光学工艺 微细加工技术与设备

TN305．7 2005043148 灰度狭缝扫描制作多台阶光栅的工艺研究=Research of fabrication muti-levels grating based on gray-slot scanning [刊,中]／魏国军(苏州大学信息光学工程研究所,江苏,苏州(215006)),徐兵…／／光学技术,-2005,31(2),-190- 192 采用灰度狭缝进行矢量化的直写,使平台沿着垂直狭缝的方向运动,获得了具有台阶结构的光栅槽型,编写了与DXF文件一致的接口直写控制程序。该方法对成像视场要求低,可以制作大面积光栅。以色分离光栅(CSG)为     

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TN305．7 2005053954 光刻工艺中缺陷来源的分析=Analysis on defect sources in photolithographic process[刊,中]／邓涛(重庆光电技术 研究所．重庆(400060)),李平…∥半导体光电．-2005, 26(3)．-229-231 对半导体集成电路和器件制作过程中光刻工艺产生 的各种缺陷种类及来源进行了集中分析,提出了一些减少 或消除这些缺陷的办法和措施。图1(于晓光) TN305．7 2005053955 用完全非共振光驻波聚焦原子制作纳米结构分析=Anal-     

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TN305.7 2006032718采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术=I maging inter-ferometric lithography with bidirection biased illumination[刊,中]/冯伯儒(中科院光电所微细加工光学技术国家重点实验室.四川,成都(610209)) ,张锦…∥光电工程.—2006 ,33(1) .—1-5在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光 X方向、-X方向、 Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和…     

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TN3052006010750激光微细熔覆柔性直写厚膜导带组织性能的研究=Re-search on structure property of thick-fil mconductive linesfabricated by laser micro-fine cladding and flexibly directwriting[刊,中]/李慧玲(华中科技大学激光技术国家重点实验室.湖北,武汉(430074)),曾晓雁…∥中国激光.—2005,32(7).—1001-1005采用激光微细熔覆柔性直写技术,在玻璃基板上直接制备高质量高性能的微细导带。通过控制各工艺参数的变化所引起组织形貌的变化判定形成导带的性能的好坏和质量的优劣,优化了工艺参数,并采用该参数进行实际图形的制备…     

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TN305．7 2005021533 电子束曝光机的偏转系统=Deflection system for electron beam lithography[刊,中]／刘珠明(中科院电工研究所.北 京(100080)),顾文琪//光电工程．-2004,31(12)．-12- 16 电子束曝光机的偏转系统控制电子束偏转扫描。像 差低、偏转灵敏度高、扫描速度快是它的基本要求。对各 种偏转器、偏转方式进行分析、比较,从偏转器空间场的数 值计算方法、偏转系统的优化、像差校正、偏转器制作工     

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TN305．7 2005032365 硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用=Fabrication of silicon-based microstructures and their application in mi- crochipsE刊,中]／孙洋(清华大学深圳研究生院．广东,深 圳(518057)),钱可元…∥半导体光电．-2004,25(6)．- 477-479,483 基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构, 以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻     

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TN305．7 2005064472 超厚SU-8负胶高深宽比结构及工艺研究=Process study of high-aspect-ratio ultrathick SU-8 microstrUCt ure[刊, 中]/张金娅(上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜 与微细技术教育部重点实验室．上海(200030)),陈迪…∥ 功能材料与器件学报．-2005,11(2)．-251-254 采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备 了各种高深宽比MEMS微结构,研究了热处理和曝光两 个重要因素对高深宽比微结构的影响,解决了微结构的开 裂和倒塌等问题,优化了SU-8胶工艺,获得了最大深宽比 为27:1的微结构。图6表1参7(于晓光)     

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TN305．2 2006065454一种改进的测量硅片亚表面损伤的角度抛光方法=An improved angle polishing method for measuring subsurface damage in silicon wafers[刊,英]/霍凤伟(大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室．辽宁,大连(116024)),康仁科…//半导体学报．—2006,27(3)．—506-510提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤。其原理是：经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准；角度抛光     

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TN305.7 2004053922 利用背面曝光技术制造大高宽比SUB结构的一种新方法=A new method for fabrication of SUB structures with a high aspect ratio using a mask-back exposure technique[刊,中]/伊福廷(中科院高能物理研究所,北京(100039)),缪鹏…∥半导体学报。—2004,25(1)。—26-29     

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TN305.72006054700电子束光刻技术的原理及其在微纳加工与纳米器件制备中的应用=Principle of electron beamlithography and itsapplication nanofabrication and nanodevice[刊,中]/张琨(中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室.安徽,合肥(230026)),王晓平…//电子显微学报.—2006,25(2).—97-103以几种常见的电子束曝光机为例,说明电子束光刻的工作原理和关键技术,并给出一些它在纳米器件和微纳加工方面的应用实例。图6表2参26(杨妹清)TN305.72006054701离焦写入线宽的动态高斯模型=Dynamic Gaussian modelof linewidthin defo…     

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TN305 2005010726 全数字化激光直写转台系统=An all-digital rotating platform system for laser direct writer[刊,中]／梁宜勇(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室．浙江,杭州(310027))∥光电工程．-2004,31(5)．-1-3,10 为提高极坐标激光直写设备的性能,设计了全数字化的转台系统,增强了与平台、调焦、光强系统的同步。提出数字锁相积分、可编程PID控制及变周期稳速判据等概念,并应用于转台控制器设计。配合改进的快速光强调制系统,使极坐标激光直写设备具备制作精确环、任意孤和变宽线条的能力。图5参5(严寒)     

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TH703 2006043703用校正法提高补偿器检测法的精度=I mproving precisionof null lens method with correctiontechnique[刊,中]/郭培基(苏州大学现代光学技术省重点实验室.江苏,苏州(215006)) ,余景池∥光学精密工程.—2006 ,14(2) .—202-206研究了一种测量、分离补偿法检测补偿器非圆对称误差的技术,这种技术基于波面误差可用泽尼克圆多项式来表述。通过使补偿器或被测非球面绕系统光轴旋转到多个不同的角度,得到多个测量结果。根据这些测量结果,计算得到由补偿器误差带来的波面误差的非圆对称项泽尼克圆多项式系数,接着根据这些非圆对…     

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TH703 2005021527 非球面最适球面的确定方法-三点法=Determination of aspheric reference sphere by tri-point method[刊,中]／王红 军(西安工业学院光电科学与工程学院.陕西,西安 (710032)),田爱玲…//应用光学．-2004,25(4).-63-65 根据非球面生产的实际情况,指出非球面最适球面的 确定方法,详细分析最适球面的计算方法,并对一抛物面 进行了实倒计算。通过与最小二乘法的计算结果比较,指     

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TQ171.68 2006032713非球面复制成型技术的研究=Research on the asphericaloptical replication technique[刊,中]/王勤(苏州大学,江苏现代光学技术省重点实验室.江苏,苏州(215006)) ,余景池…∥光学技术.—2006 ,32(1) .—121-123光学非球面复制成型技术是一种通过面形转移的方法成型光学非球面的技术,即将高精度非球面光学元件(母模)的表面利用脱模膜和胶粘剂转移到球面光学元件(基体)的表面上,并保持原非球面光学元件的光学品质,使球面变成非球面。介绍了该技术的基本原理以及所进行的工艺实验(镀膜、脱模、胶合等) ,给出了母模和复制…     

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TN305．2 2006065453红外材料硅透镜加工工艺研究=Fabrication technology of IR Si lenses[刊,中]/徐岩(中国空空导弹研究院．河南,洛阳(471009)),李善武…//红外与激光工程．—2006,35 (3)．—359-361,370介绍了单晶硅材料加工透镜的工艺过程,着重研究了硅透镜的抛光技术,通过使用不同的抛光粉及抛光模层材料,找到了加工硅透镜的最佳工艺匹配条件。实验结果表     

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TQ171．683 2005053948 KDP晶体塑性域超精密切削加工过程仿真=Simulation of ultra-precision cutting process of KDP crystal in ductile mode[刊,中]／陈明君(哈尔滨工业大学精密工程研究所． 黑龙江,哈尔滨(150001)),王景贺…∥光电工程．-2005, 32(5)．-69-72 提出了压痕实验与有限元仿真结合的方法。它采用 压痕深度与有限元仿真深度进行对比,可求解出KDP晶 体的塑性特性参数。建立了KDP晶体塑性域切削的有限 元模型,仿真研究了切削参数对KDP晶体表面形成过程 的影响。结果表明,在刀具前角为-40°左右时,工件表面 质量可达到最佳值。研究还发现,当刀具刃口半径为80 nm时,其能够产生切屑的最小切削厚度在10～30 nm之 间,此时法向切削力与主切削力之比为0．96,该结论对 KDP晶体超光滑表面的获取有着重要指导意义。图6参 6(严寒)     

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TQ171.65 2004053915瑞奇-康芒法中的一种数据处理方法=A data processing method in Ritchey-Mommon test[刊,中]/田秀云(中科院光电所,四川,成都(610029)),吴时彬…∥光电工程,—2004,31(1)。—23-25,31 通过在光瞳面上取点的方法,找出被检平面镜面误差与检验系统波像之间的相互关系,即影响函数。利用