Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

在低温（15K—25K）和强磁场（0—10T）条件下，对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式，拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带S dH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的. 关键词： AlGaN/GaN异质结构 SdH振荡 磁致子带间散射 磁阻拍频     

GaAs/AlGaAs异质结动力学行为研究

建立在空间电荷转移框架下,考虑GaAs/AlGaAs异质结物理模型,推导相应动力学方程,比较详细地分析了系统随激励电场变化出现的复杂分支情况.分析表明,直流场下稳态解和周期振荡解并存,理论上对滞后现象进行解释.对GaAs/AlGaAs异质结在微波场中动力学行为进行数值模拟,得到在输入场强度变化的一定范围内,具有锁频、准周期和混沌特性 关键词： 负微分电导率 异质结 分支 混沌     

电泳法制备ZnO/YBCO异质结及电学性质研究

采用电泳方法及高温煅烧工艺制备ZnO/YBCO异质结,XRD图谱显示ZnO具有c轴方向的择优取向。在SEM的截面图中可观察到ZnO与YBCO结合致密,放大500倍的表面形貌图呈现织构(textured)的微结构特征,放大5000倍的表面形貌图中可观察微米量级的六方晶粒。通过对ZnO/YBCO异质结的电学性质进行测试,结果显示整流特性。     

AlGaAs/GaAs异质结中的平行电导效应

本文计算了AlGaAs/GaAs异质结在大栅压下,出现“平行电导效应”时的栅压与平行导电层中电荷的关系。由此给出了高电子迁移率晶体管(HEMT)在大栅压时跨导变化的特性,与实验进行了比较,符合较好。 关键词：     

AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究

通过低温和强磁场下的磁输运测量研究了Al0.22Ga0.78N/GaN调制掺杂异质结构中2DEG的子带占据性质和子带输运性质.在该异质结构的磁阻振荡中观察到了双子带占据现象,并发现2DEG的总浓度随第二子带浓度的变化呈线性关系.得到了该异质结构中第二子带被2DEG占据的阈值电子浓度为7.3×1012cm-2.采用迁移率谱技术得到了不同样品的分别对应于第一和第二子带的输运迁移率.发现当样品产生应变弛豫时第一子带的电子迁移率骤然下降,而且第二子带的电子迁移率远大于第一子带的电子迁移率.用电子波函数分布和应变弛豫时的失配位错散射解释了上述现象.同时进一步说明了界面粗糙散射和合金无序散射是决定AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG迁移率的主要散射机理.     

InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应

用5.8,3.0和1.2MeV的Li离子对用MBE制备的In_0.25Ga_0.75As/GaAs(100)异质结在(100)面中沿[100]及[110]轴进行角扫描。5.8MeV时,[110]轴外延层与衬底沟道对准角的差值为0.90°,从而计算出其晶格失配度为1.62％。3.0MeV时,背散射角扫描谱出现了严重的不对称现象。若离子以1.2MeV入射,沟道对准角的差值及衬底沟道的半角宽大大地偏离实际值。本文对以上反常现象从物理机理上进行了分析,给出了这些反常离子沟道 关键词：     

AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究

在1.5K低温和0～9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-da HaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据.通过电子子带占据时电子浓度分配的线形行为得到第二子带被占据的阈值浓度为7.2×1012cm-2.通过对不同样品量子散射时间和输运迁移率的研究,说明在1.5K下远程离化施主散射在量子散射时间中起主要作用.     

La1.89Ce0.11CuO4/La0.7Ca0.3MnO3异质结的原位制备及输运性质研究

采用脉冲激光沉积方法,在SrTiO3(STO)基片上原位制备了电子型掺杂高温超导体La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)与超大磁电阻(CMR)材料La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)异质结.使用X射线衍射和透射电镜分析,表明异质结是c轴取向外延生长.LCCO层的超导转变温度TC0是18.5K,LCMO层的金属-绝缘转变温度为195K.我们研究了这种异质结的界面微分电导,得到LCCO的能隙大小是4.2meV.     

电子型高温超导体/铁电体/巨磁阻材料异质结的生长及其电输运性质的研究

本文中采用脉冲激光沉积的方法原位制备了结构完整的La1.89Ce0.11CuO4(LCCO)/Ba0.7Sr0.3TiO3(BST)/La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)三层膜,并在此基础上制得了类似P-I-N型的全钙钛矿结构材料异质结.在不同的温度区间对其电输运性质进行了测量.测量结果表明随着充当绝缘层的Ba0.7Sr0.3TiO3的厚度的变化,异质结的电输运机制也在变化.当其厚度到达25纳米时,整个结在低温区呈现良好的整流特性.     

掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延生长

较为系统地研究了掺碳p型GaAs和InGaAs的金属有机物分子束外延(MOMBE)生长特性和电学特性。结果表明,衬底温度和分子束强度等生长条件对于样品的生长速率、空穴浓度及In组分含量等具有较大的影响,在InGaAs的生长中这种影响更为强烈。根据对实验结果的分析,可以认为,作为分子束源之一的TMGGa(CH₃)₃,trimethylgallium,三甲基镓的分解状态与生长条件的相关性,是引起生长速率和空穴浓度等变化的主要因素。 关键词：     

GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长

本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED强度振荡,并利用它成功地生长10个周期的GaSb/AlSb超晶格,透射电子显微镜照片显示界面平整、清晰,采用较厚的AlSb过渡层及适当的生长条件,可在半绝缘GaAs衬底上生长出质量好的GaSb外延层,其X射线双晶衍射半峰宽小于 关键词：     

GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性

采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵,其光荧光谱显示出蓝移,并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大。     

GaAs-InP异质材料的结构特性和光学特性研究

我们在低压金属有机汽相沉积(MOCVD)设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出GaAs-InP材料,并对此进行了X-射线衍射、低温光致发光谱(PL)和Raman谱分析,结果表明,GaAs外延层的位错密度低于用两步升温法得到的GaAs材料,PL谱峰较强,GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰同时被测到。Raman谱PL谱的峰移表明GaAs外延层处于(100)双轴伸张应力下,应力大小随温度变化是由于GaAs、InP之间的热膨胀系数不同。     

GaAs/AlGaAs量子阱材料的X射线形貌及其发光性能

本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的位错。在有应变超品格过渡层高温生长的量子阱材料中,位错及光致发光性能有明显的改善。     

掺锌LiNbO3晶体的生长及其光学性能

在LiNbO₃中掺进3mol%、5mol%、7mol%ZnO生长Zn:LiNbO₃晶体.测试Zn:LiNbO₃晶体的吸收光谱,研究Zn:LiNbO₃晶体吸收边紫移的机制.测试Zn:LiNbO₃晶体的红外光谱,研究Zn(7mol%):LiNbO₃晶体OH 吸收峰由3484cm^-1移到3530cm^-1的机制.测试Zn:LiNbO₃晶体倍频转换效率和相位匹配温度,研究Zn:LiNbO₃晶体倍频转换效率增强的机制.     

交叉电场和磁场下GaAs/AIGaAs超晶格子带结构

本文用有效质量理论计算了加平行磁场(方向平行于GaAs/AlGaAs界面)和垂直电场(方向垂直于界面)的超晶格子带结构和光跃迁。加平行磁场后,空穴子带的二重简并解除,轻重空穴混合。加电场后,产生Stark位移,电子和空穴能级发生一定位移。最后,讨论了磁光跃迁概率。     

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线半峰宽研究

本文研究了晶体X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系,外延层之间X射线衍射的非相干叠加以及热应力引起的晶格应变和晶面弯曲对摇摆曲线半峰宽宽窄的影响.     

Bi2201体系中Raman散射、微结构和输运性质研究

利用Ｘ－光衍射,电子衍射,Ｒａｍａｎ散射和电阻率等手段对多晶样品Ｂｉ１．８Ｐｂ０．２Ｓｒ２Ｃｕ１－ｘＦｅｘＯｙ,Ｂｉ１．８Ｐｂ０．２Ｓｒ１．６＋ｘＬａ０．４－ｘＣｕ１－ｘＦｅｘＯｙ的结构和性能进行了研究。结果表明：Ｂｉ２２０１体系的调制特征与客外氧的多少无关,６２５ｃｍ＾－１附近的Ｒａｍａｎ峰受‘电荷转移’效应和调制结构变化的显著影响,晶体的微结构变化强烈影响体系的超电性和输运性质。