四深针法测半导体电阻率的探针游移误差

本文首先导出四探针处于平面上任意位置时求算电阻率的公式,并由此出发获得一包括横向及纵向游移在内的游移误差普遍公式,用此公式可计算出直线探针及方形探针游移误差的大小。此外,还计算出了这两种探针用来测量薄片样品时的探针游移误差。研究指明在作精确测量时游移误差是不容忽视的。最后并讨论到消除或减少深针游移误差的方法。     

直边界对电阻率测量的影响及修正

针对直线四探针法中直边界对硅片电阻率测量的影响开展了实验研究.结果表明,直边界会导致硅片电阻率测量结果偏大.依据实验数据,分析得到了存在单一直边界影响时的电阻率修正公式,并验证了该公式是有效、准确的.     

用四探针法测量矩形半导体电阻率时的修正函数

本文对于应用四探针法测量矩形半导体电阻率问题进行理论分析,在同时考虑样品有限长、宽、厚三个几何尺寸对测量过程的影响的条件下导出修正函数的一般公式,并把根据这些公式计算的一些修正因子列成数据表。指出了为减小电阻率的测量误差,除了提高测量设备的精确度和改进测量技术外,正确的选择修正因子也是一个重要因素。 关键词：     

把"四探针测量金属薄膜电阻率"引入普通物理实验

四探针测量金属薄膜电阻率是当今微电子技术领域中常用的方法．本文介绍了如何把“四探针测量金属薄膜电阻率”的实验引人到普通物理实验教学中,以及在实验内容的编排上如何培养学生发现问题和解决问题的能力等方面的具体做法．     

测量电阻率时金属棒的长度的取法

测量电阻率时金属棒的长度的取法吴集泉，吴国进，吕振洪（青岛海洋大学２６６００）用凯尔文电桥测量金属棒的电阻率，常见的物理实验讲义是取一定长度，多次测量统计平均取得结果的７由于金属棒是低值电阻，接触端是有一定宽度的金属环、片（见图１），测量长度时的首尾...     

金属-块状半导体的接触电阻率——四点结构模型

本文提出一种测量金属-半导体体样品的接触电阻率ρ_c的方法——四点结构模型。四个金属电极的排列不受任何限制,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道的一致。 关键词：     

非晶态Fe_(90-x)Cr_xZr_(10)合金的相干交换散射效应

用四探针法在1.5—300K温度范围测量了非晶态Fe_(90-x)Cr_xZr_(10)(x=0,2,7,10,13,16和20)合金的电阻率与温度的关系。观察到所有样品在其居里温度附近都呈现出电阻率极小值。对这一实验结果用相干交换散射模型作了定性解释。     

非晶态Fe_(90-x)Cr_xZr_(10)合金的相干交换散射效应

用四探针法在1.5—300K温度范围测量了非晶态Fe_(90-x)Cr_xZr_(10)(x=0,2,7,10,13,16和20)合金的电阻率与温度的关系。观察到所有样品在其居里温度附近都呈现出电阻率极小值。对这一实验结果用相干交换散射模型作了定性解释。     

在矩形样品中Rymaszewski公式的适用条件的分析

用有限元法计算了用Rymaszewski公式测量矩形样品薄层电阻时的理论误差与探针距及其游移度、探针离开边界距离的关系;找出了实际测量时理论误差小于3%可放置直线四探针的中央区宽度,并给予实验验证.同时对利用无限系列镜像理论证明得出小矩形样品的薄层电阻测量不受样品边界和探针游移的影响的新方案提出了异议. 关键词：     

低维半导体器件电阻率的测试理论与实验研究

针对二维和三维半导体器件的电阻率测试进行了详细的理论分析和实验研究．阐述了常规四探针法、改进的四探针法以及两探针法的使用范围,重点讨论了范德堡方法在低维半导体材料电阻率测试中的应用．以NiCo2O4外延薄膜为例,具体分析了材料的导电机理．     

三维感应成像测井仪设计与实现

砂泥岩薄互层电阻率准确测量是提高泥质砂岩储层计算的一项重要工作。为了解决薄互层电阻率准确测量问题,该文提出一种三维感应成像测井仪的设计与实现方法。首先,基于感应电磁测量方法,设计由1个三轴发射器、4个单轴接收阵列和3个三轴的接收阵列组成的三维探测器。在此基础上,通过三维线圈系参数与结构创新设计、多频循环发射、高精度多道同步采集、高性能发射接收一体化集成等技术实现,在每一个深度点可获取78个电导率测量值。最后,利用数据校正与处理技术来消除各种环境影响,经过理论模型和实际资料的处理结果均证实,该仪器处理得到5条不同径向探测深度的水平电阻率与垂向电阻率、地层倾角等曲线,实现了对薄互层电阻率的准确测量。     

四流体模型与m=1内扭曲模稳定性分析

利用描述俘获粒子运动的四流体模型推导出包含俘获粒子效应,离子反磁漂移,有限电阻及反常电子粘滞效应的ｍ＝１的内扭曲模本征方程和色散关系,并在等离子体芯部存在与不存在的高能粒子的两种情况下,讨论了俘获粒子效应和各种耗散效应对内扭曲模的影响。     

二维非均匀介质中大地电磁响应的计算

在二维埋均匀介质中,将大地电磁问题可看作电磁波在有耗开放波导中的传播问题,借用研究波导问题的数值模式匹配法予以解决,在计算Ex型问题时,使用Hermite基函数和非均匀无素;在计算Hx型问题时,使用变型Hermite基函数,并与有限元法进行了比较。     

冲击压缩下聚四氟乙烯电阻率及冲击绝热线的实验研究

 实验测量了国产聚四氟乙烯（SFB-1）在15~40 GPa冲击压力范围内的电阻率及冲击压缩线。主要的实验结果是：电阻率是冲击压力的单调递减函数，其数值在2.45×10⁵~1.73×10³ Ω•cm之间变化；冲击压缩线可用D=1.571+1.961u-0.0537u²表示（D，u分别为冲击波速度及粒子速度，单位均为km/s）。与其他作者发表的数据相比，发现不同制造厂家生产的聚四氟乙烯材料的电阻常数数值有一定的差别，但其以D-u关系表示的冲击压缩线没有出现可以察觉的变化。     

La2-xBaxCuO4单晶反常的正常态输运性质研究

测量了La2-xBaxCuO4系列单晶样品的电阻率和热电势,我们发现,当＝0．125（x＝1／8）时,La2-xBaxCuO4的截流子是所有样品中局域化最强的,但数据分析结果显示,它又是弱域化行为,文中我们讨论了Tc的被压制的原因,得出这可能与低温下LTO到LTT的结构相变,空穴与自旋的静态条纹有序有关,热电势结果观察不到任何声子曳引的痕迹,表明在LBCO体系中电声子的相互作用很弱。     

Near-contact diffusion and compensation in extrinsic photoconductors

Carrier diffusion from heavily doped contact regions has been experimentally monitored with resistivity measurements of variable thickness Si: P extrinsic photoconductors (n⁺−n−n⁺). Modeling of free carrier diffusion at the interface of heavily doped contacts and highly resistive bulk at low temperatures predicts extended regions (5–30 μm) of excess carriers in high purity materials so that, in thin device structures, free carrier diffusion profiles from each contact will overlap and determine the resistivity of the device. In this work, a decrease in resistivity of four orders of magnitude was observed in a 5 μm thick structure compared to a 10 μm thick device. The resistivity of an ohmic structure in the thin limit is strongly dependent on the bulk and near-contact compensation, and resistivity measurements can be used as a sensitive measure of compensation at interfaces or in the tail of implanted layers.     

DESCENING SEQUENCE OF GAUGE ANOMALIES

In this paper, the descending equations of cochains defined on simplexes are generalized to the general chains. We have also explained geometrically in some detail that the topological non-trivialness of physical quantities can descend from higher dimension to lower dimension through the surface term.     

湍流大气中的准直激光束III.分形结构与相位不连续点饶瑞中

 利用数值方法研究了不同起伏条件下准直激光束在湍流大气中的传播，分析了光斑的分形维数以及相位不连续点数目的统计特征。结果表明：随着起伏条件的增大，光斑的分形维数以及相位不连续点数目增大；光斑的分形维数与锐度（描述光斑质量的参量）有一定的关系，但相位不连续点数目与光斑质量不存在确定的关系。在本文的计算条件下，分形维数一直随起伏条件的增大而增大，没有出现类似于闪烁饱和的现象。在一定的起伏条件下，相位不连续点数目具有一定的统计分布，而不是一个确定的值，并且具有相当的发散性。