首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 218 毫秒
1.
本文中我们提出AuCu_3中有序化转变的机构。在有序化成核成长的过程中,我们认为孔穴起主要作用。坐错的原子依靠和孔穴换位才可以坐到对的座位上。根据这样的机构我们得出有序核的成核率。证明成核率随时间依指数下降的关系改变的。同时我们也估计了作为有序核的中心数,结果表示这种中心数是很大的,平均200个原子中就可以有一个中心。中心密度既然这样大,所以有序核以恒速长大的时间不会太长的。在计算恒温转变曲线时就不能把成长时率当做是常数。这使恒温转变曲线与时间不作3次或4次方的指数关系。 直接利用X光衍射的超点阵线的强度,我们定出恒温转变曲线。结果表示恒温转变曲线接近1次方的指数关系。  相似文献   

2.
杨通在  罗顺忠 《物理学报》2010,59(1):447-452
采用60Coγ射线辐照纯净的多壁碳纳米管,用高分辨透射电镜和拉曼光谱,研究了多壁碳纳米管由石墨结构向无定形结构转变的演化过程.发现在γ射线辐照下,碳纳米管的外部石墨层逐渐失去最初的有序结构而向无定形结构转变.而且,随着γ射线辐照剂量的增加,无定形结构不断推进,而石墨层结构则不断减小,直至使整个碳纳米管变为一个中空的无定形纳米线结构.用原子位移理论和溅射机理对这种转变过程进行了分析.γ射线轰击碳纳米管击出碳原子,碳原子停留在晶格的间隙位置上产生间隙原子,在它原来的平衡位置则留下一个空位.当轰击粒子动能足够大时导致碰撞级联效应,无序结构增加.多数空位和间隙原子可能相互复合而彼此退火,但仍有少数原子作为间隙原子而造成晶格进一步缺陷.辐射也可以引起碳原子的溅射,溅射出来的碳原子沉积在碳纳米管的外壁上形成一层无定形碳结构.  相似文献   

3.
彭政  陆坤权  厚美瑛 《物理学报》2009,58(9):6566-6572
报导了不同尺寸的大球缓慢压入颗粒床过程中所受阻力随深度变化的实验测量结果,发现阻力曲线在不同的深度区域有不同的增长规律,存在凹—凸转变.阻力在较浅的区域满足1.3次方的幂率增长,而在较深的区域趋向0.3次方的幂率增长.通过研究凹凸转变中拐点的性质,发现这种阻力增长速度趋缓的转变不是来源于前人认为的器壁支撑导致的介质压强饱和,而是来源于侵入物自身的体积效应.此外,适用于颗粒介质快速阻力的静水压力描述并不适用于阻塞态颗粒介质的慢速阻力行为,实验表明慢速阻力对深度的依赖关系不是线性,且测得的静水压力系数也远大于理论估算值. 关键词: 颗粒介质 阻力 力链重组  相似文献   

4.
基于微磁学基本方程Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程,我们建立了软磁薄膜体系顺磁-铁磁转变过程中涡旋数目随时间的变化关系模型.磁化强度运动方程采用了传统的Runge-Kutta数值方法求解.计算结果发现:不同的交换场下,涡旋数变化可以分为两个阶段:第一阶段涡旋数目随时间急剧减少;第二阶段涡旋数目缓慢减少,直至不再变化,交换系数越小剩余的涡旋数会越多.退磁能对相变过程影响甚微,只有在交换系数(1.3E-12)较小时有可观察到的效应:有退磁场涡旋数目稍小.  相似文献   

5.
左应红  王建国  范如玉 《物理学报》2012,61(21):331-337
在强电场条件下,由阴极通过场致发射产生的电子具有很强的空间电荷效应,因此真空二极管的空间电荷限制电流是设计高功率微波源等强流电子束器件时需要考虑的重要参数.场致发射电流密度只和阴极材料、阴极表面电场等有关,而空间电荷效应则会受二极管电压、间隙距离等因素的影响.为研究二极管间隙距离对场致发射过程中空间电荷效应的影响,建立了由场致发射阴极构成的一维平板真空二极管物理模型,利用第一性原理的粒子模拟方法,研究了二极管间隙距离和外加电压等参数变化时的阴极表面电场随时间的演变特性,得到了阴极表面稳态电场和二极管间隙距离之间的关系.结果表明,场致发射过程开始后,阴极表面电场先有个振荡过程,随后趋于稳定;在同一外加电场条件下,间隙距离越长,稳态电场的绝对值越小,且达到稳态所需的时间也越长;间隙距离越短,当阴极表面电场达到稳定状态时,二极管间隙区的电场分布变化越剧烈.  相似文献   

6.
吴自良  王其闵 《物理学报》1958,14(4):354-368
固溶在面心铁—镍合金中的碳原子,能引起一个应力感生的扩散内耗峰。当振动频率约为1.4周/秒时,峰的位置在500°K附近。固溶的碳原子可以跳入点阵空位中而成为代位式碳原子,此碳原子舆另一个最近邻的间隙碳原子相结合后即形成一组碳原子对。在外加应力的作用下,这类碳原子对轴的择尤旋转便引起了内耗。根据这个机构并结合内耗测量过程中试样内部碳原子重新分布的情况,可以推导出碳浓度和内耗峰高度之间的定量关系,并从而求出合金的点阵空位形成能和构成碳原子对时所放出的能量。铁—镍合金中碳扩散峰的特徵是:峰的二边内耗曲线不对称,在高温的一边,内耗反而比低温的一边为低。峰的位置T′随淬火温度或碳浓度之增加而渐向低温移动;峰愈出现在低的温度,T′Qmax-1相乘积就愈大。根据本文所提出的理论,对这些特徵作了解释。  相似文献   

7.
利用Tracker视频分析软件对乒乓球回滚过程进行追踪记录,得到了乒乓球回滚运动平动位移和角位移的实时图像.通过拟合实验数据,测量出了回滚运动中滑动摩擦系数、空气阻力系数及滚动摩擦系数,结果表明:回滚运动中滚动摩擦和空气阻力不能忽略,空气阻力与运动速度的一次方成正比.  相似文献   

8.
引入线性发射率模型,基于辐射测温方程组推导了三波段辐射测温方法的等温面方程,该方程是测量信号矢量与测量信号系数矢量的点积。根据测量信号系数矢量是温度的单值函数这一特征,结合二分法求解非线性方程的优点,提出了三通道辐射测温方法的存储二分法求解原理,并进行了C++程序实现。基于C++程序研究了特定测量信号矢量条件下的等温面方程曲线,结果表明在较大的温度求解区间内该曲线具有单调特征,随着V3的增加该曲线尾部逐渐上翘由负变正。误差及时间复杂性分析结果表明二分数为Num时最大误差为(Tmax-Tmin)/2num+1,求解过程包括3Num+1次乘法和2Num+1次加法,没有除法和指数对数运算,极大地提高了温度求解速度。  相似文献   

9.
 以势垒渡越模型为基础,对石墨和金刚石的相转变几率在压强-温度(p-T)图上的分布进行了研究。从理论上得到了金刚石和石墨的亚稳态相区边界,理论计算得到的相转变几率分布与文献报道的相转变速率的实验结果具有相同的规律。高温高压法合成金刚石的p-T特征程序可以用相转变几率的分布来解释。  相似文献   

10.
余辉 《物理通报》2020,(1):42-44
运动的合成与分解一般用于两个直线运动的合成和一般曲线运动的分解,但一道关于带电粒子在磁场中运动的高考模拟题却给人启示,带电粒子的圆周运动也可以分解与合成,有关习题除了用传统的几何关系求解外,也可以用运动的合成与分解知识求解.  相似文献   

11.
马氏体式相变过程中所引起的内耗变化   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
王业宁  朱建中 《物理学报》1959,15(7):341-352
用扭摆测量两种跌锰合金(Mn17.5%和12.8%)和一种铜铝合金(Al13%)的内耗,在发生正和反的马氏体相变的温度范围内各出现一个内耗峰。这种内耗峰出现的条件是必须伴随着马氏体式相变过程的进行。用含Mn17.5%的铁锰合金作了系统实验,观察到内耗峰的高度随升温(或降温)速度和应力的增加而增高,随振动频率和含碳量的增加而减低。可以用振动一周内试样中转变量愈多内耗也愈大的关系得到统一的解释。讨论了关于产生内耗峰的机构。认为主要由于马氏体相变是突然间完成,此时扭转的外力可视为常数,从应力和不均匀物质交互作用能的计算,可以证明外力所做的功必须损失一半,因而引起内耗。此外应力感生相变也可以引起很小一部分内耗。  相似文献   

12.
已往的研究结果指出,高碳和低碳马氏体在回火分解过程中分别在130℃和150℃出现一个内耗峯。本文根据内耗峯的出现和消逝的条件,较有系统地研究了高碳和低碳马氏体的回火分解和分解产物的形成和破坏,从而指出了这内耗峯确与分解产物与母体的共格性有密切联系。研究结果指出,无论在高碳或低碳马氏体的情形,这个内耗峯(内耗表示为温度的函数)的位置并不随测量频率的改变而改变,内耗峯的高度随着测量内耗时的应变振幅的增大而升高。这说明内耗峯并不是由于一种弛豫过程所引起的,这可能是所有的共格性内耗峯的一个特点。根据这一特点,认为内耗峯可能是由于共格界面在应力感生下的移动所引起来的。对于产生内耗峯的机构提出了初步看法。  相似文献   

13.
用过剩压法生长金刚石过程石墨再结晶现象的研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 描述了在过剩压驱动下金刚石晶种外延生过程中,大量伴生的石墨再结晶现象。再结晶石墨抑制了金刚石的自发成核;它们分布于合成腔触媒金属的低温区,结晶数量多,晶粒片状分层,尺寸大,但出现乱层晶体结构;同时产生一定数量的无定形碳。分析认为,这与长时间的低过剩压驱动,触媒金属内有足够的碳源供给,并具备在高温高压下石墨充分结晶但又达不到完全石墨化条件有关。还讨论了在低过剩压驱动下,促进金刚石晶体外延生长的碳源可能是活化的碳原子,而不是具有乱层结构特征的再结晶石墨。  相似文献   

14.
用扭摆测量淬硬低碳镍合金钢中的内耗,当振动频率约为每秒2周时,在155℃附近有一个内耗峰出现。这个内耗峰的出现条件是:钢中必须含有马氏体、合金元素和碳。在适当的条件下,铬钢和铬镍钢中也曾观察到这个内耗峰。用含镍29.7%的钢作了系统试验,观察到内耗峰高度与试样中的含碳量成正比。内耗峰的高度由于在较高温度(165℃以上)的回火处理而不断降低。由内耗测量所测得的激活能是25,000卡/克分子。以上的实验结果指出,所观测到的155℃新内耗峰是由于碳在合金马氏体中的应力感生微扩散所引起来的。提出了一个产生内耗峰的初步模型。假定碳在四角马氏体中是处于00(1/2)型的间隙位置。合金元素原子的存在引起晶体点阵中不均匀的畸变,因而应力的作用便改变了碳原子在热平衡状态下在Fe-C-Fe和B-C-Fe(B是合金元素原子)两种00(1/2)型间隙位置之间的跳动几率。这种应力感生的碳原子运动便引起内耗。用这个模型可以定性地解释所观测到的事实。关于这方面的定量研究正在进行中。  相似文献   

15.
钢中马氏体在回火转变中所引起的内耗峰   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
葛庭燧  马应良 《物理学报》1955,11(6):479-492
用扭摆测量淬硬碳钢的内耗,当测量温度由室温渐渐升高时,在130℃附近有一个内耗峰出现。当温度达到170℃后再降温测量,这个内耗峰完全消逝不见。上述的现象在含碳0.29%到1.4%的几种淬硬碳钢和淬硬滚珠钢中都曾经看到。由内耗峰的出现可以认为马氏体在第一个回火阶段中的转变产物(ε-碳化铁)与母体具有共格性,由于共格界面的应力感生运动而引起内耗。曾用具有马氏体组织的0.25%碳钢试样作实验,没有观测到上述的内耗峰。但是当回火温度达到280-300℃以后,在降温或升温测量中都观测到一个内耗峰(在150℃附近)。这表示低碳马氏体在第三个回火阶段中的转变产物与母体具有共格性。但是由于这个内耗峰的表现与上述高碳试样的内耗峰不同,所以我们认为这转变产物并不是ε-碳化铁。  相似文献   

16.
Carbon redistribution is known to occur during martensite ageing. The two associated processes most discussed in the literature are spinodal decomposition and carbon segregation to defects. In order to elucidate the topic, the ageing and tempering of two Fe–Ni–C alloys have been characterised by means of atom probe tomography and synchrotron radiation diffraction. Upon ageing at room temperature, carbon redistribution is clearly observed, where the process of carbon segregation to defects appears to be most likely to occur. Nevertheless, the possibility of spinodal decomposition is not entirely discarded, and the current work presents a series of discussion points that challenge our current understanding of the thermodynamic of ferrite in steels.  相似文献   

17.
用低频扭摆进一步研究了在Al-0.5%Cu合金中观察到反常位错内耗峯的条件。结果指出,对于完全退火的试样来说,需要有适当的冷加工量,但是对于高温淬火试样则不需要冷加工。用位错气团模型定性地解释了过去所观测到的表现反常振幅效应的时效内耗峯和温度内耗峯;同时指出,简单的气团模型在作定量的解释时,遇到了下述的困难:(i)在测量内耗所用的交变应力的作用下,位错线所能够拖着气团移动的距离太短。(ii)为了气团能够被位错拖着移动,组成气团的溶质原子必须具有比通常大很多个数量级的扩散系数。(iii)根据气团模型,从理论上计算出来的使位错拖着气团以临界速度而移动时,所需的临界应力比观测值大几百倍。提出了溶质原子沿着位错弯结而扩散的气团模型,这个改进模型能够初步解决上述困难,并能定性地解释所观测的结果。这个模型所依据的基本假设是,要观测到反常内耗现象,位错线上必须具有一定数目的弯结。要得到这种弯结,可以对于退火试样进行适量的冷加工,或者把试样从高温淬火。带着弯结的位错线能够通过弯结的沿边运动而实现垂直于位错线方向的移动。可以假定,气团只在弯结两端的直位错段处形成,在弯结本身上并不形成气团。在弯结的沿边振动的过程中,聚集在弯结两端的溶质原子可以沿着位错管道进行来回的短程扩散。已知沿着位错管道的扩散具有比在正常晶体点阵中扩散时大得多的扩散系数。  相似文献   

18.
The adsorption and decomposition of ethanol on Pd(110) has been studied by use of a molecular beam reactor and temperature programmed desorption. It is found that the major pathway for ethanol decomposition occurs via a surface ethoxy to a methyl group, carbon monoxide and hydrogen adatoms. The methyl groups can either produce methane (which they do with a high selectivity for adsorption below 250 K) or can further decompose (which they do with a high selectivity for adsorption above 350 K) resulting in surface carbon. If adsorption occurs above 250 K a high temperature (450 K) hydrogen peak is observed in TPD, resulting from the decomposition of stable hydrocarbon fragments. A competing pathway also exists which involves C---O bond scission of the ethoxy, probably caused by a critical ensemble of palladium atoms at steps, defects or due to a local surface reconstruction. The presence of oxygen does not significantly alter the decomposition pathway above 250 K except that water and, above 380 K, carbon dioxide are produced by reaction of the oxygen adatoms with hydrogen adatoms and adsorbed carbon monoxide respectively. Below 250 K, some ethanol can form acetate which decomposes around 400 K to produce carbon dioxide and hydrogen.  相似文献   

19.
黄琳  陈伟芳  吴其芬  任兵 《计算物理》2000,17(4):438-442
运用分子动力论方法研究单原子气体分子(Xe)在固壁表面(Pt)的吸附与脱附。在构造了合理的气体分子与固壁表面相互作用势模型之后,运用随机经典轨道方法求解气体分子及固壁原子的运动方程,得到气体分子的运动轨迹及状态。结果表明,气体分子在固壁表面的吸附几率与分子的入射平动能量、壁面温度及气-固相互作用势模型的选取等因素有关,气体分子在固壁表面的脱附速率基本满足Arrhenius关系式。  相似文献   

20.
康朝阳  唐军  李利民  闫文盛  徐彭寿  韦世强 《物理学报》2012,61(3):37302-037302
在分子束外延(MBE)设备中,利用直接沉积C原子的方法在覆盖有SiO2的Si衬底(SiO2/Si)上生长石墨烯,并通过Raman光谱和近边X射线吸收精细结构谱等实验技术对不同衬底温度(500℃,600℃,700℃,900℃,1100℃,1200℃)生长的薄膜进行结构表征.实验结果表明,在衬底温度较低时生长的薄膜是无定形碳,在衬底温度高于700℃时薄膜具有石墨烯的特征,而且石墨烯的结晶质量随着衬底温度的升高而改善,但过高的衬底温度会使石墨烯质量降低.衬底温度为1100℃时结晶质量最好.衬底温度较低时C原子活性较低,难以形成有序的C-sp2六方环.而衬底温度过高时(1200℃),衬底表面部分SiO2分解,C原子与表面的Si原子或者O原子结合而阻止石墨烯的形成,并产生表面缺陷导致石墨烯结晶变差.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号