之中,涌现出了许多提供"总体解决方案"的封装工艺设备。最后对封装设备行业加强技术创新,实现跨越式发展提出了几点看法。 相似文献
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微电子封装中芯片焊接技术及其设备的发展 总被引:10,自引:2,他引:10
葛劢冲 《电子工业专用设备》2000,29(4):5-10
概述了微电子封装中引线键合、载带自动键合、倒装芯片焊料焊凸键合、倒装芯片微型焊凸键合等芯片焊接技术及其设备的发展 ,同时报告了世界著名封装设备制造公司芯片焊接设备的现状及发展趋势。 相似文献
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对于3D互连、圆片级封装(WLP)和先进的MEMS器件的圆片键合,精密对准是一项关键技术,不同的MEMS,常常包含双面加工处理,而IC和CMOS制造业则只利用单面加工处理步骤,因此,圆片到圆片的对准必须使用设置在键合界面(也就是面对面)中的对准标记。论述了面对面对准方法的主要步骤,最新结果报导,用一种特殊开发的对准系统获得了≤1μm的对准精度。设备主要是为圆片对圆片的对准和键合而设计。 相似文献
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随着集成电路日新月异的发展,当半导体器件工艺进展到纳米级别后,传统的二维领域封装已渐渐不能满足电路高性能、低功耗与高可靠性的要求。为解决这一问题,三维封装成为了未来封装发展的主流。文章简要介绍了三维封装的工艺流程,并重点介绍了硅通孔技术的现阶段在CSP领域的应用,以及其未来的发展方向。 相似文献
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封装技术是IC产业中非常重要的一环,多种新型封装形式对封装材料提出了更高的要求。简要介绍了用于IC封装的树脂材料的发展动向。 相似文献
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J. Van Olmen C. HuyghebaertJ. Coenen J. Van AelstE. Sleeckx A. Van AmmelS. Armini G. Katti J. VaesW. Dehaene E. BeyneY. Travaly 《Microelectronic Engineering》2011,88(5):745-748
In this paper we will highlight key integration issues that were encountered during the development of the 3D-stacked IC Through Silicon Via (TSV) module and present solutions to achieve a robust copper TSV. Electrical performance of the obtained TSV module is discussed based on a lumped RC model for 3D ring oscillators containing TSVs between bottom and top tiers. 相似文献
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Richard Hollman 《电子工业专用设备》2012,41(3):17-19
在晶圆双面及孔的侧壁用一种简单的工序电沉积金属的能力,在先进封装和某些工艺中提供了一些基本的优势。双面电镀样机硬件已经过用配置垂直电镀槽的生产型ECD装置的试验。这种工艺已经成功地在几种不同的金属和多种应用中得以展示。 相似文献