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为研究HgI2晶体结构缺陷与光吸收的关系,测试了晶体的UV和中红外透过光谱.结果表明,波长约为580 nm时,存在着本征吸收限;波长大于580 nm时,随波长增加,晶体对光的吸收减小,透过率达到45;以上;在1000~2500 nm范围内,UV光谱存在四个明显的光吸收带,对应的入射光能量分别为0.79±0.01 eV,0.72 eV,0.57±0.01 eV 和0.53 eV.中红外透过曲线随波长增加而增大,透过率为39;~68;.通过M/HgI2的I~t曲线,采用简单能级模型进一步确认了生长的HgI2晶体存在0.79±0.01 eV和0.72 eV两个陷阱能级.分析认为,HgI2晶体层间的相对移动形成的结构缺陷造成1572.5 nm(0.79±0.01 eV)和1729.2 nm(0.72 eV)处的吸收,晶体缺碘造成2117.5 nm(0.57±0.01 eV)处的吸收和汞空位造成2305.8 nm(0.53 eV)的吸收.在中红外波段,晶体结构缺陷造成了显著的晶格吸收.严格控制原料的化学计量比有利于减少HgI2晶体的结构缺陷,提高晶体的光学性能. 相似文献
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HgI2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性 总被引:2,自引:1,他引:1
利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸(AuCl3溶液)作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性.测试表明,Au/HgI2和AuCl3/HgI2的欧姆接触特性值b分别为0.89和1.06,HgI2晶体的电阻率为109 Ω·cm.计算接触电阻Rc的结果表明,Au/HgI2与AuCl3/HgI2接触电阻为1.6×107 Ω和4.3×106 Ω;AuCl3/HgI2更容易产生较低的接触电阻,形成良好的欧姆接触.分析认为AuCl3/HgI2接触中电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl3/ HgI2具有良好的欧姆接触特性.溅射Au电极在制备工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差. 相似文献
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通过测定不同温度下HgI2在浓度分别为0.25 mol/L,0.50 mol/L,0.75 mol/L,1.00 mol/L的KI水溶液中的溶解度,绘制了溶解度曲线.结果表明:KI水溶液浓度一定时,温度对HgI2在KI溶液中的溶解度影响很小;温度一定时,随着KI水溶液浓度增大,HgI2的溶解度大幅度增大;随着KI水溶液浓度的增大,温度对HgI2在KI水溶液中的溶解度变化的影响增大.根据所得到的HgI2-KI-H2O体系性质,选取1.00 mol/L的KI水溶液溶解碘化汞,通过缓慢降温,利用顶部籽晶法生长碘化汞晶体,得到了重达17.4 g的鲜红透明的晶体. 相似文献
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通过氧化汞(HgO)在氢碘酸(HI)溶液中反应实验,研究了HgO-HI-H2O生长体系中反应物浓度的变化对最终HgI2结晶形貌的影响.采用岛津UV-2550紫外可见分光光度计分析了反应体系中离子及配合物的种类;采用LEICA-DM2500P偏光显微镜观察了结晶物质的的宏观生长形貌;利用盒计数法定量表征了HgI2结晶物在衬底表面的覆盖度.结果表明,体系中存在[HgI3]-和[HgI4]2-两种配合物;随着生长体系浓度(HgI2析出速率)的变化,HgI2出现了两种结晶形貌.分析认为,高溶质浓度体系容易形成四方形晶粒,生长形貌主要受晶体结构因素影响;低浓度体系容易形成密枝晶,其形貌主要受分子扩散动力学因素控制. 相似文献
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利用金属有机化学气相沉积系统(MOCVD),在蓝宝石的(0001)面采用不同的成核层生长温度,通过两步法获得不同质量的GaN外延薄膜.利用HALL测试仪,高分辨X射线衍射仪(HRXRD),原子力显微镜(AFM)和光致发光光谱仪(PL)对GaN薄膜的表面形貌,位错密度,光学性能等进行表征,研究不同的成核温度对GaN外延薄膜晶体质量的影响.结果表明,在成核层生长温度为650℃时,所得到的GaN外延薄膜表面粗糙度和位错密度均达到最低,并且同时具有最高的带边发光峰强度,最高的载流子迁移率以及最低的载流子浓度.过低或过高的成核温度都会导致GaN外延层的晶体质量和光电性能变差. 相似文献
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Zhen-Hui Li Wei-Tang Li Jun Liu Shi-Fu Zhu Bei-Jun Zhao Shu-Jun Yin Guan-Xion Chen Hong Yuan Hua-Peng Xu 《Crystal Research and Technology》1996,31(8):979-983
The HgI2 single crystal with few large smooth faces, high quality and 360 g in weight has been grown by a new technique of modified vapour phase located point method, and the growth characteristics of HgI2 single crystals have been investigated in detail. It is found by means of X-ray diffraction that the crystals grown with the c-axis parallel or perpendicular to the pedestal plane have both the prism faces {110}. 相似文献
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Associate Pro. Zheng-Hui Li Wei-Tang Li Jun Liu Shi-Fu Zhu Bei-Jun Zhao Hong Yuan Hua-Peng Xu 《Crystal Research and Technology》1995,30(5):595-598
The Hgl2 single crystal with shiny natural crystal planes, low density of dislocation, and 350 g in weight has been grown by a new technique of modified vapoir phase located point method. The perfection and nuclear spectroscopic performance of the grown crystals are also studied. 相似文献
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Bulk Pbl2 crystals up to 20 cm3 have been grown from high purity source material in a controlled way using a modified Bridgman-Stockbarger technique. The cleavage plane (0001) of crystals grown by a natural seed selection in a tipped-end ampoule is nearly parallel to its axis. On a mica substrate epitaxially grown crystals cleaved perpendicularly to the axis of a specially designed double wall ampoule. 相似文献
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ZnGeP2单晶生长温场研究 总被引:1,自引:0,他引:1
根据ZnGeP2(ZGP)晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布.采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达15 mm×35 mm.对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿(101)面解理,其回摆峰尖锐无劈裂.对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2~12 μm波段内红外透过率达45;以上.研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高. 相似文献
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为提高气相传输法制备微纳结构样品形貌的可控性,进行了生长温度调控下氧化锌晶体生长机制及其变化的实验研究.实验中的样品制备,以高纯度锌粉末为原料,在无模板、无催化条件下,通过加热蒸发-氧化冷却-生长晶体过程实现.其中,蒸发温度固定于750℃,反应区气体氛围保持稳定,生长区温度在450~ 600℃变化,制备出不同生长温度下样品.对所制备出诸样品,应用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪和透射电子显微镜等方法,进行形貌与结构表征.基于表征结果,观察、分析、研究生长温度变化的影响,结合理论分析,得出了生长温度通过对生长过程中锌蒸汽过饱和度的影响,决定着不同生长机制,从而有着不同的形貌结构的样品. 相似文献
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DC conductivity and dielectric properties of consolidated nano-particles of red-HgI2 have been studied. DC and AC conductivities have been found to be about 3 orders of magnitude larger than that reported for single crystals of red-HgI2. The enhancement in dielectric properties have been attributed to the defect structure of the particles due to excess surface stress and the structural anomaly of their surface. 相似文献