IMPATT二极管热阻测试

本文讨论了热阻测试的基本理论;并讨论了如何利用海兹(Hatzi)法选择适当的测试频率测量IMPATT二极管的热阻.利用测试信号频率与热流传播深度的关系可选用不同频率测得管芯热阻或整个器件热阻.并可鉴别管芯焊接质量.本文还用实验验证了测试频率与样品面积的关系.     

GaN基同型异质结IMPATT二极管噪声特性研究

针对p型GaN IMPATT制造工艺仍未成熟,提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN n-n型异质结构来取代常规p-n结构,使GaN IMPATT二极管工作在IMPATT模式下。研究了这种n-n型In0.4Ga0.6N/GaN碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管的噪声特性,与同等条件下的传统GaN基p-n结IMPATT二极管作比较。结果表明,在不同偏置电流密度和不同InGaN层厚度下,该器件的噪声特性均好于传统p-n结构。结合器件交流输出特性可以得知,In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结IMPATT器件不仅在功率效率上优于GaN p-n结构,其噪声性能表现亦优于传统GaN p-n结构,特别是在高频段的噪声特性优势更加明显。该研究可以为GaN基IMPATT器件的设计提供更多的思路和参考。     

SiC/GaN IMPATT二极管的交流性能研究

利用p型宽带隙材料SiC替代p型GaN,制作了一种p-SiC/n-GaN异质结双漂移(DDR)IMPATT二极管.对器件的交流大信号输出特性进行数值模拟仿真.结果表明,相比传统GaN单漂移(SDR)IMAPTT二极管,p-SiC/n-GaN新结构DDR器件的击穿电压、最佳负电导、交流功率密度和直流-交流转换效率都获得了...     

高效率和低EMI二极管

Qspeed二极管采用独特的硅基工艺,兼具一个极低的反向恢复电荷（Qrr）和一个极软恢复波形。这些先进特性能够帮助设计师优化其电源转换电路的效率和EMI性能。Qspeed二极管非常适用干连续导通模式（CCM）升压式功率因数校正（PFC）电路,并在硬开关应用中用作输出二极管。     

GaAs垂直结构PIN二极管限幅器

基于垂直结构GaAs PIN二极管的工艺技术开发,在GaAs PHEMT生产线上开发研制了GaAs PIN二极管限幅器单片集成电路.针对不同频段的单片电路采用了不同的材料结构参数设计.工艺中采用先进的深挖槽技术,严格控制横向钻蚀问题,制作出了限幅水平40 mW、最大承受功率5 W的多个频段GaAs限幅器单片电路,成品率达到95%以上.GaAs垂直结构PIN二极管工艺对GaAs PIN二极管大功率开关、限幅器等GaAs MMIC的发展具有重大意义.     

X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管

报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz～12.1GHz范围内,正向电流为10mA时的开关电阻小于2.2Ω,而反向电压为-10V时开关电容小于20fF.     

X波段低损耗高隔离开关应用的GaAs PIN二极管

报道了一种适用于X波段的低损耗高隔离度开关的GaAs PIN二极管.讨论了GaAs PIN二极管的物理特性和主要电学参数对开关性能的影响,并且介绍了工艺制备过程.测试结果表明在100MHz～12.1GHz范围内,正向电流为10mA时的开关电阻小于2.2Ω,而反向电压为-10V时开关电容小于20fF.     

GaAs PIN二极管的新等效电路模型

基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.     

GaAs PIN二极管的新等效电路模型

基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P n-结、基区和n-n 结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.     

Ka波段GaAs HBT PIN二极管开关和移相器

Ｋａ波段ＧａＡｓＨＢＴＰＩＮ二极管开关和移相器在要求开关速度快、功率处理能力强的微波电路领域，ＰＩＮ二极管的工艺简单，用ＨＢＴ材料体系中的基区层（ｐ＋）、集电区层（ｎ－）和集电区第二层（ｎ－）就可容易地制成，因而使含有开发、移相器和放大器的多功能组件...     

高纯GaAs的非线性伏安特性

报道了４．２Ｋ下Ｎ型高纯ＭＢＥＧａＡｓ的非线性伏安（Ｉ－Ｖ）特性．在第一个Ｓ形负阻区的高场侧，发现了另外三个Ｓ形负阻区．建立了新的产生－复合模型，给出了多个负阻现象的微观物理机制．进一步的实验结果表明，非线性Ｉ－Ｖ特性的滞后现象与外电场变化的历史有关．     

毫米波段的连续波IMPATT二极管和振荡器

本文概述了频率范围30至250GHz毫米波段的硅连续波IMPATT二极管和振荡器的目前水平。并论述了设计程序,制造和封装技术及二极管振荡器的现有性能,同时扼要地叙述了目前器件的可靠性,讨论了低于100HGz日趋于成熟的器件技术和高频段目前主要基于实验室技术之间的对比。最后,预测了未来的发展方向。     

掺入杂质提高GaAs二极管激光器产品质量

施主扩散杂质作为制造砷化镓二极管激光器的一种辅助手段很有前途。伊利诺斯大学和加州施乐研究中心研制了这种工艺。该工艺允许对制造激光器的晶片材料进行横向修改，以增加带隙、折射率和电导率的变化。研制者已得到有关这种工艺的两项专利，这种制造激光二极管的方法在商业上颇有潜力。     

用于GaAs IMPATT二极管的p~+-n_1-n_2-n~(++)多层汽相外延生长

本文报导一种采用双室矩形反应管生长p~+-n_1-n_2-n~(?)多层汽相外延技术.Zn和Sn分别为P型和N型掺杂剂.本技术能避免杂质存贮效应,使多层外延的浓度分布陡峭,p~+层中Zn对n_1层施主补偿小,n_1浓度下降一个数量级时n_1-n_2之间的过渡区为0.05～0.l微米,n_2-n~(?)之间的过渡区约0.5微米.本工作还研究了不同衬托倾斜角α和反应气流速度对外廷层横向均匀性的影响.实验证明,当α=22°时,运用局部气流加速法使外延层横向均匀性得到了明显改善.对于面积为4.5平方厘米的多层材料,5～7微米厚的n_2层,其横向厚度的最大偏差为±4.6%;亚微米厚的n_1层,其横向厚度是最大偏差为±17%;n_1层横向浓度的最大偏差为±5.1%.实验证明,用本技术生长的p~+-n_1-n_2-n~(?)多层材料,在保证有较高的输出效率的前提下,提高了器件的可靠性.材料性能优于传统的液相外延技术.制备IMPATT器件的典型结果为:在8千兆赫下最高的连续波输出功率达2.93瓦,效率20.5%、与Pt H-L结构的器件相比.工作寿命显然较长.文中还对Zn的掺杂行为进行了初步的讨论.     

日本对GaAs二极管传送电视的研究

在GaAs二极管上通以正向电流,即能产生釭外钱（非相干光,其波长为0.84~5.2微米）。用它可以传送声音和电视。     

安捷伦新型GaAs射频芯片及肖特基和PIN二极管

安捷伦科技公司近期推出了采用超小表面封装（ＭｉｎｉＰａｋ）的新型ＧａＡｓ射频芯片及单管、对管系列肖特基二极管和ＰＩＮ二极管。该封装高度仅为０．７ｍｍ ,面积为１．７５ｍｍ２,具有寄生性小 ,热传导性高等特点。针对手机和ＩＳＭ频段的使用特点 ,超小封装（ＭｉｎｉＰａｋ）的尺寸比行业标准ＳＣ -７０封装小６０ %。ＭＧＡ -７２５Ｍ４型ＧａＡｓ射频芯片是一种带旁路开关的高性能低噪声放大器（ＬＮＡ）。该型号分单管和对管两种类型 ,并具有良好的一致性。在偏压３Ｖ ,电流２０ｍＡ的条件下 ,在２ＧＨｚ处测得ＭＧＡ -７２５Ｍ…     

掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL2和位错密度分布

测量比较了掺Si和未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度和位错密度分布。结果表明,掺Si样品中EL2浓度径向分布和位错密度径向分布分别为M形和W形,而未掺杂样品中两者均为W形。讨论了两者间不同对应关系的机理。     

C掺杂GaAs外延层光学特性分析

对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.     

MPS二极管的少子特性仿真

混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p^+区向漂移区注入的少数载流子浓度随外加正向电压和pn结面积占元胞总面积比例的增大而增大。虽然漂移区的少数载流子改变了MPS二极管的工作模式,增大了电流,但是存储在漂移区的少数载流子增大了反向峰值电流和恢复时间,进而增大了功耗并降低了关断速度。折中考虑正向电流和反向恢复特性,可获得具有正向电流大、反向峰值电流小和反向恢复时间短的MPS二极管。