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采用高温固相法在1 000℃下煅烧6 h合成了Sc VO4∶Eu3+,Bi3+,Al3+荧光粉。使用X射线粉末衍射仪和扫描电镜对样品的结构和形貌进行了表征,采用荧光分光光度计研究了样品的发光性质。用315 nm波长激发Sc VO4∶Eu3+,Bi3+,Al3+样品时,样品在590~620 nm范围内发射强烈的橙红光,最大发射峰位于615nm。少量Al3+的掺入可以增强Sc VO4∶Eu3+,Bi3+荧光粉的发光,而掺入过量Al3+时会使Sc VO4∶Eu3+,Bi3+荧光粉的发光变弱。当Al3+在Sc VO4∶Eu3+,Bi3+中的摩尔分数达到4%时,样品的发光最强且其发光强度较未掺杂Al3+的样品提高了约30%。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在还原气氛下制备了Sr2MgSi2O7∶Eu2+,xBi3+(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)荧光粉,并用XRD、TG-DTA及激发与发射谱仪对样品的结构及发光性能进行了表征.结果发现:单掺杂Bi3+的Sr2MgSi2O7样品的发射光谱所用的材料的激发光谱为一主峰为286 nm的宽带谱,这是由于激发态时Bi3+的3p1→1S0电子能级跃迁而造成的;单掺杂Eu2+的Sr2MgSi2O7样品的发射光谱所用的材料的激发光谱为一主峰为358 nm的宽带谱,这是典型的Eu2+的4f65d3→4f7跃迁而引起的.当Bi3+离子掺杂到Sr2MgSi2O7∶Eu2样品的摩尔分数为0.04时,样品的发射强度是未掺杂Bi3离子样品的1.9倍. 相似文献
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Bi3+和Eu3+在Ca2SiO4中的发光和能量传递 总被引:5,自引:0,他引:5
用高温固态反应合成了Ca2SiO4:Bi3+,Ca2SiO4:Eu3+和Ca2SiO4:Eu3+,Bi3+发光体。讨论了不同掺杂量和掺杂种类时Bi3+对Eu3+的5D0-7F1,5D0-7F2发射的影响规律。实验发现,Ca2SiO4:Bi3+在紫外线激发下发出明亮的蓝色光,Ca2SiO4:Eu3+,Bi3+中的Bi3+能将激发能传递给Eu3+,使Eu3+的5D0-7F1和5D0-7F2两种跃迁都大大加强,同时,Bi3+也发出鲜艳的紫色光。 相似文献
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利用XRD对系列样品YBa2-xMgxCu3O7-δ的晶体结构进行研究,给出了体系相结构的掺杂效应,结果发现,随着掺杂量的增加(x=0~0.2),样品的晶体结构由正交相向四方相转变.同时采用四引线法对掺杂样品YBa2-xMgxCu3O7-δ的超导电性能进行了系统测量,结果表明随着Mg掺杂量的增加超导转变温度总体呈明显降低趋势.初步分析了Ba位Mg掺杂所引起的晶体结构变化对超导电性的影响.该研究结果为高温超导机理的进一步研究提供了实验资料. 相似文献
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《低温物理学报》2017,(1)
用固相反应法制备了所有的掺杂样品,并研究了掺入CeO_2(x=0.0-2.0wt%)对Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3Oδ超导体性能的影响.研究表明,超导材料的性能如临界温度、微观结构和超导相的形成都与CeO_2的掺杂量有很大的关系.CeO_2的掺入可以改变(Bi,Pb)-2223相的体积分数,并且,0.2wt%CeO_2的掺杂提高了样品的Tc(onset).同时,SEM照片显示:当CeO_2掺杂比例从0.0wt%至0.2wt%时,样品的微观结构变的越来越致密,这表明适当的CeO_2掺杂量能提高样品的结晶性和促进晶粒的生长.然而,对于x=2.0wt%的掺杂样品,在R-T曲线没有观察到零电阻现象,说明掺入过量的CeO_2破坏了相邻晶粒之间的连接性以及超导相的晶体结构. 相似文献
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用高温固相法合成了用于白光LED的Na2Ca4(1-x-y)(PO4)2SiO4:xEu3+,yBi3+红色荧光粉.研究了助熔剂H3BO3、二次煅烧时间和稀土掺杂量等制备条件对样品发光性质的影响.结果表明,在1 200℃、助熔剂H3BO3加入量为样品质量的3.8%时可得到更有利于发光的α-NCPS基质,而且掺入Eu3+、Bi3+之后,基质的晶格结构没有发生明显变化;适宜的二次煅烧时间为1.5 h.Bi3+的共掺杂可以通过能量传递大幅提高Eu3+的发光强度,当Eu3+、Bi3+的摩尔分数分别为x=0.04和y=0.01时,粉体具有最强的红光发射.表明这种荧光粉是一种可很好用于近紫外芯片的白光LED的红色荧光粉. 相似文献
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本文报道了对Y1-xRxBa2Cu3O7-δ(R=Eu、Gd)两个系列样品的超导电性研究结果.首先,发现随着Eu、Gd掺杂量x的增加,Y1-x〗EuxBa2Cu3O7-δ和Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ的晶胞体积均随之增大,但所有样品均保持与Y-123样品相同的单相正交结构;正电子平均寿命实验结果表明Cu-O链处局域电子密度ne随Eu、Gd掺杂浓度x的增加而减小,说明Eu、Gd对Y位的替代引起晶胞结构参量的变化不仅改变了Y位的电子密度,同时也影响了Cu-O链周围的电子密度分布;超导转变温度T\-c随Eu、Gd掺杂浓度x增加而略有增加,反映了Eu、Gd掺杂虽然改变了体系的局域电子结构,但没有破坏超导所需的Cu-O链与CuO2面之间的耦合;Y位掺杂体系的超导电性与掺杂离子的磁性无关,而与掺杂离子的半径有关. 相似文献
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采用固相烧结工艺,制备了不同La掺杂量(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25和1.50)的(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15 (SrBi8-xLaxTi7O27)共生结构铁电陶瓷样品.用x射线衍射对其进行微结构分析,并测量铁电、介电性能.结果发现,La掺杂未改变Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15共生结构铁电材料的晶体结构.随掺杂量的增加,样品的矫顽场(Ec)略有增加,剩余极化(2Pr)先增大,后减小.在x=0.50时,2Pr达到极大值,为25.6 μC*cm-2,与Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15相比,2Pr增加了近60%,而Ec仅增加约10%.随La掺杂量的增加,样品的居里温度TC逐渐降低,x=0.50时,TC=556 ℃.在x=1.50时,样品出现弛豫铁电体的典型特征. 相似文献
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本文首次报道了对零电阻温度为115K 的(Bi,Pb,Sb)-Sr-Ca-Cu-(O,F)系列块状超导材料的研究.讨论了材料的化学组成、制备工艺条件、晶体结构等与高温超导电性的关系.从热力学及高温反应动力学方面探讨了 Sb 和 F 的掺杂对体系高温相形成与生长所产生的综合影响.电磁测量和 X 射线衍射结果都表明,体系中除主要为115K 高温相和少量的85K 低温相之外,还发现151K 以上的超高 T_c 相,对这些异常高温相出现的条件和稳定性等问题进行了讨论. 相似文献
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在常温下 ,对La掺杂共生结构铁电陶瓷Bi4 -xLaxTi3O1 2 _SrBi4 -yLayTi4 O1 5[BLT_SBLT(x y) ,x y =0 0 0 ,0 2 5 ,0 5 0 ,0 75 ,1 0 0 ,1 2 5 ,1 5 0 ]进行了拉曼光谱研究 .结果表明 ,在掺杂量低于 0 5 0时 ,La只取代类钙钛矿层中的Bi,当掺杂量高于 0 5 0后 ,部分La开始进入 (Bi2 O2 ) 2 层 .La取代 (Bi2 O2 ) 2 层中的部分Bi以后 ,(Bi2 O2 ) 2 层结构发生变化 ,原有的绝缘层和空间电荷库的作用减弱 ,导致材料剩余极化下降 .La掺杂量增至 1 5 0时 ,样品出现弛豫铁电性 ,这与 30cm- 1 以下模的软化相对应 ,说明La掺杂可引起材料的结构相变 相似文献