C_(60)薄膜的离化团簇束沉积及离子掺杂

用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法在石英玻璃和云母衬底上形成了Ｃ６０薄膜，ＸＲＤ测试表明膜呈多晶结构，原位电阻测试表明膜的室温电阻率超过１０４Ωｃｍ，具有负的电阻温度系数．用８０ｋｅＶＰ＋，ＢＢｒ３＋，Ａｒ＋和Ｈｅ＋对Ｃ６０膜作剂量范围为０～１０１６ｃｍ－２的离子注入，Ｃ６０膜的电阻率随注入剂量增加而急剧下降，磷注入具有ｎ型掺杂作用，离子与Ｃ６０分子的相互作用导致Ｃ６０分子分裂，引起薄膜表面非晶化．     

反应离化簇团束制备氮化镓薄膜

根据离化簇团束的基本性质与原理,运用反应离化簇团束技术在低衬底温度下制备了氮化镓薄膜．透射电子显微镜和扫描电子显微镜测定出该薄膜为多晶薄膜．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）测定结果表明,已经形成了Ｇａ—Ｎ 化学键,氮、镓原子比接近１∶１,说明反应气体离化簇团技术是一条在较低温度下制备氮化镓薄膜的可行的技术途径．薄膜中含有少量氧化镓,通过多组数据的比较发现,增加氮气的离化率有助于减少薄膜中的氧含量．     

碳团簇的制备与分析

采用石墨电极放弧法,制备了金属掺杂的富勒烯样品,提出了对放弧阳极棒的 Ｇ Ｉ Ｃ 处理方法,并对样品进行了飞行时间质谱的测量 结果表明,在 Ｚｎ Ｏ＃ 样品中可能存在 Ｚｎ Ｃ３０ ,且含量较高; Ｚｎ 元素在放弧过程中对 Ｃ２ｎ 系列团簇的产生有较强的催化作用;元素的化学态对催化作用有一定的影响     

Rh13团簇的结构畸变

用基于密度泛函理论的离散变分方法计算了具有Ih和D5d对称性的Rh13团簇的电子结构.通过畸变使具有很高对称性的Ih结构破缺,消除了最高分子轨道的分数占据.我们认为真实的Rh13团簇基态结构不具有完整的Ih对称性而应具有D5d对称性.     

氮化镓小团簇结构的理论研究

用局域密度泛函近似下的全势能线性Muffin-Tin轨道组合分子动力学方法对氮化镓小团簇GanNn(n＝2～6)的结构和能量进行了计算,并和已有的报道进行了比较.除Ga2N2外,获得了所有上述团簇的新的最稳定结构.最稳定结构中存在着N2单元或N3单元或两者兼有,表明N-N键在GanNn(n＝2～6)团簇的形成中起着决定性的作用.同时,对上述团簇的HOMO-LUMO能量间隔进行了计算.HOMO-LUMO能量间隔为1.601～2.667eV,表明上述团簇将显示像半导体一样的性质.     

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

Pd团簇熔化的分子动力学模拟

本文运用分子动力学研究钯团簇Pd,(n=13,14,54,55)熔化行为.结果表明:所有Pdn团簇的熔化过程中都有预熔化行为.Pdn团簇的熔点并不是随着原子数目的增加而有着简单的递增关系.Pdn(n=54,55)团簇的预熔化温度区间比较窄.Pdn(n=13,54,55)团簇在熔化过程中有固液共存现象,而Pd14团簇则有表面熔化行为.     

用遗传算法研究Con(n=3-60)团簇的结构特性

我们采用半经验的Gupta多体势结合遗传算法,系统地研究了Con(n=3-60)团簇的几何结构特性.我们发现在钴团簇的生长中存在一个类fcc构型与类Ih构型之间的竞争,从n=39开始,钴团簇呈现出明显的Ih生长模式.Con(n=3-60)团簇的幻数为13,19,23,38,55,结合钴团簇的平均最近邻原子间距和平均配位数,分析了钴团簇幻数序列存在的原因.我们发现团簇内部原子具有增强团簇对称性和加强团簇稳定性的显著作用.     

FenCo和FenNi（n≤5）小团簇的密度泛函理论研究

用密度泛函理论研究了小团簇FenCo和FenNi（n≤5）的基态几何结构、电子特性和磁性．发现Fe4Ni团簇具有幻数结构,而对于FenCo团簇没有发现幻数结构．所有这些团簇旱铁磁性而且其自旋磁矩都大于对应块体的磁矩．一般认为团簇的磁矩受几何结构影响很大,然而这蝗小团簇的自旋磁矩对结构不敏感,我们认为出现这种奇特现象的主要原因是当结构变化时自旋向上和自旋向下的最高占据态对应能级高低序列保持小变．     

遗传算法研究Pdn（n=2-57）团簇的结构特性

本文利用遗传算法结合紧束缚势计算了Pdn（n=2-57）团簇的基态能量及结构．通过讨论团簇的平均束缚能Eb、二阶差分能△2E（n）和剩余能△E（n），发现团簇平均束缚能随原子数目的增加而增大，n为13、22、30、38、41、46和55为其幻数序列．并发现，Pd54为无中心原子的Ih结构，其稳定性略低于Pd55的稳定性．