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采用热丝化学气相沉积生长出优异的金刚石薄膜。研究了薄膜的分层生长过程,薄膜的层状结构及膜厚随沉积时间的变化特性。 相似文献
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近年来,类金刚石碳膜引起了很大关注。本文采用直流辉光放电法和外加直流偏 压高频辉光放电法制备非备晶碳膜,证实了直流辉光放电法的生长机理是正离子淀积过程;而高频辉光法的生长机理则比较复杂,可能存在正离子和自由基的混合过程。生长温度对薄膜折射率有一定影响。 相似文献
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《大气与环境光学学报》2000,(2)
金刚石具有独一无二的理想特性,即使它的一些特性没有完全实现,但仍然解决了许多电子学应用问题。在氢环境下通过脉冲激光淀积产生的金刚石薄膜有望进入一个全新的应用领域,且相对其他薄膜有重要改进。这些改进包括金刚石结构的晶体管比硅结构的晶体管能够在更高的温度下以更快的速度运行,以及“冷阴极’的开发用于未来平板显示器。直到最近,研究人员一直认为氢的存在在金刚石薄膜的生长过程中起至关重要的作用,东京技术研究所的一个研究小组发现了通过在稀薄氧气条件下使用脉冲激光淀积的途径来替代氢气方法。实验装置的核心是一台L… 相似文献
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本文介绍了金刚石薄膜和类金刚石薄膜的制备与薄膜性能分析方法,也介绍了它们的应用前景。本文给出了华北光电所研究类金刚石薄膜的结果。 相似文献
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HFCVD方法沉积金刚石薄膜的生长研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所偶到的问题,研究了热丝方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中,衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备膜晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响。 相似文献
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用热丝化学气相沉积法在Si(110)和钛合金衬底上淀积了金刚石薄膜。借助扫描电镜、喇曼光谱和X射线衍射等分析手段,研究了灯丝温度和衬底表面预处理对合成金刚石薄膜的影响。灯丝温度超过2300℃时,金刚石薄膜中含有多晶碳化钨;灯丝温度在1500~1800℃之间时,非金刚石碳相的含量增加。经预淀积类金刚石薄膜后,金刚石薄膜的形核密度大于机械抛光的形核密度。 相似文献
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本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所遇到的问题,研究了热丝CVD(HFCVD)方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中,衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备腹晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响. 相似文献
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近年来,利用高温CVD技术淀积大面积、高质量金刚石薄膜的研究已取得了突破性成果。但随着金刚石薄膜在光学、医学、光电子学等领域的应用,低温合成纳米金刚石薄膜已成为目前国内外研究的重点课题。纳米材料本身的优越性及金刚石薄膜所具有的优异物理化学性质,将使纳米金刚石薄膜具有广阔的应用前景。故低温合成纳米金刚石薄膜的研究具有重要的实际意义。本工作采用激光辅助技术,利用非聚焦的准分子激光束激活硅(Si)基片表面粒子,激光能量为70~180mJ,激光脉宽为20us。反应气体为CH4 H2,所用基片为Si(100)单晶片。在基片温度… 相似文献
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本工作研究了在热丝(HF)CVD法生长金刚石薄膜中的热丝技术,给出了一种通常作为热丝的钨丝的实用性预处理方法,并且研究了热丝温度分布对生长膜厚度的影响,发现膜厚分布与基片表面温度分布是一致的。 相似文献
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采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积 (RF HFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了高质量的纳米金刚石薄膜 .研究了衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性和光学性质的影响 ,其最佳值分别为70 0℃、2× 133Pa和 2 0 0W .在该条件下金刚石成核密度达 10 11cm-2 ,经 1h生长即获得连续薄膜 ,其平均晶粒尺寸为 2 5nm ,表面粗糙度仅为 5 5 ,在近红外区域 (80 0nm处 )的光透过率达 90 % . 相似文献
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低压气相生长金刚石薄膜成核机理的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述了低压气相生长金刚石薄膜中活性原子团CH_3和原子态氢在金刚石成核运动中的作用以及衬底材料性能对成核的影响,认为活性基CH_3是生长金刚石的主要活性物质,它们在衬底表面的吸附、碰撞、聚集等构成了成核运动,原子氢在成核运动中的主要作用是参与CH_3的脱氢反应和石墨相碳原子团的刻蚀反应,并且还有稳定CH_3中SP ̄3杂化轨道的作用。衬底材料性能对成核的影响在于晶格失配而导致的错配位错和晶格畸变所引起的界面势垒和晶核弹性能的增加。最后讨论了金刚石薄膜与衬底之间是否存在过渡层问题,认为过渡层不是金刚石唯一的成核区,它的存在与生长条件密切相关,并且解释了关于过渡层实验研究中遇到的相互矛盾的结论。 相似文献