双膜基片集成波导（SIW）带通滤波器的设计与仿真

根据多模激励的单腔体谐振器原理以及基片集成波导（SIW）高Q值、低损耗、大功率容量的特点．提出了一种新的SIW方形腔体双膜滤波器的设计方法。该方法通过在SIW腔体两个对称角上切角作为微扰来使简并模式分离并产生耦合．从而形成了中心频率在4．95GHz的窄带带通滤波器,并最终采用直接过渡方式实现了SIW到微带的转换。     

基于双层SIW结构的二阶混合耦合滤波器

设计了一款基于SIW结构的二阶双层混合耦合滤波器,通过在上下谐振腔的公共金属面上设计两个对称圆孔的方法实现了电磁混合耦合,使滤波器在不需要交叉耦合结构的情况下就可以拥有十分靠近通带且灵活可调的传输零点,提高了滤波器的选择性,与平面结构的混合耦合SIW滤波器相比,具有更小的尺寸。为了证实上述结构的有效性,设计了一款工作频率在5.8GHz、3dB相对带宽1.3%、传输零点处于5.9GHz的滤波器,滤波器的介质基板采用的是Rogers 4003,滤波器实测结果与仿真结果基本一致。     

基于HMSIW的宽带带通滤波器设计

为有效减小C波段基片集成波导的尺寸和插入损耗,提出了一种基于半模基片集成波导的紧凑型宽带带通滤波器。该滤波器引入由单个谐振槽和多个谐振槽组成的缺陷微带结构,并对其性能进行了研究。通过HFSS仿真验证,引入的缺陷微带结构,不仅可以减小插入损耗,而且实现传输零点的引入,改善了阻带特性。该方法设计的半模基片集成波导带通滤波器具有集成度高、体积小、成本低、制造方便等优点,在C波段卫星和雷达中得到了广泛的应用。     

一种新型基片集成波导双模带通滤波器

综合基片集成波导和双模滤波器两种前沿技术,设计了一种新型微波带通滤波器结构,该滤波器结构简单,无载品质因数高达10 000。同时,通过使用凹型过渡方式,解决了基片集成波导与微带线的过渡问题,从而方便了滤波器和有源微波电路的集成。文章设计的滤波器中心频率在5.63 GHz,通过TE102和TE201两种模式耦合,产生一个传输零点,极大的改善了阻带效果。实验表明,通带内反射损耗S11优于25 dB,3 dB带宽达60 MHz。     

基于互补螺旋谐振器的SIW带通滤波器设计

在基片集成波导(SIW)结构中加载了互补螺旋谐振器(CSR),实现了具有超宽带外抑制的带通滤波器。CSR是复合左右手结构的一种,其等效电路与互补开口谐振环(CSRR)的相似,但CSR结构更加紧凑,设计更加灵活。SIW具有与传统金属波导相似的结构特点和分析方法,但它体积更小,且更容易与其它平面电路结合。将两个CSR单元加载到SIW中,会产生一个低于SIW截止频率的通带。调整两个CSR单元的位置,会在通带的两侧分别产生一个传输零点。本文设计的带通滤波器较传统的SIW滤波器体积更小,并且具有更宽的带外抑制。根据测试结果,滤波器的中心频率为7.68GHz,3dB带宽为394 MHz,带内插损最小值为1.91dB,带外抑制在9~18GHz范围内优于30dB。     

基于基片集成波导(SIW)的双模带通滤波器

首先介绍了基片集成波导(SIW)这一新技术,并用表面电流理论解释了电磁波在SIW中的传输模式。同时,通过使用凹型过渡和接地共面波导过渡两种转换方式,解决了基片集成波导与微带线的过渡问题,从而解决了滤波器和有源微波电路的集成问题。文章用这两种过渡方式,分别设计了中心频率在5.63GHz和5.45GHz的双模带通滤波器。实验表明:这两种滤波器在通带内的反射损耗S11均优于-21dB,-3dB带宽都在50MHz以上。     

基于电磁混合耦合的SIW宽阻带带通滤波器设计

为实现阻带一段范围内依然具有良好的抑制能力,提出了电磁混合耦合的基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)宽阻带带通滤波器(Bandpass Filter,BPF)。根据模式的本征抑制和电磁混合耦合理论,合理地设置外部馈电端口、内部耦合窗口及内部耦合圆孔阵列,抑制了频率低于TE₁₀₅和TE₅₀₁之前的所有高次模,并且使得工作模式TE₁₀₁电耦合很好地传输。仿真与实测结果均显示,该滤波器的中心频率f₀=5.94 GHz,插入损耗为-3.46 d B,相对带宽为2.44%,当阻带宽度延伸至3.85 f₀时,抑制深度优于20 d B。与经典的四阶SIW宽阻带带通滤波器相比,拥有相同的带宽时,该双层层叠的方式更加紧凑,有利于集成到微波电路系统中。     

一种新型基片集成波导带通滤波器的设计

基片集成波导是一种具有低差损、低辐射、高品质因数的新型平面导波结构．文中利用基片集成波导结构设计并制作了一种工作于X波段的带通滤波器,该滤波器易与其它微波平面电路集成．实测结果表明,该滤波器的中心频率是9.75 GHz,相对带宽是15.4％,通带内反射系数均小于-15 dB,插入损耗均优于1.5 dB,与仿真结果基本吻合,验证了设计方法的正确性．     

一种小型化微波宽带带通滤波器及其工程设计

介绍了一种基于基片集成波导(SIW)结构的小型化微波宽带带通滤波器,采用紧凑型设计,同时提出了其工程设计方法及流程,通过11GHz和15GHz典型微波频段的四腔带通滤波器实例验证,达到对于偏离中心2GHz以上的频段抑制35dB以上的要求,且仿真与测试结果相对吻合较好,设计方法和流程合理、有效。本文网络版地址：http：//www.eepw. com.cn/article/271650.htm     

基于多层结构的宽阻带SIW带通滤波器

近年来,多层结构的基片集成波导(SIW)带通滤波器因其结构紧凑的优点得到研究者们的青睐,与此同时,阻带带宽窄的缺点又阻碍了滤波器的发展。为了提升滤波器的阻带性能,提出一种基于多层结构的宽阻带SIW带通滤波器。将滤波器的内外耦合窗口设置在模式的最弱电场处,从本质上抑制该模式。同时引入电磁混合耦合理论,分析特定模式的电磁分布情况,并根据HFSS软件提取的耦合系数设计耦合孔径的大小和位置,实现对特定模式的抑制。仿真结果显示可以完全抑制谐振频率低于TE₃₀₃模以内的所有高次模。实际加工并测量了该滤波器,中心频率为5.9 GHz,相对带宽为2.54%,阻带可以延伸至17.42 GHz (2.95f₀,f₀为滤波器中心频率),且带外抑制优于28 dB,仿真和测量结果显示两者吻合度较好。与其他SIW滤波器相比,该方法设计简单、带宽可调、阻带更宽,易于应用到实际的微波通信系统中,具有潜在的应用价值。     

宽带基片集成波导滤波器

滤波器是微波毫米波电路与系统中一个重要的部件.提出了一种CMRC加载基片集成波导( substrate integrated waveguide,SIW)滤波器.该滤波器具有体积小、重量轻、容易加工和集成等优点.滤波器的中心频率为5.3 GHz,相对带宽为36%,中心频率处的插入损耗为1.5 dB,仿真与实验结果吻合良好.     

基于树状分形结构的半模基片集成波导带通滤波器

提出了一种基于分形结构的半模基片集成波导(HMSIW)滤波器。该设计将树状分形结构蚀刻在HMSIW的上金属表面,通过在其高频端引入宽阻带来产生带通效应。这种基于树状分形的HMSIW带通滤波器结构,随着迭代次数的增加,其相对带宽基本保持不变(S11<-15dB),但其带通边缘频响斜度变陡,且带外抑制特性不断增强。仿真结果与实验结果基本吻合,较好地验证了设计的可行性和有效性。     

X波段基片集成波导带通滤波器的设计

基片集成波导是一种具有低差损、低辐射、高品质因数的新型平面导波结构.文中利用基片集成波导结构设计并制作了一种x波段的带通滤波器,该滤波器易与其它微波平面电路集成.实测结果表明,该滤波器的中心频率是9.58 GHz,相对带宽是8.35%,通带内的插入损耗是3.8 dB,回波损耗＜-15 dB.     

基于扇形基片集成波导的三频带通滤波器设计

该文提出了一种60°扇形基片集成波导谐振器,然后在谐振器中加载一排金属通孔,对其TM₁₁₀、TM₂₁₀和TM₁₂₀模进行扰动,最后利用扰动后的场模式,在60°扇形基片集成波导谐振器的基础上设计了一款结构紧凑的三频带通滤波器。通过分别引入互补开口环谐振器和源-负载耦合结构,改善了滤波器的频率选择特性。3个通带的中心频率分别为5.61 GHz、7.41 GHz和8.77 GHz,3 dB带宽分别为148 MHz、298 MHz、347 MHz。滤波器的测试与仿真结果基本吻合。     

Half Mode Substrate Integrated Waveguide (HMSIW) Bandpass Filter

This letter presents the design and experiment of the half mode substrate integrated waveguide (HMSIW) bandpass filters. Three-pole and five-pole HMSIW filters are simulated by using CST software and fabricated with a single layer standard printed circuit board process. Different external-coupling approaches are adopted in the design of the two filters. The measured results are in good agreement with the simulated results. Low insertion loss and good selectivity are achieved     

Bandpass Filter Using Substrate Integrated Waveguide Cavity Loaded With Dielectric Rod

A novel bandpass filter (BPF) is designed using the substrate integrated waveguide cavity loaded with a dielectric rod. The resonant frequencies and unloaded Q-factor are determined by a set of analytical equations. Using the technique of dielectric loading, the proposed BPF has the advantages of compactness, good spurious suppression characteristics, low insertion loss, and low cost, which is demonstrated by good agreement between the simulated and measured S-parameters.      

一种新型基片集成波导带通滤波器的设计与实现

基片集成波导（SIW）技术使得包括平面电路、接头和矩形波导在内的完整电路可以以平面形式集成在印刷电路板上;本文简要介绍SIW这一新技术,然后利用其高通特性,再加载一个低通微带滤波器,设计了一个中心频率为18 GHz,相对带宽为33%的SIW带通滤波器,CST的数值计算结果显示该途径是成功的。     

基于LTCC 的Ka 波段三阶交叉耦合SIW 滤波器*

介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺研制而成的Ka 波段带通滤波器。该滤波器由三个交叉耦合的集成介质波导(SIW)谐振器构成。滤波器在j4.0 处的衰减极点使得其频率选择特性具有非对称性。通过电磁仿真软件的仿真优化,实际加工滤波器的测试结果与软件仿真结果吻合很好。其中心频率是35.8GHz,1dB 带宽是1GHz,带内插损小于4.2dB。该小型化LTCC 滤波器已成功应用于某毫米波战场识别系统的T/ R 组件中。