DETA对γ—FeOOH制备过程的影响

在以ＦｅＳＯ４和ＮａＯＨ为原料制备铁黄时,反应初期加入ＥＤＴＡ能诱导γ－ＦｅＯＯＨ的生成。当初始反应液中ＥＤＴＡ的浓度大于某一临界值Ｃ＾＊时,才能得到纯γ－ＦｅＯＯＨ,且Ｃ＾＊随碱比和温度的升高而增大。γ－ＦｅＯＯＨ粒子成核期内Ｆｅ（Ⅱ）／Ｆｅ（Ⅲ）＝２,ＥＤＴＡ分子中以一定距离分隔的２个羧基是诱导γ－ＦｅＯＯＨ粒子成核的关键基团,由于聚丙烯酸分子的聚软性,其也可以诱导γ－ＦｅＯＯＨ的生成。     

氧化硅包敷对铁黄脱水过程的影响

本文采用ＤＴＡ、ＴＧ、ＨＴＸＴＤ和ＴＥＭ研究了ＳｉＯ２包敷ａ－ＦｅＯＯＨ粒子的脱水过程。从ＤＴＡ和ＴＧ曲线算得的动力学参数表明，ＳｉＯ２包敷ａ－ＦｅＯＯＨ粒子的脱水过程近似为一级反应，其活化能大于未处理的ａ－ＦｅＯＯＨ粒子的活化能。     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

相转变—微波法制备匀分散α—Fe2O3胶体粒子

用相转变－微波法制备了均分散α－Ｆｅ２Ｏ３胶体粒子。实验表明,采用微波辐照并加入ＣＴＡＢ表面活性剂,可有较短时间内,制备出均分散的α－Ｆｅ２Ｏ３胶体粒子。所得粒子呈均分散的假立方体,比常法制得的粒子小,产率高。讨论了微波辐照和不同的表面活性剂对粒子形状的影响,得出ＣＴＡＢ阳离子表面活性剂有利于均分散α－Ｆｅ２Ｏ３假立文体的形成。用时间分辨ＴＥＭ和ＦＴＩＲ对粒子的形成过程进行了研究,认为在粒子成长过     

用LB膜技术组装α—Fe2O3超微粒的研究

用超声分散的方法将α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒分子用于硬脂酸／正己烷／氯仿溶液中，用ＬＢ膜进行有序组装。结果显示：α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒能均匀地分散在有机溶剂中，α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒／硬脂酸单分子膜的成膜性能良好，复合膜中的α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒有一定的有序性，α－Ｆｅ２Ｏ３超微粒硬脂酸复合ＬＢ膜具有层状结构。     

γ—Fe2O3磁粉微结构的X射线衍射研究

本文通过分析由Ｘ射线衍射和透射电子显微镜所得到的粒子大小和ＢＥＴ法测量的比表面积的关系，研究了有代表性的几中商用γ－Ｆｅ２Ｏ３磁粉粒子的微结构。Ｘ射线衍射线加宽法测得的氧离子亚晶格畴尺寸反映了组成针状态粒子的微晶或嵌镶晶块的大小。对于微孔型多晶粒子，准球状微晶链合形成球链状结构；对于微缝型单晶粒子，取向准桎状晶块链合成形成竹节状结构。     

衬底对YBa2Cu3O7-δ单晶超导膜荧光光谱的影响

本文报道的在Ｚｒ（Ｙ）Ｏ２和ＬａＡＩＯ３两种衬底上制备的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ单晶膜的荧光光谱。样品用原位中空柱状阴极直流磁控溅射法制备。结果表明,随衬底材料的不同呈现不同的荧光光谱分布。沉积在Ａｒ（Ｙ）Ｏ２上的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．８５ｅＶ,而沉积在单晶ＬａＡＩＯ３衬底上ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ膜的主峰位于２．１２ｅＶ处,前者由３．０ｅＶ和２．８０ｅＶ两个峰组成,改变激发能可以使它们分离;升高衬底温度出现低能峰,后者为单峰,峰值位置不胡激发能的变化而改变,地结果进行了讨论。     

纳米固体超强酸SO2 -4/Fe2O3的红外光谱研究

由纳米α－Ｆｅ２Ｏ３的前驱体,经一定的ＳＯ＾２－４离子的浸泡制得ＳＯ＾２－４／Ｆｅ２Ｏ３纳米固体超强酸。分别测定了在不同的温度下、不同ＳＯ＾２－４含量和不同焙烧时间三种状态下的红外吸收光谱（ＩＲ）,就其对乙酸乙酯的合成催化作用进行了初步的讨论。结果表明,纳米固体超强酸ＳＯ＾２－４／Ｆｅ２Ｏ３劈裂多重的特征谱图有别于对应的普通粒子固体超强酸,谱带劈裂与宽大现象与酯产率成正比关系。     

EuBa2Cu3O7的化学键性质和穆斯堡尔谱研究

利用电介质的平均能带模型计算了ＥｕＢａ２Ｃｕ３Ｏ７的化学键参数,得到Ｃｕ（１）－Ｏ键的平均共价性为０．４１４,Ｃｕ（２）－Ｏ键的平均共价性为０．２８１,应用由共价性和极化率定义的化学环境因子计算了＾５７Ｆｅ、＾１１９Ｓｎ在ＥｕＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的穆斯堡尔同质异能位移,确定了＾５７Ｆｅ、＾１１９Ｓｎ的价态和占位情况。     

（Ba_（1－x）K_x）BiO_3芯态能级随组份的变化

本文用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２），（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ（１２），（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ（１２），Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化．“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ（１２）是Ｅｇ＝２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２是Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有少量空穴的半导体．其余“样本”是金属．芯态的ＬＤＦ本征值经原子模型△ＳＣＦ修正更接近实验值．用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响，结合任意组份五种“样本”的伯努利分布，计算芯态电子能谱随ｘ的变化．结果表明，所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符，Ｂｉ（＋３）和Ｂｉ（＋５）二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于０．２ｅＶ，Ｋ掺杂使各芯态结合能略有增加，其中Ｂｉ（４ｆ），Ｂａ（５ｄ）约１．３～１．５ｅＶ，其他芯态约０．４ｅＶ，以上计算结果与实验基本一致．     

助熔剂对发光体BaAl12O19：Mn结构及发光的影响

在几种不同的助熔剂的作用下合成了ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ发光体,ＸＲＤ谱显示 助熔剂不仅有利于基质的结晶成核,而且对基质的不同晶面的生长也有影响。其ＵＶ光谱表明不同的助熔剂对其发光的影响不一样,Ｈ３ＢＯ３不利于其发光,ＡｌＦ３对其发光的提高不大,ＢａＦ２则可以较大地增加其发光强度,其ＶＵＶ光谱显示在１５０ｎｍ附近有较强的激发证实了其可成为用于ＰＤＰ的荧光粉之一。     

负载型铁催化剂上费托合成的反应机理

用瞬时应答技术对费托合成的初始态动力学行为进行跟踪，研究了Ｆｅ／γ－Ａｌ２Ｏ３，Ｆｅ－Ｃｏ／γ－ＡＬ２Ｏ３和Ｆｅ－Ｃｏ－Ｋ２Ｏ／γ－Ａｌ２Ｏ３催化剂上ＣＯ氢化生成轻的催化性能和Ｃ２烃的生成机理。结果表明，在Ｆｅ－Ｃｏ－Ｋ２Ｏ／γ－Ａ２Ｏ３上ＣＯ解离吸附形成的表面碳是合成烃反应的活性中心，表面碳的逐步氢化，生成亚甲基物种而亚甲基物种的聚合促成了烃键的增长。     

BaZn2(GeMn)0-2Fe15-6O27六角铁氧体的磁晶各向异性

用标准陶瓷工艺制备了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７六角铁氧体．假设Ｇｅ４＋取代了４ｅ和４ｆⅣ中的Ｆｅ３＋,能够很好地解释实验结果．利用分子场理论和Ｈ．Ｂ．Ｃａｌｌｅｎ单离子各向异性模型计算了ＢａＺｎ２（ＧｅＭｎ）０－２Ｆｅ１５－６Ｏ２７次点阵之间的交换参数和各次点阵对磁晶各向异性的贡献,并对实验结果进行了拟合．结果表明,１２ｋ和２ｄ次点阵对磁晶各向异性有较大的贡献 关键词：     

强磁场下（YBa2Cu3O7）24／（PrBa2Cu3O7）2多层膜的电阻转变展宽

本文研究了不同磁场位形下（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２４／（ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７）２多层膜的电阻转变展宽，结果表明电阻转变展宽性质主要由磁场和多层膜ｃ轴的相对位形决定，而与磁场和所加电流的相对取向无关。有效钉扎势和磁场的关系表明，Ｈ‖ａｂ时，Ｕ０∝Ｈ＾－α，Ｈ‖ｃ时，Ｕ０∝ｌｎＨ。这种三维－二维（３Ｄ－２Ｄ）转变，可以归因于ＹＢＣＯ／ＰｒＢＣＯ和ＹＢＣＯ层厚度处于３Ｄ－２Ｄ转变厚度范围所致。     

Fe掺杂的LaBa2Cu3O7的晶体微结构

本文应用Ｒｉｅｔｖｅｌｄ精修方法对高浓度Ｆｅ掺杂的ＬａＢａ２Ｃｕ３Ｏｄ（ＬＢＣＯ）超导体的Ｘ射线衍射谱进行了仔细的分析，得到了各掺杂样品的品格参数和原子结构参数，结果表明，Ｆｅ掺杂诱导了ＬＢＣＯ晶格的结构相变，随着Ｆｅ浓度的增加，出现了从正交到四方再到正交的结构震荡。     

PrBa2Cu3O7中的Pr—O共价因素及其影响

本提出ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７中的Ｐｒ－Ｏ键长的缩短是由于Ｐｒ－Ｏ键含有明显的共价成份，中阐述了这种共价性作用的性质和原因。讨论了这种化学键对ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７电子结构的影响，这性解释了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｘ中复杂的反铁磁有序。     

基于五元相图计算的结渣倾向预测方法

本文利用化学热力学模型和相图计算的最新进展,首次采用ＣａＯ－ＦｅＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２－ＭｇＯ五元物系的相图计算方法来预测煤灰的熔融特性及在软化温度下的矿物质组成,结果表明煤灰中随着ＣａＯ添加量的增大,灰熔点失降低后上升,并存在一个最小值,这是由于低温共熔物形成引起的,预测结果与ＸＲＤ实验结果进行比较,有相同的趋势。     

热稳定法拉第旋转TbYbBiIG磁光单晶及性能

采用高温溶液法，以Ｂｉ２Ｏ３／Ｂ２Ｏ３为助熔剂成功地生长出掺铋复合稀土铁石榴石（ＴｂＹｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２（简称ＴｂＹｂＢｉＩＧ）晶体。晶体外形规则，最大尺寸为７×６×４ｍｍ３，Ｘ射线衍射分析证实，生长的晶体为ＴｂＹｂＢｉＩＧ单相单晶体，扫描电镜能谱分析其组成为Ｔｂ２．０６Ｙｂ０．４６Ｂｉ０．４８Ｆｅ５Ｏ１２。在１．０μｍ～１．７μｍ波段测量出晶体法拉第旋转谱和光吸收谱。当λ＝１．５５μｍ时，在１０°Ｃ～８０°Ｃ温度范围内测得法拉第旋转θＦ的温度系数为ｄθＦ／ｄＴ＝－２．３×１０－２ｄｅｇ·ｍｍ－１Ｋ－１。研究结果表明，ＴｂＹｂＢｉＩＧ单晶体在近红外波段θＦ约为ＹＩＧ单晶的３倍，温度系数小，是制作高性能光隔离器的一种好材料     

Fe：BSO晶体的缺陷能级及光折变效应的研究

在硅酸铋（Ｂｉ１２ＳｉＯ２０，ＢＳＯ）晶体中掺入少量Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｆｅ：ＢＳＯ晶体，由于Ｆｅ杂质在ＢＳＯ晶体禁带中造成了一些缺陷能级，使得晶体的衍射效率和四波混频位于共轭反射率等光折变性能指标有较大提高，文中根据吸收光谱，初步确定了晶体中缺陷能级。     

（Ba_1－_xK_x）BiO_3电子结构与超导电性

用第一原理的ＬＤＦＬＭＴＯＡＳＡ超元胞法，模拟由Ｘ射线吸收谱精细结构测定的ＢａＢｉＯ３中，Ｂｉ有两种价态Ｂｉ３＋和Ｂｉ５＋及与之相应的两种不同键长的Ｂｉ—Ｏ八面体，以及Ｋ掺杂对晶体结构的影响．计算了Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６（简记为（４０４），（３１４），（１１２），（１３４），（０２２））五种“样本”的电子结构．结果表明，（４０４）和（３１４）分别为Ｅｇ＝１６ｅＶ及Ｅｇ＝１５ｅＶ的半导体，其它“样本”为金属．总能的分析表明（１３４）是不稳定的，故溶解极限为ｘ＝０５．以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率，进而计算了（Ｂａ１－ｘＫｘ）ＢｉＯ３电子结构随组分的变化．最后用逾渗模型说明了超导转变温度Ｔｃ在ｘ＝０．２５附近的突变