肖特基二极管反向脉冲能量测试仪

本文叙述了肖特基二极管及反向脉冲能量测试仪的设计思想及工作原理。     

肖特基二极管反向脉冲能量测试仪

本文叙述了肖特基二极管及反向脉冲能量测试仪的设计思想及工作原理。     

基于肖特基二极管传输型预失真器设计

本文提出了一种基于肖特基二极管传输型预失真器，由两个肖特基二极管并联来构成的，可以通过调整二极 管偏置电压来对其幅度和相位特性进行调节。本文先对该传输型预失真器的原理进行了分析，给出了其等效电路，并 对该等效电路进行了分析；然后通过ADS 对该二极管传输型预失真器进行了仿真。仿真结果表明该预失真器能够有效 的改善功率放大器的线性度。     

功率肖特基二极管的优化设计

本文由描述功率肖特基势垒二极管电学特性的基本方程出发,结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析,给出器件设计折衷优化的理论依据.     

基于肖特基二极管的单片集成560 GHz混频器

介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的单片集成混频器,其工作频率为560 GHz.该混频器采用了一种新型薄膜混合传输结构,基于某聚合物材料的无源结构的传输损耗降至14.4-15.5 Np/m.相比于基于传统石英介质基片和半导体介质基片的传输线,传输损耗降低了一半以上.同时为了降低高频损耗,提高电路效率,二极管需采用亚...     

SiC肖特基势垒二极管的研制

本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂（Ｐｔ）做肖特基接触在ｎ型６Ｈ-ＳｉＣ体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性．对实验结果进行了比较分析,Ｉ-Ｖ特性测量说明Ｐｔ／６ＨＳｉＣ肖特基二极管有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子为１.２３,肖特基势垒高度为１.０３ｅＶ,开启电压约为０.５Ｖ．     

肖特基二极管的新发展

介绍肖特基二极管的结构特点和最新发展动向及应用。     

肖特基二极管保护环结构的研究

本文叙述了肖特基二极管保护环结构的作用，设计及制备方法，在应用结果中将新旧工艺进行了比较，表明保护环结构对改善器件的反向特性及提高管芯成品率效果显著。     

基于肖特基二极管的太赫兹功率探头研究

目前的太赫兹功率探头主要采用热敏电阻和热电偶作为功率检测器件,测量速度较慢。肖特基二极管具有较快 的检波速度,但是在太赫兹频段检波灵敏度降低,功率检测实现的难度很大,本文对基于肖特基二极管的太赫兹功率探 头设计技术进行研究,采用双平衡检波、渐变波导匹配、小信号斩波放大、温度补偿等技术,实现了肖特基二极管在太 赫兹频段的高灵敏度、高稳定性功率检测,试验结果表明：0.11THz~0.325THz 频段端口驻波比优于1.35,灵敏度优于 -40dBm。     

基于准垂直结构GaN肖特基二极管的S波段限幅器研究

当今高功率微波技术发展迅速,电子设备所面临的威胁巨大。GaN肖特基二极管具有较小的开启电压和较高的击穿电压,特别适用于大功率整流电路。文章介绍了一种基于准垂直结构GaN肖特基二极管整流的高功率微波限幅器。测试结果表明,该限幅器在2～4 GHz频带内,可承受脉宽10μs、占空比1%、峰值超过1000 W的功率;其小信号插损小于1 dB,输入输出驻波比小于1.5。该限幅器插损小、耐功率高,可广泛应用于接收机中以提升其可靠性。     

基于肖特基势垒二极管整流的功率指示计设计

设计了一种适用于低中频接收机的功率指示计。采用肖特基势垒二极管作为整流器件,降低了电路设计的复杂度,减小了系统功耗;功率指示计中的限幅放大器采用交流耦合的方式,消除了输入直流失调的影响,降低了设计难度。电路基于0.18 μm CMOS工艺进行设计,测试结果表明,设计的功率指示计针对－50~0 dBm的10 MHz中频信号可以产生0.25 ~ 1.65 V的直流电压,线性误差小于±1 dB,在1.8 V电源电压下,整体功耗仅为1.4 mW。     

大功率肖特基SiC二极管热特性研究

基于小电流下肖特基结正向压降的温度特性,建立了温升测量系统。利用该系统对肖特基SiC二极管的瞬态温升进行了测量,结果显示瞬态温升曲线呈阶梯状变化。利用结构函数的方法对瞬态温升曲线进行处理,分析了肖特基SiC二极管在热流传输路径上的热阻构成。研究了三引脚封装的肖特基SiC二极管在相同大功率的条件下,两正极引脚单独使用和并联使用时的热阻特性,结果显示,在两正极引脚并联使用时,其热阻比单独作用时减少一半,这表明三引脚封装的肖特基SiC二极管的两个正极是并联的,并共用一个负极和散热片。     

肖特基二极管检波器用于微波功率探头的理论分析与研制

对低势垒肖特基二极管检波器进行了微波特性分析，给出了小信号情况下的检波特性。利用优化方法对检波器内各种寄生及分布参量对频率响应和驻波特性的影响作出了定量分析，并以此研制出了标网检波器。理论分析与实验结果吻合良好。     

高Al组分AlGaN肖特基二极管研制

制备了高Al组分AlxGal-xN肖特基二极管(x≥0.4),并且研究了该二极管在退火前后I-V特性的变化.计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度.退火后势垒高度由0.995 eV提高到1.1689 eV,理想因子由1.699增大为1.934,器件的接触特性得到改善,在-5V时,暗电流密度减小为1.025×10-6 A/cm2.     

退火对Pt/TiO2肖特基二极管结构及电学性能的影响

以硅为衬底,采用射频磁控溅射技术制备了TiO2薄膜,利用扫描电子显微镜及拉曼光谱对退火前后的TiO2进行表征与结构分析.结果表明,退火后的TiO2具有良好的结晶特性,且呈锐钛矿结构.在此薄膜工艺条件下,以TiO2为半导体层在玻璃基底上制备了Al/TiO2/Pt肖特基二极管,并在153～433 K温度范围内对其进行了I-V测试,得到以下结果:在整个温度范围内,A1/TiO2/Pt肖特基二极管均表现出良好的整流特性;其理想因子随温度升高而降低,势垒高度随温度升高而升高;在433 K下,理想因子为1.31,势垒高度为0.73,表明此肖特基二极管已接近理想的肖特基二极管.     

基于立方星辐射计直接检波系统的毫米波零偏置肖特基二极管检波器设计

基于立方星辐射计直接检波系统,设计并实现了中心频率分别为89 GHz和150 GHz的两款毫米波零偏置肖特基检波器.检波器设计基于ACST的零偏置肖特基二极管.为了获得稳定、优越的性能以及较好的宽带特性,并易于与前级系统集成,更适于立方星辐射计小型化,在直流接地电路与输出电路处采用扇形线结构,并通过一段可调传输线对其端...     

基于ADS实现RFID链路设计及仿真

射频收发信机是射频识别系统中的一个重要组成部分.为了加深对EPC Class 1 Generation 2协议的理解、完成链路预算及一些指标测试,该文利用ADS(Advanced Design System)仿真软件、89601 VSA(Vector Signal Analyzer)软件以及Agilent公司的各种仪器,外加一个真实的LIHF.频段的射频标签,来构成一个链路信号测试环境,这种新颖且相当具有实用价值的方案是对RFID(Radio Frequency Identification)阅读器及标签研发的一个强有力补充.通过仿真,深刻理解EPC Class 1 Generation 2协议,完成了RFID链路的各种性能测试,为将来实际阅读器研发提供指导.     

基于自由轴测量法的阻抗测量系统设计

设计了一种基于SOPC技术的阻抗测量系统,采用自由轴测量阻抗法,设计了基于FPGA的DDS测量信号发生电路,基于AD633模拟乘法器的相敏检波电路设计。与传统阻抗分析仪相比,该电路结构简单,稳定性好,测量精度高,具有一定的商业应用价值。实际测试表明,该测量电路实现了频率为1kHz~500kHz的阻抗测量功能。