SrTiO3基陶瓷多功能变阻器的研制

SrTiO_3基陶瓷变阻器是一种新型的多功能元件.它具有电容器和变阻器双重功能.这种变阻器采用传统的陶瓷工艺制造.其中关键的工艺是半导体化和绝缘化.本文简要介绍SrTiO_3基陶瓷变阻器的制造工艺和性能.     

几种改性BaTiO_3陶瓷

<正> 一、前言 近年来,在改性BaTiO_3陶瓷的研究方面,已取得明显效果。这些研究,有的已达实用阶段,有的则为我们进一步研究改性BaTiO_3陶瓷指明了方向。本文介绍了三种     

具有大的压电各向异性的PbTiO3陶瓷及其应用

钛酸铅(PbTiO_3)是居里温度为490℃的钙钛矿型铁电材料。预期其可成为高频段的有用的压电材料。然而用常规技术制备的纯PbTiO_3陶瓷太疏松而易碎。此外,因为其轴向比率大而使其矫顽场非常大,所以这种陶瓷很难充分地极化。 为了解决这些问题,已做了许多尝试。池上等人成功地获得了含MnO_2和La_2O_3的致密陶瓷,并在200℃下以60—80kV/cm电场极化。这些陶瓷的厚度耦合系数k_1     

基于OMAP3的多功能儿童手持娱乐终端

本系统采用OMAP3530处理器,在相应软件的支持下,实现了学习、游戏和多媒体播放功能,并且在后台加载了一个安全监控系统,进行语音信号实时监控和视频监控信号传输,最终实现了具有娱乐、学习和监控功能的手持终端。     

ZnO掺杂MgTiO3-CaTiO3陶瓷的介电性能

采用固相反应法制备 (Mg0.95-xZnxCa0.05)TiO3介质陶瓷.研究了ZnO掺杂对MCT陶瓷介电性能的影响.结果表明,ZnO掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,随着ZnO掺杂量的增加,有第二相产生,为Zn2TiO4.ZnO掺杂能降低MCT陶瓷的烧结温度到1 250 ℃,且对介电常数温度系数αc 有调节作用.当 x=0.02时在1 250 ℃温度烧结2.5 h获得最佳性能,即介电常数εr =21.7,介电损耗 tan δ=1×10-5,介电常数温度系数αc =2.12×10-5.     

BiYbO_3-BaTiO_3-LiNbO_3陶瓷微结构与性能研究

研究了不同成分的BiYbO_3-BaTiO_3-LiNbO_3陶瓷的晶体结构、表面形貌与介电、铁电性能。研究结果表明,BiYbO_3-BaTiO_3-LiNbO_3预烧粉体均为纯相,烧结后试样中存在少量的Bi2O_3和Yb_2TiO_5第二相,其组织致密、多边形状晶粒中有少量细小的球状晶粒存在。0.25BY-0.7BT-0.05LN陶瓷的介电常数最大(ε_(rmax)=280),剩余极化强度相对较大,P_r=0.47μC/cm2,矫顽场强E_c=19.04kV/cm。0.1BY-0.8BT-0.1LN陶瓷的剩余极化强度最大(P_(rmax)=0.83μC/cm~2),矫顽场强E_c=17.86kV/cm。     

SrTiO_3系多功能陶瓷一次烧成中的掺杂行为

采用一次烧成法制备了ＳｒＴｉＯ３系多功能陶瓷，测试了样品的介电性能和压敏性能，分析了施主杂质和受主杂质的掺杂行为。研究结果表明，受主杂质Ａｇ＋、Ｎｉ２＋掺杂的样品均具有优良的介电性能和压敏性能，烧结气氛对施主杂质和受主杂质的掺杂行为产生重要影响     

Zn-Al共掺MgTiO3-CaTiO3陶瓷的结构与性能

采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05 Zn0.02)(Ti1-xAl)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO2-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响.结果表明,Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效降低95MCT陶瓷的烧结温度至1300℃,且得到致密的晶粒结构,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用.当掺杂Zn2+、Al2+的摩尔分数均为0.02时,在1300℃烧结2.5 h获得最佳性能:介电常数为20.35,介电损耗为2.0×10-6,介电常数温度系数为-1.78×10-6.     

新型微波陶瓷AgNb1-xTaxO3的研究

对微波陶瓷系统AgNb1-xTaxO3进行了深入的研究。结果表明适当的玻璃相加入有助于改善本系统的烧结性能，并有效抑制本系统在空气中烧结是时的分解现象。研究表明，玻璃相的加入控制在2％时能获得介电性能良好的微波陶瓷材料。     

Al2O3基高性能半导体陶瓷乙醇气体传感器

报道了本项目组发明的Ａｌ２Ｏ３基新型高性能半导体陶瓷气体传感器材料及用以制备乙醇气体传感器的研究结果。该类新型气体传感器具有工作温度低、气体选择性好、响应时间和恢复时间快及抗湿性能好等明显优点，可望进行工业规模的生产。     

H_3BO_3掺杂Li_2ZnTi_3O_8陶瓷的微波介电性能

采用传统的固相烧结工艺制备了H3BO3掺杂的Li2ZnTi3O8陶瓷。研究了H3BO3掺杂量对所制Li2ZnTi3O8陶瓷的烧结特性、相成分、微观结构以及微波介电性能的影响。结果表明:H3BO3对于所制陶瓷相成分没有影响,仅为单一的Li2ZnTi3O8相;H3BO3能够将Li2ZnTi3O8陶瓷的烧结温度降低200℃左右,同时没有显著损害该陶瓷的微波介电性能;当H3BO3掺杂量为质量分数2.0%时,950℃烧结的Li2ZnTi3O8陶瓷微波具有良好的介电性能:εr=25.99,Q.f=54 926GHz,τf=-12.17×10–6/℃。     

CaZrO3掺杂对耐高温陶瓷电容介电性能的影响

用钛酸铋钠(BNT)改性亚微米级钛酸钡合成居里温度较高的基料。在Nb2O5-Ta2O5-ZnO基础配方体系基础上,利用CaZrO3对其掺杂改性,得到了介电性能优越的耐高温电容器陶瓷材料,其居里温度高(150℃),介电常数相对较高(1 200以上)。从离子取代及微观结构表征等方面研究了不同CaZrO3掺杂量对改性钛酸钡陶瓷的介电常数、容温变化率和介电损耗的影响,为研制耐高温多层陶瓷电容器(MLCC)提供了参考。     

Al2O3陶瓷激光铣削试验研究

采用Nd∶YAG脉冲激光器对Al2 O3陶瓷进行铣削加工试验。系统研究了工艺参数对铣削量和铣削面质量的影响规律 ,并利用优化的铣削工艺对Al2 O3陶瓷进行多种形状的铣削加工。     

Al2O3陶瓷生产工艺中的若干问题

介绍了Al2O3陶瓷生产中的若干问题，特别是国内外在Al2O3陶瓷原料制备，配料，成型与烧结等方面的生产情况和研发动向，同时提出了自己的看法。     

SrTiO_3双功能陶瓷中TiO_2掺杂的作用

研究了ＴｉＯ２掺杂对ＳｒＴｉＯ３电容－压敏双功能陶瓷晶粒生长特性和电性能的作用规律。研究结果表明ＴｉＯ２添加量较小时瓷体不能实现半导化。随着ＴｉＯ２添加量的增大,烧结后的表观电阻率减小,压敏电压和非线性指数减小,表观介电常数增大。ＳＥＭ观察发现ＴｉＯ２添加量较小时晶粒内部出现裂痕,较多的ＴｉＯ２添加量利于晶粒的长大。     

施主半导化BaTiO3PTC陶瓷耐压特性

本文利用敏感半导体陶瓷的显微物理模型，计算了ＢａＴｉＯ＿３基ＰＴＣ陶瓷材料的耐压特性。结果表明，ＰＴＣ陶瓷材料的耐压性能与施主浓度、表面态密度、颗粒尺寸和颗粒尺寸分布及散热条件等有关。这些结果与已有实验结果相符，它们为ＰＴＣ陶瓷耐压设计与测量提供了理论基础。