在Josephson隧道结中磁场对微波感应台阶高度影响的讨论

对吴杭生等人的计算公式做了适当的简化.可减小数值计算的工作量.不通过数值计算,直接估计了磁场能使偶数标号台阶高度增大的上限标号n、对2e/h测量中用加磁场来增大台阶高度是否有意义的问题做了讨论.     

热噪声对约瑟夫森结I-V特性及微波感应台阶的影响研究

采用数值仿真的方法研究了热噪声对约瑟夫森结I-V特性及微波感应台阶的影响。研究表明,热噪声导致约瑟夫森结的I-V特性曲线呈现"圆拱化",也使得微波感应台阶高度减小。得出了取不同约瑟夫森结临界电流和结电阻时,热噪声对台阶的影响规律     

引导磁场对相对论返波管微波功率的影响

对引导磁场大小对相对论返波管(RBWO)微波功率的影响进行了理论和实验研究。首先利用KARAT软件对RBWO进行了全电磁PIC数值模拟,发现当磁场降低时,TE模与TM01模的竞争导致微波功率降低,同时模拟中观察到“电子回旋共振吸收”现象,它是由于电子束与慢波结构中TM01模的基波相互作用的结果;然后进行了实验研究,实验结果与数值模拟基本相符。     

引导磁场对相对论返波管微波功率的影响

 对引导磁场大小对相对论返波管(RBWO)微波功率的影响进行了理论和实验研究。首先利用KARAT软件对RBWO进行了全电磁PIC数值模拟,发现当磁场降低时,TE模与TM₀₁模的竞争导致微波功率降低,同时模拟中观察到“电子回旋共振吸收”现象,它是由于电子束与慢波结构中TM₀₁模的基波相互作用的结果;然后进行了实验研究,实验结果与数值模拟基本相符。     

台阶高度测量方法研究现状及进展

台阶高度测量是目前新提出的国际计量比对项目之一,当前的趋势是向纳米量级精度发展并尽量扩大测量范围。在分析现状和背景的基础上,大致归类了测量台阶高度的几种光学方法,着重介绍了其中绝对干涉方案的最新进展,从测量原理、测量精度以及量程等几方面比较了它们的优缺点。在此基础上提出以可调谐半导体激光器作为光源,采用可调合成波长链法实现纳米级精度毫米级量程的台阶高度测量,详细分析了方案的原理误差,得到最后的结论。     

磁场旋度对磁场漂移的影响

讨论了静态非均匀磁场中的磁场旋度对带电粒子引导中心漂移的影响。运用三维矢量分析的方法,将带电粒子垂直于磁场运动所引起的磁场漂移分为两项,分别由磁场的曲率和磁场的旋度决定。给出了螺旋状环形磁场中由磁场旋度引起的磁场漂移的近似表达式,讨论了该漂移成分对于该磁场中通行粒子轨道和捕获粒子轨道的可能影响。结果表明,带电粒子垂直于磁场运动所引起的磁场漂移主要由磁场的曲率决定,而磁场旋度对该漂移的影响比较微弱。     

二维电子系统中磁场与微波辐照感应的“零电阻”态

受限于两种半导体界面之中的电子形成所谓二维电子气．二十几年来，半导体技术的发展促进了高纯二维电子气样品的制备，从而为固态物理的研究提供了广阔的空间。1980年和1982年的诺贝尔物理学奖分别被授予整数量子霍尔效应和分数量子霍尔效应的研究者，相关的实验都是针对二维电子气在磁场下的输运行为。     

运动感应涡流磁场检测中的激励磁场优化设计方法

在生产或使用过程中,薄金属板中会产生微缺陷(微颗粒或气孔),这些微缺陷的数目及尺寸决定了薄金属板的品质,影响其使用寿命和安全系数.因此,对微缺陷进行定量和准确的表征是保证薄金属板产品品质与使用安全的必要条件.电磁检测中的运动感应涡流磁场检测可应用于检测导电非导磁材料中的缺陷.本文通过模拟和实验结果显示,当提离距离、永磁体表面剩磁确定时,永磁体尺寸与缺陷检测信号幅值正相关.另外,提出一种运动感应涡流磁场检测中激励磁场的优化方法,由该方法产生的两种永磁体阵列相比于同体积、同表面剩磁的简单永磁体,产生的缺陷检测信号幅值更高,因而可以提高检测的灵敏度.     

微波磁场和斜入射对介质表面次级电子倍增的影响

分别研究了微波磁场和斜入射微波电场对介质表面次级电子倍增的影响.利用particle-in-cell/Monte Carlo方法,获得了微波磁场和斜入射微波电场条件下电子数量、介质表面直流场、电子平均能量和介质表面吸收功率的时间变化图像.模拟结果表明,斜入射和微波磁场虽然会显著影响电子的平均能量,但对电子数量和介质表面吸收功率的影响并不大,因此不会对微波介质表面击穿产生太大作用.     

随机磁场对漂移波本征模的影响

本文分析随机磁场对低频漂移波本征模的影响。计算表明,存在随机磁场可影响电子对波的响应,改变电子色散函数,在有理磁面附近(k_‖≈0处),这种变化尤大,随机场可使电子色散函数变得相当平缓,这对漂移波本征模的稳定性有很大影响。本文证明了,在足够强的(但仍是实验允许范围内的)随机磁场下,漂移波普适模可成为绝对不稳定的。     

考虑磁场对碰撞影响的等离子体输运过程

本文考虑了强磁场对碰撞过程的影响,用Bogoliubov方程来讨论强磁场中等离子体的输运过程。当分布函数随空间的变化比较缓慢、在Debye屏蔽距离内等离子体的密度、温度的变化可以忽略时,得到了计算强磁场中等离子体输运过程的一般方法。最后计算了沿磁场方向的电导率,电导率随磁场的增加而增加。在温度10~6K,电子密度10~(12)cm~(-3),磁场强度约为9T时,考虑磁场对碰撞影响所计算出的电导率,要比忽略磁场对碰撞影响所得结果大22.3％。     

磁场影响氨水吸收的实验研究

在提高氨水吸收式制冷系统性能及促进其设备小型化的过程中,对吸收过程进行强化是一种有效途径.本文对氨水降膜吸收过程进行了被动强化,对吸收主体段施加了外部磁场,进行了磁场条件下氨水溶液降膜吸收的实验研究,结果显示在磁场条件下,冷却水出吸收主体段时温度比无磁场时有所升高,传热降膜管壁温度在磁场条件下吸收时也比无磁场时高,初始状态相同的氨水溶液,当施加外部磁场后,吸收完毕后溶液浓度较未施加外部磁场的溶液浓度高,以上参数值都随磁感应强度的增加而增大.这表明对氨水降膜吸收过程施加外部磁场后,可对吸收过程产生一定的强化作用.     

磁场对传导冷却超导磁体系统制冷机的影响

用于传导冷却超导磁体系统的GM制冷机处于强磁场环境中,由于二级蓄冷器的填充材料其性能随外部磁场大小而变化;而且冷头电机本身是永磁电机,电机性能受磁场影响更明显.因此,为了不影响制冷机的性能,需要详细地分析制冷机附近的磁场分布,将制冷机布置在低场区域;但是,高场磁体系统本身磁场强度高、温度裕度低,为了降低磁体运行时的热点温度,不可能将制冷机布置在距离磁体较远的区域,这时就需要对制冷机采取屏蔽措施.本文以正在建造的8T传导冷却超导磁体系统为例,研究了磁场对制冷机位置的影响,并分析了铁磁屏蔽对制冷机附近磁场的屏蔽效果.     

THE EFFECT OF MESH ANODE ON CATHODIC ARC IN FOCUSING MAGNETIC FIELD

The performance and characteristics of a cathodic arc deposition apparatus consisting of a titanium cathode, an anode with and without a tungsten mesh, and a coil producing a focusing magnetic field between the anode and cathode are investigated. The arc voltage V_a is measured with a fixed arc current. The relationship between V_a and the magnetic field B with and without a mesh is obtained. In addition, the relationship between the arc current I_a and V_c, the voltage to which the artificial transmission line was charged, is measured with and without the mesh to determine the minimum ignition voltage for the arc. The arc resistance increases with the focusing magnetic strength B and decreases when using the mesh. Our results indicate that the high transparency and large area of the mesh allows a high plasma flux to penetrate the anode from the cathodic arc. The mesh also stabilizes the cathodic arc and gives better performance when used in concert with a focusing magnetic field.     

四极磁透镜的边缘场研究

本文对四极磁透镜的磁场分布和电子的输运问题进行了研究和计算。文中阐述了四极磁透镜边缘场的三种处理方法,用这三种方法计算了透镜的输运矩阵。相互比较表明,四极磁透镜的边缘场采用传统的直角边近似就可以很好地解决问题。     

霍耳效应测磁场的讨论

介绍了霍耳效应测磁场的实验目的、原理及测量方法。详细论述了霍耳效应伴随的副效应对测量结果的影响。     

磁镜场对射频等离子体中离子能量分布的影响

运用阻碍栅极型能量分析器,在不同磁镜场参数下测量了低温等离子体中离子的能量分布. 结果表明,在放电管中心处离子能量分布,随磁镜场强度的增加而向低能方向偏移,但离子能量分布宽度却没有明显的变化;而随着磁镜比的增加离子能量分布却向高能方向偏移,并且离子能量分布宽度也将变宽.由此可见,磁镜场参数对离子能量分布有很大影响. 关键词： 磁镜场 辉光放电 低温等离子体 离子能量分布     

外磁场对直流等离子体炬放电特性的影响

介绍了新研制的磁约束直流等离子矩设备,计算了螺旋管线圈的磁场分布,通过实验研究了磁场变化对等离子体矩放电特性和伏安特性的影响。     

随机磁场中的反常扩散效应

本文讨论了随机磁场中反常扩散效应的特征,导出了扩散流及电场随时间变化的公式,指出,趋向于稳态所需的时间远小于粒子约束时间,因而反常扩散基本上是准稳态的形式。此时,存在明显的双极电场,而双极扩散流基本上是离子扩散的量级。 关键词：