中性束注入器电偏转系统的参数设计与估算研究

为EAST 装置中性束注入器设计了一套用于将剩余离子在线电偏转的结构,并对系统各设备的核心参数进行了估算。在4.41kV 偏转电压作用下,该电偏转系统可提供80keV 氘离子束偏转所需的偏转电场。在偏转电场调制情况下,该电偏转系统可有效降低极板表面的热负荷,进而满足EAST 中性束注入器稳态运行的需要。     

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为EAST装置中性束注入器设计了一套用于将剩余离子在线电偏转的结构,并对系统各设备的核心参数进行了估算。在4.41kV偏转电压作用下,该电偏转系统可提供80keV氘离子束偏转所需的偏转电场。在偏转电场调制情况下,该电偏转系统可有效降低极板表面的热负荷,进而满足EAST中性束注入器稳态运行的需要。     

亮暗屏蔽光伏孤子在LiNbO3晶体中的大自偏转

用数值方法证实了亮、暗屏蔽光伏孤子在有外加电场的LiNbO3晶体中都可以发生大自偏转,并验证了这种自偏转现象不但与晶体中受主浓度NA有关而且还与外加电场E0有关.在E0相同的条件下,NA越小这种自偏转现象越明显,在NA相同的条件下,风越大自偏转现象越明显.还发现亮、暗屏蔽光伏孤子的自偏转现象不同:亮屏蔽光伏孤子整体都发生明显偏转,暗屏蔽光伏孤子的偏转只是发生在一侧,其极值位置和另一侧几乎不发生偏转.     

转镜原理和转镜相机的发展

在高速摄影中,作为传递信息的光子(或者电子)必须随着时间变换其空间位置(相对记录介质而言)。如果仅仅讨论记录介质静止的情况,那就必须对光速进行偏转。偏转的方法有转镜偏转,声光偏转和电光偏转等。     

消色散270°偏转磁铁系统设计及束流动力学研究

对三种常用结构的270°偏转磁铁进行系统的分析研究,采用数值计算和模拟方法对双磁铁不对称偏转结构、三块90°磁铁偏转结构和70°+130°+70°偏转结构这三种不同的270°偏转磁铁系统进行模拟,给出偏转系统的消色散传输条件,并且分析了束流包络在偏转系统和出口管道中的变化情况。经过分析对比,详细列出了三种结构的优势与劣势。双磁铁不对称结构适用于医用加速器,三块90°磁铁偏转结构适用于需要在出口长距离漂移的辐照加速器,而70°+130°+70°偏转结构可以满足出口一定距离的无损漂移,同时实现相对较低的成本,是工业辐照加速器较为经济适宜的选择。     

EAST-NBI磁偏转系统束传输特性模拟研究

根据EAST-NBI偏转系统工作原理,分析了束流在偏转系统传输的基本过程和特点。利用直接蒙特卡罗方法,发展了中性束注入器束偏转区域束流传输模拟程序。结果显示:EAST-NBI磁偏转系统可很好地剥离束流中的剩余离子;束偏转区域束流再电离损失约为2.43%;束流180°偏转所带来线聚焦过程使偏转磁体磁极护板局部面临较高的热流密度。     

EAST-NBI磁偏转系统束传输特性模拟研究

根据EAST-NBI偏转系统工作原理,分析了束流在偏转系统传输的基本过程和特点。利用直接蒙特卡罗方法,发展了中性束注入器束偏转区域束流传输模拟程序。结果显示：EAST-NBI磁偏转系统可很好地剥离束流中的剩余离子;束偏转区域束流再电离损失约为2.43%;束流180偏转所带来线聚焦过程使偏转磁体磁极护板局部面临较高的热流密度。     

光学工艺 微细加工技术与设备

TN305．7 2005021533 电子束曝光机的偏转系统=Deflection system for electron beam lithography[刊,中]／刘珠明(中科院电工研究所.北 京(100080)),顾文琪//光电工程．-2004,31(12)．-12- 16 电子束曝光机的偏转系统控制电子束偏转扫描。像 差低、偏转灵敏度高、扫描速度快是它的基本要求。对各 种偏转器、偏转方式进行分析、比较,从偏转器空间场的数 值计算方法、偏转系统的优化、像差校正、偏转器制作工     

超越曲面电极结构电光偏转器研究

采用有限元法对几种不同电极结构下电光偏转器的电场分布进行研究.设计出一种具有较大偏转角度的超越曲面电极结构电光偏转器,与圆柱电极结构和双曲面电极结构电光偏转器的性能对比,可知此种电光偏转器的偏转角度更大,电场梯度线性度更高.     

HL-2M装置5MW-NBI加热束线偏转磁体研制

根据HL-2M装置5MW-NBI加热束线总体设计参数、注入器的部件空间布局、几何汇聚特点等,建立了基于8饼线圈的注入器偏转磁体3D模型。利用电磁场模拟软件CST Studio详细模拟了注入器的偏转磁体产生的偏转磁场分布,不同成份离子束的偏转轨迹。在模拟分析结果的基础上优化了偏转磁体的物理结构,完成了磁体的工程设计、加工和测试。偏转磁体的磁场测试结果表明,测试值与CST计算值的偏差小于±5%,达到注入器偏转磁体设计要求。     

亮暗屏蔽光伏孤子在LiNbO3晶体中的大自偏转

用数值方法证实了亮、暗屏蔽光伏孤子在有外加电场的LiNbO₃晶体中都可以发生大自偏转,并验证了这种自偏转现象不但与晶体中受主浓度N_A有关而且还与外加电场E₀有关. 在E₀相同的条件下,N_A越小这种自偏转现象越明显,在N_A相同的条件下,E₀越大自偏转现象越明显. 还发现亮、暗屏蔽光伏孤子的自偏转现象不同：亮屏蔽光伏孤子整体都发生明显偏转,暗屏蔽光伏孤子的偏转只是发生在一侧,其极值位置和另一侧几乎不发生偏转. 关键词： 自偏转 空间孤子 光折变效应     

截卵形头部平台直径对初始侵彻弹道偏转的影响

针对截卵形头部弹体斜侵彻靶标时弹道发生初始偏转的问题,建立了分析截卵平台直径对初始弹道偏转影响的理论和数值仿真计算模型,计算了相同侵彻条件下不同截卵平台直径时,头部侵彻产生的偏转函数和偏转角速度。结果表明:截卵平台头部侵彻产生的偏转力矩会减小弹轴与靶标法线之间的夹角,且随着截卵平台直径的增大,偏转力矩增大,偏转角速度增大,当截卵平台直径增大到1.5倍时,偏转力矩增大到约1.2倍,当截卵平台直径增大到2.0倍时,偏转力矩增大到约2倍;相同截卵平台直径下,随着头部形状系数的减小,偏转力矩和偏转角速度增大。     

高斯光束孤波演化过程中的自偏转

研究了无耗晶体的扩散效应对高斯光束在光伏光折变晶体中孤波演化特性的影响。结果表明，对于给定的与晶体参量匹配的高斯光束，晶体的扩散效应将造成高斯光束孤波演化的自偏转，而且其自偏转过程与同参量的屏蔽光伏明孤子的自偏转过程具有极其类似的特征。同时发现，高斯光束的波形即光束的横截面对其孤波演化的自偏转影响最大。比较了高斯光束孤波演化的自偏转与明孤波自偏转的理论曲线，结果表明，对于匹配的高斯光束，其自偏转程度与解析计算结果非常接近。     

偏转角测量中对称法的应用

测量偏转角的一类实验包括光束或电子束的偏转、检流计指针或光点的偏转、扭秤的偏转等普通物理和近代物理实验．这些实验中，当被测量符号相反时指示装置如能反向偏转，就可以运用对称偏转法(简称对称法)测量．     

基于相控阵雷达模型的液晶光束偏转波控方法研究

针对闪耀光栅模型光束偏转角度数量分布有限的缺点,提出一种基于相控阵雷达模型的液晶光束偏转波控方法。该方法控制液晶电极间相位差,通过改变液晶电极间相位差控制出射光波束方向。使用傅里叶光学方法推导该模型最大偏转角度、光束偏转角度与电极间调制相位关系以及衍射效率和偏转角度的关系。实验证明该方法可实现任意分辨角的光波束扫描, 在0.15°光束扫描范围内实现优于20 μrad的连续光束偏转。     

一个几何引理与抛物型偏转的等效线性不动点

电子在匀强电场中的电偏转与具有磁矩的原子在非均匀磁场中的运动路径的磁偏转实验 — — — 史特恩 盖拉赫( S t e r n G e r l a c h)实验, 是两个典型的抛物型偏转实验. 本文论述抛物型偏转的等效不动点的存在性及其意 义, 并推导其统一的偏转公式     

光学薄膜的光热偏转信号分析

本文给出了透明基体上的单层薄膜在激光辐照下的温度分布和光热形变偏转信号的理论表达式。通过数值计算,分析了偏转信号与薄膜参数、基体参数以及调制频率之间的关系,用反射式光热偏转装置对光学薄膜的光热偏转信号进行了实验研究。结果表明,理论计算和实验结果是一致的。     

迈克尔逊干涉光谱仪动镜倾斜误差容限分析

系统分析了迈克尔逊干涉光谱仪中平面动镜在运动过程中发生倾斜致使反射光束偏转时对干涉图的影响.结果表明,光束偏转带来的误差分为三部分：光束偏转导致整体增加的恒定光程差,垂直光轴方向因不同光线而引入的偏移光程差以及偏转光束中心相对于光轴的偏移量.从调制度和相位误差角度给出了平面动镜倾斜误差容限,并讨论了减小干涉图受光束偏转影响的方法.     

探究安培力实验装置的简易制作方法

通常做通电线圈在磁场中受力偏转的实验是通过导线把线圈悬挂在支架上,这样偏转角度小,甚至不偏转.为了实现新课标中培养学生实验探究能力,笔者利用身边常见材料制成可进行学生分组探究安培力的实验装置.     

长磁聚焦电偏转象增强器设计计算

在长磁聚焦电偏转象增强器的设计中,我们着重从理论上证明了,在长磁聚焦场中能够实现电的线性偏转成象、并且研究试制了满足任务要求的、性能良好的长磁聚焦电偏转高速照相增强器。