非晶态超导体的转变温度Tc与原子质量的关系

本文探讨非晶态超导体的T_c与原子质量M之间的关系,发现在具有相同价电子数的同族元素中,超导T_c与原子质量的立方根成反比,即T_c∝l/M^1/3。讨论了晶态超导体的T_c问题,其中包括高T_c氧化物超导体。 关键词：     

非晶态超导体转变温度T_c的经验公式

本文提出一个非晶态非过渡金属超导体的T_c经验公式,T_c=Aλ<ω>~(1/2)/(<ω>/ω_0+(1+λ)/20),式中A=(1/5)~(K~(1/2))。计算值和实验值,以及和Garland理论值的比较表明,T_c经验公式能很好地描述非晶态超导体的T_c值。     

一个新的Tc公式

从Eliashberg方程导出了一个适用于λ小的超导体的T_c公式。 关键词：     

高Tc超导体的表面微波吸收

测量不同粒度及低真空条件下高T_c超导样品Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-O的非共振微波吸收信号,实验表明,这个对温度和磁场十分敏感的信号还与样品颗粒的大小及氧气氛有关;并经计算证明,信号强度与近表面趋肤深度壳层Meissner态的体积成正比。 关键词：     

Ll2超导体的Tc表达式

通过对L1₂超导体的研究,我们得出了这类超导体临界温度的表达式T_c=(15.9T_BV(B)G_A)/(M^1/2V(L1₂)G_B)。其中T_B是B组元的超导转变温度,V(B)是B组元的原子体积,V(L1₂)为L1₂化合物的平均原子体积,M是L1₂化合物的平均原子量,G_A,G_B分别为A组元、B组元的Gordy电负性值。 关键词：     

非晶态超导体的转变温度和霍耳系数之间的经验关系

在大量的非过渡金属和合金中,非晶态的超导转变温度T_c与其霍耳系数R_H以及与相应的液态金属霍耳系数R_HL之间存在着一个经验关系,并由这个经验关系可以判断,到目前为止已报道过的无序金属Be,Tl,Zn,Pb和Hg还没有真正做到非晶态。 关键词：     

高Tc超导体的反铁磁理论计算

考虑到高T_c超导材料层状桔构特点,从三维各向异性Hubbard模型出发,在大U时导出了自旋波线性近似下的有效哈密顿量。利用格林函数运动方程技术,计算了系统的子晶格磁化强度、内能、比热、平行磁化率和垂直磁化率等物理量。结果表明,层间和层内反铁磁耦合强度之比δ=J_⊥/J对这些物理量有重要影响。在低温T?2J(2+δ)/k_B下,确定了特征温度T₀=2J(2δ(2+δ))^1/2/k_B,分别给出了T?T₀和T?T₀时,这些物理量的渐近表达式。 关键词：     

Bi系超导体高Tc相的形成机制

本文研究Bi系超导体高T_c(2223)相的形成机制。提出Bi系氧化物超导体高T_c相的形成过程是:首先Sr-Ca-Cu氧化物(Ca_0.85Sr_0.15CuO₂)与低T_c(2212)相反应形成高T_c相的核,然后样品内2223相核通过象结晶学中晶体生长那样的方式长大成2223相晶粒。2223相成核过程中Sr-Ca-Cu氧化物的形成途径有两条:一条是通过固相反应 关键词：     

非平衡超导体在Tc附近的电阻态

离T_c不太远时,隧道注入准粒子,使Sn膜进入非平衡状态,注入到一定强度时,非平衡超导膜上出现电压,这种电压类似于N-S界面电阻,越靠近T_c越大,但相应的电阻值比N-S界面电阻大几个数量级,并且注入增强到一定程度时,电阻值会突然减小,甚至消失。 关键词：     

非晶态超导体的转变温度T_c与原子质量的关系

本文探讨非晶态超导体的T_c与原子质量M之间的关系,发现在具有相同价电子数的同族元素中,超导T_c与原子质量的立方根成反比,即T_c∝l/M~(1/3)。讨论了晶态超导体的T_c问题,其中包括高T_c氧化物超导体。     

关于非晶态过渡金属的超导转变温度

关键词：     

非晶态超导体的能隙和霍耳系数之间的经验关系

在大量的非过渡金属和合金中,非晶态超导体的能隙2△₀与霍耳系数R_H以及与相应的液态金属霍耳系数R_HL之间存在着一个经验关系:在R_H(或R_HL)=-3.5—-4.0×10^-11m³/AS之间出现一个2△₀最大值。 关键词：     

MgB2超导电性的发现及新一轮高临界温度超导研究热潮

2001年1月10日,在日本召开的学术会议上,Aoyama Gakuin大学的J.Akimitsu教授宣布和MgB2显现超导电性（Tc＝39K）,紧接着一系列研究工作表明,MgB2属于BCS超导体,这些发现引起了新一轮高临界温度超导研究热潮。     

对高温氧化物超导体的黄金坐标分析

本文对60余种高温氧化物超导材料用Villars坐标进行再分析。又引进两个新的坐标(电负性平均值及平均化合价),发现在用这两个新坐标分析时,高温氧化物超导材料在图中的分布更趋于集中。 关键词：     

MoxGe1-x,MoxSi1-x薄膜的非晶形成成份及超导转变温度

用直流吸气溅射法在液氮冷底板上分别制备了Mo_xGe_1-x,Mo_xSi_1-x的薄膜。其形成非晶的成份分别为Ge>22at%,Si>18at％。超导转变临界温度T_c在非晶状态下随着Ge,Si的含量增加而下降(约6—3K)。非晶Mo₇₇Ge₂₃膜的晶化温度为780℃,而非晶Mo₇₈Si₂₂膜的晶化温度为480℃。 关键词：     

A型超导体的近似临界温度公式(Ⅰ)——μ*=0情形

本文用数值解方法从Eliashberg方程计算出超导临界温度T_c,并考察T_c对有效声子谱的依赖关系。在这个研究中,a²F(ω)被取为双δ函数谱,并允许其中的谱参数可以在很宽范围内改变。作者发现在λ<∧区域(即在T_c级数解的收敛圆外),T_c除了依赖λ和矩比外,还依赖T_c级数解的收敛半径倒数Λ;它们之间的关系是有规律的。在这些结果的启示下,本文在μ^*=0情形,用弥合数值解的方法得到一个适用于λ<Λ区域的T_c近似公式。接着,本文作者对吉光达和吴杭生的一篇文章进行了研究,指出:该文提出的超导体分类建议及其工作的主要结论是对的。但其中对决定A型超导体临界温度主要参量问题进行的分析,只适用于这样一些A型超导体,它们的收敛半径倒数Λ或者比λ₀小,或者虽比λ₀大、但λ又小于λ₀,其中λ₀是个依赖谱形状的参量,它的定义在正文中给出。对另一些A型超导体(λ₀<λ<Λ),决定T_c的主要参量不再是λ,而是δ=1/∧^0.5(ω_1/2/ω_log)^5.5λ^1.55。 关键词：