复合钝化工艺在大功率晶体管上的应用

近十年来,国内几家生产大功率晶体管的大型企业在大规模引进的前提下才使电泳玻璃钝化工艺在大功率晶体管上投产。这对中、小型企业来说是可望而不可及的。为使本厂产品的质量得以改善,我们在近半年试制过程中,成功地将电泳玻璃钝化与聚酰亚胺表面钝化(以下     

晶体管控制的循环灯简易电路设计

利用几只晶体三极管、发光二极管、电容以及电阻就可构成按照预定的目标、预定的时间进行发光的循环灯简易电路,电路使用简单方便,易于实现,价格便宜。     

简易数字控制晶体管测试仪的设计

设计了一个简易的数字控制晶体管测试仪系统,该系统采用单片机ATmega328p作为控制核心,通过其内部三路ADC分别采样电压后送CPU处理后,通过LCD1602点阵图形液晶显示。系统软件采用C语言利用模块化编程思想,它具有功能稳定,精确度较高和易于功能扩展等特点。该系统具备一键测量功能,能够自动识别二极管、三极管、电阻、电容和电感,识别后自动进入参数测量模式,最后将测量元器件的类型对应的管脚以及该元器件的相关参数通过液晶显示出来。     

铁电负电容场效应晶体管器件的研究

铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matlab软件对负电容场效应晶体管的器件特性进行了研究分析,获得了亚阈值摆幅为33.917 6 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构,探究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度及不同铁电材料对负电容场效应晶体管亚阈值摆幅的影响。     

射频微波晶体管的发展现状及分析

对当前各种类型射频微波晶体管的结构特点、性能和应用情况进行了分析和综述.对晶体管的发展历史进行了全面而细致的回顾,指明了今后射频微波晶体管的发展特点和发展趋势,得出了射频微波晶体管的选型原则.     

硅微波功率晶体管镇流电阻的设计

从热稳定条件出发，对扩散镇流电阻的设计进行了详细的计算和分析，讨论了在保证器件增益前提下提高器件热稳定性的措施，器件应用显示出了良好的结果，最后提出了一种新的没有热崩现象存在的高可靠器件的设想。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

掺砷多晶硅在微波晶体管中的应用

报道了用低压化学汽相淀积生长掺砷多晶硅的实验结果。应用掺砷多晶硅作发射板材料，研制出Ｃ波段连续波输出功率大于３Ｗ的晶体管和Ｌ，Ｐ波段１００Ｗ的脉冲功率晶体管。     

高功率密度30V功率晶体管

30V表面贴装功率晶体管采用STripFET VI DeepGATE制造工艺,大大提高单元密度,新产品具有出色的导通电阻。首批产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品。STL150N3LLH6采用5mm×6mm PowerFLAT封装,单位面积导通电阻达到极低;STD150N3LLH6采用DPAK封装,导通电阻为2．4mQ。     

晶体管发射结正向电容的测量及分析

晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响 ,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题。文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容 ,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化。文中还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试 ,估算了晶体管的正向渡越时间的范围 ,并得到晶体管发射结中等正向偏压以下的势垒电容。     

P波段100W（CW）硅大功率平衡晶体管的设计

本文介绍了采用网状发射极图形结构、浓硼扩散发射极镇流电阻以及用输入端内部网络匹配和平衡结构器件组装形式研制出的硅大功率器件，该器件在２２５～４００ＭＨｚ频率下输出功率１００Ｗ，增益７．５ｄＢ，效率５５％。     

电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器

电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 ,并将它应用于差分四象限模拟乘法器     

提高微波功率双极晶体管性能的研究

通过对硅S波段微波功率双极晶体管的结终端技术实验数据对比和晶体管镇流电阻设计的考虑,提高了微波功率双极器件的击穿电压和电流通过能力及抗烧毁能力。微波器件采用这些技术后,器件的工作频率不但没有降低,反而从原来的S波段的低端(2.25～2.55 GHz),提高到了中高端(3.1～3.5 GHz);器件的集电结反向击穿电压50 V以上的比率由原来的17.6%提高到63.5%;器件的功率增益也从6 dB提高到7.5 dB以上,证明了该工艺方法的有效性与可行性。     

使用六只晶体管的逻辑探头

图1中的电路用三只NPN晶体管和三只PNP晶体管做了一个逻辑探头。两只晶体管作为驱动LED的开关;逻辑1是绿色LED,逻辑0是红色LED。Q₁和Q₂测试探头尖的逻辑1状况,Q₃和Q₄测试逻辑O的状况。Q₁在Q₂射极电路中用作齐纳二极管。R₁₂和R₁₄构成的分压     

硅化物阻挡层对高压漏扩展MOS晶体管的影响

Silicide-block-film effects on drain-extended MOS （DEMOS） transistors were comparatively investigated, by means of different film stack stoichiometric SiO2 and silicon-rich oxide （SRO）. The electrical properties of the as-deposited films were evaluated by extracting source/drain series resistance. It was found that the block film plays a role like a field plate, which has significant influence on the electric field beneath. Similar to hot-carrier- injection （HCI） induced degradation for devices, the block film initially charged in fabrication process also strongly affects the device characteristics and limits the safe operating area.     

电泳法玻璃钝化在大功率晶体管上的应用

玻璃钝化由于具有高可靠性和稳定性,被广泛用于高反压大功率三极管的台面钝化.目前,形成钝化膜的方法主要有电泳法、阴极溅射法、离子沉淀法、汽相淀积法和“博士”,刀片法等几种方法.电泳法虽然工艺比较复杂,但由于它选择性强,膜厚容易控制,一致性好,光刻兼容容易等特点而被广泛使用.     

硫化硅橡胶钝化工艺在大功率晶体管上的实际应用

本文介绍了硫化硅橡胶钝化工艺,简单分析了直角造型的优点,简化了钝化工艺,使器件高温特性得到改善,BV_(ceo)击穿电压比负角台面造型提高30～50V。基本消除有毒有机化学药品对人体危害,并成功应用在批量生产中。     

射频晶体管3DG2714基极电阻R_(bb’)的分析与研究

射频晶体管具有高的特征频率fT,高的功率增益GP。为此在工程上多采用浓硼扩散形成嫁接基区。尽可能减少基极电阻Rbb’,同时采用梳状结构电极,浅结扩散,小的结面积等工艺,提高fT,从而双方面提高功率增益GP。文章以该公司生产的射频晶体管3DG2714为例,分析了发射结下基区部分电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb1,分析了发射极与基极之间淡硼扩散区的电流流动状态,合理计算了这部分的基极电阻Rb2,忽略了两个影响极小的电阻,计算了总的基极电阻Rbb’。为减小基极电阻提高功率增益的射频晶体管设计制造提供了依据。     

雪崩晶体管在纳秒脉冲驱动电路中的应用

介绍了一种可用于半导体激光器、高速摄影、信号处理以及激光雷达的纳秒脉冲驱动电路。利用晶体 管的雪崩效应,通过两级雪崩晶体管阵列,得到了7 ns、6 A的大电流窄脉冲。并对触发脉冲的获得、电路板的 印制进行了简要的介绍。