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部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
对部分耗尽SOI CMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作过程的最坏条件和最好条件下存储单元门管的瞬态泄漏电流的模拟结果;在详细分析BJT效应影响的基础上,对"First Cycle"效应进行了全面的研究.结果表明,"First Cycle"效应对写操作影响较大;研究了位线电容负载对存储单元门管体电位的依赖.最后,给出了研究结果. 相似文献
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本文设计了一种用于OTP存储器的高速读出机制.该读出机制由内部电路产生读控制时序,采用地址变化探测电路、脉冲宽度调整及控制信号产生电路、采样与锁存电路来实现读取操作.其具有电路结构简单,读出速度快,读出准确,抗噪声、抗干扰能力强,功耗低的特点.仿真结果表明整个读取周期仅为24ns,数据口的读出信号稳定准确,不会产生读取误操作. 相似文献
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提出一种新型高速低工作电压的嵌入式flash灵敏放大器,该灵敏放大器由一个新型的位线稳压器和一个折叠共射-共基放大电路组成.基于0.13μm标准CMOS单元库的仿真结果表明,该灵敏放大器在-40℃~150℃的温度范围内有快速的读取速度,在最差工作环境下读取时间为17ns,最佳工作环境下为10ns,常温1.2V条件下的读取时间为12.5ns. 相似文献
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基于一种新型时钟延时单元,设计了一种片上存储器的位线。在不增加版图面积的前提下,通过周期性地改变保持管的衬底偏置电压,减小了短路功耗、泄漏功耗和延迟时间,同时增加了电路的抗工艺波动能力。在SMIC 65 nm工艺下,完成了传统位线、改进后的位线以及静态随机存取存储器(SRAM)的设计。仿真结果表明,在1 GHz时钟频率下,改进后的两种位线与传统位线相比,功耗延迟积分别减小了19.1%和15.9%。最后,通过蒙特卡洛分析可知,改进后的位线相比于传统位线具有较强的抗工艺波动能力,即功耗延迟积的方差减小了97.1%。 相似文献
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提出了一种新型灵敏放大器,电路由单位增益电流传输器、电荷转移放大器及锁存器三部分组成。基于0.18μm标准CMOS单元库的仿真结果表明,与现有几种灵敏放大器相比,新型灵敏放大器具有更低的延时和功耗,在1.8 V工作电压、500 MHz工作频率、80μA输入差动电流以及DSP嵌入式SRAM6T存储单元测试结构下,每个读周期的延迟为728 ps,功耗为10.5fJ。与电压灵敏放大器相比,延迟减少约41%,功耗降低约50%;与常规电荷转移灵敏放大器相比,延迟减少约22%,功耗降低约37%;与WTA电流灵敏放大器相比,延迟减少11%,功耗降低31.8%。 相似文献
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提出一种减少SRAM存取时间的4T双复制位线延迟技术.该技术主要降低灵敏放大器使能信号的时序变化.该设计通过增加另外一根复制位线并提出一种新的4T复制单元,以优化低电压SRAM灵敏放大器的时序.TSMC 65nm工艺仿真结果表明,在0.6V电源电压下,与传统复制位线设计相比,该技术的灵敏放大器使能信号时序的标准偏差降低30.8%,其读周期减少12.3%.除此之外,由于4T复制单元的MOS管数与传统复制单元相比降低1/3,减小了整体面积开销. 相似文献
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本文设计了一种满足FPGA芯片专用定制需求的嵌入式可重配置存储器模块.一共8块,每块容量为18Kbits的同步双口BRAM,可以配置成16K×1bit、8K×2bits、4K×4bits、2K×9bits、1K×18bits、512×36bits六种不同的位宽工作模式;write_first、no_change两种不同的写入模式.多个BRAM还可以通过FPGA中互连电路的级联来实现深度或宽度的扩展.本文重点介绍实现可重配置功能的电路及BRAM嵌入至FPGA中的互连电路.采用SMIC 0.13μm 8层金属CMOS工艺,产生FDP-II芯片的完整版图并成功流片,芯片面积约为4.5mm×4.4mm.运用基于March C+算法的MBIST测试方法,软硬件协同测试,结果表明FDP-II中的BRAM无任何故障,可重配置功能正确,证实了该存储器模块的设计思想. 相似文献
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一种快速、低压的电流灵敏放大器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种快速和低工作电压的非挥发性存储器的电流灵敏放大器。该电路采用自控恒流预充电路提高灵敏放大器的放大速度。TSMC的0.18μm模型库的HSPICE仿真结果表明,电路在-40℃~125℃范围内有快速的读取速度,在1V工作电压和室温下,电路的读取时间是33ns。 相似文献
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一种4-Mb高速低功耗CMOS SRAM的设计 总被引:2,自引:1,他引:1
高性能的系统芯片对数据存取速度有了更严格的要求,同时低功耗设计已成为VLSI的研究热点和挑战.本文设计了一款4-Mb(512K×8bit)的高速、低功耗静态存储器(SRAM).它采用0.25μm CMOS标准工艺和传统的六管单元.文章分析了影响存储器速度和功耗的原因,重点讨论了存储器的总体结构、灵敏放大器及位线电路.通过系统优化,达到15ns的存取时间. 相似文献
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随着器件尺寸缩小到纳米级,在SRAM生产过程中,工艺偏差变大会导致SRAM单元写能力变差.针对这一问题,提出了一种新型负位线电路,可以提高SRAM单元的写能力,并通过控制时序和下拉管的栅极电压达到自我调节负位线电压,使负电压被控制在一定范围内.本设计采用TSMC 40nm工艺模型对设计的电路进行仿真验证,结果证明,设计的电路可以改善写能力,使SRAM在电压降到0.66V的时候仍能正常工作,并且和传统设计相比,本电路产生的负电压被控制在一个范围内,有利于提高晶体管的使用寿命,改善良率,节省功耗. 相似文献