CVD金刚石在电真空器件中的应用

介绍了化学气相沉积（CVD）金刚石膜应用于电真空器件夹持杆及输能窗方面的研究进展,和国外对CVD金刚石封接的几种技术解决方案以及国内CVD金刚石膜金属化及封接方面的研究情况。     

电真空器件玻璃加工中变频器的应用

在电真空玻璃器件加工过程中，针对玻璃车床机械式无级调速器发生故障后不易修复等问题，采用变频调速器对其进行就频改造，取得明显效果。     

军用电真空器件可靠性的模糊评价方法

1 概述 军用电真空器件,具有品种类多,数量少、功率大、电压高、结构复杂、价格昂贵等特点,空间卫星用行波管,有的只用一两只,通常难以用常规的统计试验方案来进行可靠性评定。目前行波管的失效率数据,是在收集了大量空间运行数据后,经过统计分析而获得的,这是一种事后现场统计的评价方法。为了满足军事可靠性的要求,工程上往往要求在产品提交使用之前,给出其可靠性预计值。根据军事技术上的可靠性要求和解决统计试验方案所面临的困难,我们利用模糊数学的原理,对军用电真空器件,特别是行波管酌可靠性评价方法进行了探讨,建立了通过综合各种试验信息来预计产品可靠性的综合评定模型。     

电真空器件预防性维修间隔期的确定方法

以可靠性为中心的维修思想极大地提高了装备维修的科学性。基于电真空器件的失效规律，从可靠性、安全性、经济性方面研究了电真空器件预防性维修间隔期的定量分析方法，结合算例论证了分析模型的有效性。     

军用电真空器件可靠性的模糊评价方法（续）

3 行波管的增益变化因子 及功率变化因子 行波管的基本失效率与其工作频率和输出功率有极为密切的关系。为考察行波管的增益变化和功率变化特性,可以在产品提交使用之前,进行一定时间的试验观测。设产品的标称增益和标称功率分别为S_0及P_0,如果对产品进行了1000h的参数性能变化试验,则可测得其增益变化值S_i及功率变化值P_i。若该值随时间变化的特性越接近标称值越好,则可用下列方式来确定模糊矩阵的元素r_(ij)。     

太赫兹微型电真空器件及其制造工艺

随着科学技术发展,人类对电磁频谱的掌握与应用也在不断发展,继毫米波波段开发的日益成熟之后,科学界已开始了向太赫兹领域进军。太赫兹电真空器件可以产生高功率太赫兹辐射真空电子器件,在太赫兹辐射源方面可做出很重要的贡献。本文介绍了国内外几种大力发展的太赫兹真空电子器件的研究技术水平及发展方向;重点分析了太赫兹电真空制造工艺的特点和关键技术。     

电真空器件阴极的技术检测

本文探讨的是纯金属阴极、薄膜阴极和半导体阴极的检测。正确的检测方法对提高电真空器件的产品质量、寿命和可靠性都具有重要的意义。     

电真空器件电极间打火的机理研究

本文对彩色显像管及电真空器件各种打火、击穿现象进行了全面分析,对电极表面存在的微突起、电极材料内含有挥发性杂质引起打火的内在机理作了详细讨论。     

浅析空气净化技术在电真空器件生产中的应用

本文对净化工程技术与电真空器件生产应用中的有关问题作了浅表析述，并提出 措施性意见。     

关于电真空器件认证的思考

分析了在电真空器件领域实施ＱＰＬ认证维持的难点和解决途径，提出了将”相似性鉴定”概念应用于扩展产品鉴定的考虑；分析了在电真空器件的领域实施ＱＭＯ认证的适用性，并提出了初步工作方案和工作思路。     

真空电子器件输出窗次级电子倍增效应研究进展

真空电子器件在毫米波和太赫兹波频段具有大功率的天然优势,可用于构建高效率、大功率的毫米波和太赫兹辐射源,对高功率微波技术及太赫兹技术的发展具有十分重要的意义。输出窗是真空电子器件的关键部件,输出窗击穿是器件失效的主要原因之一,而次级电子倍增效应被认为是输出窗击穿的主要原因。本文梳理了目前分米波及厘米波波段真空电子器件输出窗的研究现状,在此基础上梳理了这一领域未来研究的主要发展方向,以期为未来真空电子器件向更高功率和更高频率等级发展提供参考。     

可伐合金的可控氧化对封接质量的影响

研究了可伐合金表面氧化膜的类型和厚度对玻璃与可伐合金封接质量的影响.结果表明,氧化膜的类型和厚度直接影响金属与玻璃的封接质量.相对于工厂氧化条件,在可控条件下氧化的可伐合金与玻璃封接后的气密性一致性和可靠性较高.随着氧化膜厚度的增加,玻璃沿引线的爬坡高度逐渐增加,当控制氧化膜厚度不超过1.5μm时,爬坡高度都小于200...     

B2O3对Zn-B-P低熔电子玻璃结构和性能的影响

研究了(55–x)ZnO-xB2O3-35P2O5-10RnOm(x=0,10,20,30,40)(Zn-B-P)低熔点电子玻璃的性能和结构,分析了B2O3含量的变化对玻璃的线性热膨胀系数(α)、玻璃转变温度(tg)、化学稳定性(w)及密度(ρ)的影响。通过XRD和SEM研究了玻璃的结构。结果表明,B2O3含量在上述范围内变化时,α从83.5×10–7/K变到74.8×10–7/K,tg从350℃变到468℃,ρ从3.21变到2.61。     

可伐合金与玻璃一步封接工艺的研究

研究了玻璃与具有Fe3O4氧化膜的可伐合金的封接工艺。结果表明最佳熔封温度为980℃,熔封时间为30 min。在此基础上,开发出将脱碳、氧化和熔封集于一个升降温周期的一步封接工艺。该工艺是将未氧化的可伐合金和玻坯首先升温至500℃并氧化40 min,而后升温至980℃并保温30 min,最后缓慢降至室温。结果表明,当采用该工艺时,与传统工艺相比不仅能简化操作,而且封接件的封接质量更高、可靠性更好。     

全玻璃平板型夫实荧光光源的工艺探讨

提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（VFLS）管,与国际上传统的真空荧光光源管比较,新的器件在大面积碳场发射阴极,厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源管内的工作原理出发,分析了该器件工作时管内发生的主要物理过程,详细介绍了研制VFLS管的制造工艺,并讨论了此工作目前存在的问题及前景。     

基于STM32的真空玻璃传热参数测试装置的研制

真空玻璃传热参数测试装置是一种专门测量真空玻璃传热参数的仪器设备。真空玻璃传热参数表征真空玻璃隔热保温、隔音降噪、防结霜结露等特性。以国标JC/T1079-2008为依据,并根据真空玻璃传热参数测试装置的组成结构,分别对其内部模块、电路控制系统、检测系统平台进行了研究、设计及制作;对真空玻璃在恒温条件下进行多次测试并研究分析了影响真空玻璃传热参数的一系列因素,测试出相应待测真空玻璃样品的传热参数。     

碳化硅电力电子器件在电力系统的应用展望

就目前来看,我国的科学技术得到快速发展。在这一背景下,半导体的器件在制作以及生产的工艺上都得到一定的发展。而碳化硅属于宽带材料的一种,其主要的特点是高热导率、高饱和电子漂移速率以及高击穿场强等。通过这种新型的半导体,可以实现大功率、高压以及高温应用。另外,由于碳化硅成本的大幅度降低,且其性能得到提升,使得碳化硅在电力系统中得到普遍使用。本文将对电子系统中碳化硅电力电子器件的应用进行了深入的分析以及探讨。     

真空微电子压力传感器阵列数据采集研究

阐述了真空微电子压力传感器阵列的工作原理和工作波形。设计了一种供真空微电子压力传感器阵列器件使用的 12位A/D数据采集系统。系统采用微机为主控单元 ,地址发生和时序控制部分采用可编程逻辑器件 (CPLD)实现 ,提高了设计的灵活性 ,简化了电路板设计。利用该采集系统对压力传感器阵列进行了数据采集 ,最后给出了实验结果     

MEMS封装中真空封口及真空度检测技术

通过对MEMS封装技术进行研究攻关 ,突破了针对微机械陀螺仪器件性能发挥所需的真空封口技术及真空度检测技术 ,使器件品质因数提高将近 10倍     

基于应变液晶技术制备反式电控调光玻璃的研究

基于应变液晶原理,在聚合物分散负性液晶紫外光固化相分离过程中采用二次曝光技术,进行第二次曝光时施加了垂面拉伸应力,制备出应力诱导垂面定向聚合物分散负性液晶反式电控调光玻璃样品。样品既具有反式压光效应调光玻璃功能,又具有反式电控调光玻璃功能。处于半透明态时,透光率接近30%;施加压力或电场后变散射雾态,雾度90%以上。反式电控调光玻璃研究是调光玻璃领域难题,采用应变液晶技术制备反式电控调光玻璃对液晶电光器件的研究和应用具有重要意义。