新型自倍频晶体的进展

近年来,关于自倍频晶体的研究工作取得了重大进展.自倍频晶体是将激光晶体和倍频晶体合二为一的一类晶体.迄今最主要的自倍频晶体有两种:掺钕和氧化锰的铌酸锂(Nd:MgO:LiNbO3,用NMLN来表示)和硼酸钕钇铝 ,用 NYAB来表示).自倍频晶体可用于直接产生蓝绿激光,其作用原理如下: 用波长为800nm左右的红激光泵浦自倍频晶体,发生激光作用产生波长略大于1μm的近红外激光,同时红外激光在晶体中倍频而产生绿激光. 目前,可以得到的NMLN晶体的尺寸(10 × 10 × 25mm)比 NYAB晶体的尺寸(4 × 4 ×10mm)大,但是 NMLN用于产生绿激光时有两个缺…     

KDP晶体三倍频实验和分析

报道了ＫＤＰ晶体中的三倍频产生的实验研究，计算了比较了直接三倍频过程和级联过程对ＫＤＰ晶体三阶有效非线性系数的贡献，并探讨了ＫＤＰ作为非线性晶体材料三阶非线性系数测量基准的可行性。     

BBO晶体的五倍频

本文报道了用BBO晶体对Nd:YAG激光器输出的1064nm光的五倍频,获得了213nm的紫外输出,266nm转换至213nm的转换效率达48%.并用数值积分的方法从理论上分析了1064nm与266nm的混频过程,得出的结论与实验结果相符.     

La2CaB10O19晶体高效紫外激光输出研究

La2CaB10O19(LCB)为可通过Nd∶YAG激光三倍频产生355 nm紫外激光的非线性光学晶体,其光学性能可与商用化的LiB 3O 5(LBO)晶体媲美,但抗潮解特性优势明显。本文对用LCB晶体实现355 nm紫外激光输出的三倍频产生过程进行了优化设计,利用走离补偿方法来提高激光输出转换效率。通过在光路中加入沿θ=45°方向切割、厚度为1.2 mm的方解石晶体走离补偿片,在脉冲宽度为60 ns、重复频率10 kHz的激光参数下实现355 nm输出功率由12 W提升至20 W;在脉冲宽度为25 ps、重复频率为10 Hz的激光参数下355 nm转换效率由28.3%提升至35.2%。     

Na2SbF5晶体倍频系数的理论计算

本文使用阴离子基团理论计算了Na₂SbF₅晶体的倍频系数,得到d₁₂₃=4.48×10^-10esu,与实验值符合较好。计算结果表明,阴离子基团中孤对电子的存在有利于产生大的倍频效应。本文还分析了Na₂SbF₅晶体倍频系数小的原因:尽管(SbF₅)^2-基团存在孤对电子可以对晶体倍频系数有较大贡献,但孤对电子能级的相对位置对其倍频系数有不利影响,从而导致它的倍频系数d₁₂₃较小。 关键词：     

周期极化KTiOPO4晶体连续倍频绿光输出

采用外加电场极化方法，在Z切1mm厚的KTiOPO4晶体中实现了周期性极化反转。晶体的极化反转周期为9．0／μm，相互作用长度为3mm。波长为1．064μm的基频光功率为900mW，晶体中心温度为32℃时，获得0．532μm、22μW的倍频绿光输出，二次谐波转换效率为0．0024％。     

准相位匹配PPKTP晶体连续倍频13 mW绿光输出

采用高压脉冲电场极化,通过电光效应实时监控、倍频通光二维监控等手段的应用,制备出周期为9μm、长为8 mm、宽为3 mm、厚为1 mm的周期极化KTiOPO4晶体(PPKTP);倍频通光实验中,当波长1064 nm的基频光功率为1 W时,得到了功率为13.5 mW的532 nm连续倍频绿光输出,单通倍频转换效率为1.35%,归一化转换效率为1.69%/(W.cm),接近理论最大值。     

硫氰酸镉锌晶体的振动光谱和结构

本文通过对硫氰酸镉锌(ZnCd(SCN)4,简称ZCTC)晶体的群论、拉曼光谱分析和理论计算发现,对于具有I4对称性的ZCTC,在结构中具有ZnN4、CdS4畸变四面体,ZnN4与CdS4由电子桥-N=C=S-联结构成三维骨架的空间无限延伸的结构网络,畸变四面体产生的偶极矩通过电子桥传递,微观偶极矩通过电子桥-N=C=S-相互叠加,且方向一致,从而使宏观晶体材料显示出大的非线性效应。     

A Micro Blue-violet Laser by Frequency Doubling of Semiconductor Laser

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｔｈｅｂｌｕｅ ｖｉｏｌｅｔｌａｓｅｒｉｓｕｓｅｄｉｎｍａｎｙｆｉｅｌｄｓｓｕｃｈａｓｏｐｔｉｃａｌｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎｓｔｏｒａｇｅ,ｏｐｔｉｃａｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ,ｄｉｓｐｌａｙ,ｅｔｃ..Ｉｔｃａｎｂｅｒｅａｌｉｚｅｄｆｒｏｍｆｒｅｑｕｅｎｃｙｄｏｕｂｌｉｎｇｏｆａｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ.Ｔｈｉｓｌｉｇｈｔｓｏｕｒｃｅｈａｓｔｈｅａｄｖａｎｔａｇｅｓｏｆａｌｌ ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ,ｃｏｍｐａｃｔｎｅｓｓ,…     

1560 nm连续光半导体激光器经PPLN倍频及经铷吸收光谱稳频

将激光器锁定到合适的参考频率上,可以有效地改变激光器的频率稳定性。1560 nm的分布反馈式半导体激光器,可以通过倍频锁定于铷原子吸收线上。实验中我们利用PPLN准位相匹配晶体进行倍频,当输入光为1.6 W时可以获得25 mW的倍频光,非线性转换系数为0.96%/W。我们还将激光器的频率锁定于Rb原子的吸收线上,30 s内剩余频率起伏约为±3.5 MHz。     

大尺寸优质三硼酸铋晶体及其蓝光输出

从以顶端籽晶法生长的大尺寸优质三硼酸铋(BIBO)单晶体制备长为5mm的Ⅰ类倍频器件,在准连续Nd：YAG激光器中获得216mW的蓝光输出,转换效率约为三硼酸锂(LBO)晶体的2倍。     

半导体激光直接倍频的488nm蓝光激光器

利用波导型准相位匹配周期极化反转铌酸锂(PPLN)晶体直接倍频波长为976 nm的连续半导体激光二极管,在最佳晶体工作温度(28℃)下,获得了波长为488 nm的连续蓝光输出,最大输出功率大于20 mW。所用的晶体尺寸为8 mm×1.4 mm×1 mm,波导截面为4.5μm×3.5μm,极化周期为5.2μm。研究了波导型周期极化反转铌酸锂晶体的倍频效率与温度的关系,与普通的周期极化反转铌酸锂相比,倍频效率与温度关系的敏感度较低。同时,由于晶体可以在室温下工作,简化了加温与温控部件,提高了整机的工作效率。在此实验的基础上,制成了一台小型的全固态488 nm连续蓝光激光器。     

不同皮秒非稳腔中的KTP晶体的腔内倍频效应

以ＫＴＰ晶体作为Ｎｄ：ＹＡＰ锁激光器的内腔倍频元件,在带非共振环（ＡＲＲ）的对撞脉冲锁模（ＣＰＭ）非稳腔虚共焦非稳腔中实现高效倍频转换,其倍频能量转换效率 ５３．４％和６０．２％,测定了两种腔型的基波脉宽分别为８ｐｓ和１８ｐｓ,二次谐波输出的最大能量起伏分别为１０．６％和１２．５％。理论分析了两种没腔型及其实验结果的特点。     

非线性晶体内腔倍频的温度模式分布

为了提高谐波转换效率和消除温升引起的晶体走离效应，对于非线性晶体温度场分布特点进行了分析与计算.同时研究了基波偏心辐射对KTP晶体温度场的影响.通过对腔内倍频KTP晶体工作特点的分析，建立了方形非线性晶体热模型并首次引入了方形晶体辐射偏心度的定义.基于热传导方程，得到了温度场分布的一般解析表达式.     

激光二极管泵浦Nd：YVO4晶体的高效内腔倍频绿光激光器研究

对两种Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体的内腔倍频特性进行了研究和实验对比，Ⅱ号晶体的倍频效率比Ｉ号晶体提高一倍，斜率效率达到３１％。此外，用１Ｗ国产半导体二极管泵浦一块浓度２％的晶体，其最高输出绿光达１０８ｍＷ，降低输入泵浦功率，单频绿光功率大于１０ｍＷ。     

Cr,Ca：YAG晶体中四价Cr^4＋中心的晶场特性

综合分析了铬钙离子共掺钇铝石榴石晶体可见光－近红外区的室温吸收光谱,其中四配位和六配位的四价Ｃｒ＾２＋离子光谱成分是共存的,拟合得到的晶场参数符合光谱学的理论和实验规律,并且这两类Ｃｒ＾４＋中心的晶声性质均受到晶体中二价补偿离子Ｃａ＾２＋的影响。     

Improved Uncertainty of Optical Frequency Domain Reflectometry Based Length Measurement by Linearizing the Frequency Chirping of a Laser Diode

Length resolution of optical-frequency-domain-reflectometry (OFDR) is improved by reducing the chirping fluctuation of a laser diode. The fluctuation is detected as the frequency deviation of a beat signal from a reference interferometer, which is used as the control signal for servo-control of the laser diode (LD) drive current. As a result of the effective chirping stabilization, chirping span limited-resolution is achieved. In addition, use of a block gauge as the path difference of the reference interferometer enables the OFDR system to improve accuracy of the length as well as the resolution.     

稳频半导体激光器的温度控制技术

设计了一种用于半导体激光器稳频的恒温控制器,在室温下2h的测试时间中,测试恒温稳定度为5mK,配合稳定度为±2μA的恒流源,半导体激光器自由运行时激光频率波动稳定在100MHz范围内。