ZnS:Er电致发光中SiO2与ZnS电子加速能力的比较

在分层优化结构和固态阴极射线发光中, 从电极注入的电子经电子加速层加速后获得更高能量成为过热电子, 过热电子碰撞激发发光中心引起发光, 其中SiO2 在提高过热电子的能量方面有非常重要的作用. ZnS作为电子加速层时, 也发现了固态阴极射线发光, 但其发光的亮度及稳定性都不及 SiO2作为电子加速层的器件. 通过比较 ZnS：Er在正弦交流电驱动下的正负半周内的亮度变化, 得出ZnS与SiO2的电子加速能力的相对大小. 实验结果表明： SiO2的电子加速能力是ZnS的2.18倍.     

一种新结构ZnS∶Tm~(3 )薄膜电致发光器件的研究

采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2 夹层起到了加速电子和提供界面的作用     

一种新结构ZnS：Tm^3＋薄膜电致发光器件的研究

采用电子束蒸发法制备了一种新结构（ITO／SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/Al)的薄膜电致发光器件,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2夹层起到了加速电子和提供界面的作用。     

阴极射线激发下新型蓝粉的研制

蓝色荧光粉在高密度激发下的衰减与饱和是影响显示器整体性能的因素之一,我们研制的阴极射线新型蓝粉ZnS:Zn,Pb具有优异的高密度激发特性和较好的饱和特性,本文分析了制备条件对ZnS:Zn,Pb发光性能的影响,同时注意到ZnS:Tm^2 发宽谱带蓝光有很高的亮度和效率,研究了在ZnS:Zn,Pb中掺入Tm^2 的发光情况,发现阴极射线激发下相对发光亮度有了进一步提高,并具有较好的亮度饱和特性,随着Tm^2 浓度的增加,光谱的主峰发生了蓝移,相对发光亮度有所提高,非线性有所改善,改进后的荧光粉可应用于FED,PTV等显示器中。     

反胶束法制备SiO2包裹的ZnS:Mn/ZnS量子点

采用反胶束法制备了SiO2包裹的ZnS∶Mn/ZnS量子点(1)。1的UV吸收峰在295 nm附近,低于体相ZnS(约340 nm);1中Mn2+含量升高,ZnS基质的缺陷荧光发射峰减弱,595 nm处的Mn2+特征荧光发射峰增强;但Mn2+含量过高时产生荧光淬灭。光学显微镜和透射电镜分析表明,1分散性较好,内核呈结晶态;Mn2+含量为2.2%时,1的内核直径和SiO2壳层厚度分别为6 nm和5 nm左右。     

ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程

用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件，对其电致发光谱进行分析，在光致发光中，Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递，而在电致发光中，Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递，在所研制的电致发光器件中，稀土TmF3掺杂浓度不同，器件的发光性能也不同，在双绝缘层的ZnS:Tm的薄膜电致发光器件的基础上，改变器件的结构，发现器件的蓝光发射与红光发射之比增加，并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。     

ZnS：ErF3和ZnS：HoF3薄膜电致发光的亮度和色度

研究了ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3两种材料制备的交流驱动的绿色电致发光薄膜(ACELTF)的发光亮度和色度与ErF_3和HOF_3掺杂浓度的关系。对于ZnS:ErF_3和ZnS:HoF_3,其最佳掺杂浓度分别为7×10~(-3)和2×10~(-3)mol/mol基质;获得的最高发光亮度分别为900cd/m~2和550cd/m~2。当ErF_3的掺杂浓度由3×10~(-4)mol/mol基质增至3×10~(-1)mol/mol基质时,ZnS:ErF_3薄膜的色座标(x,y值)由0.251,0.664变为0.392,0.586;当HOF_3的掺杂浓度由3×10~(-4)mol/mol基质增至1×10~(-1)mol/mol基质时,ZnS:HoF_3薄膜的色座标值由0.315,0.615变为0.472,0.521。     

低温合成广谱发光CuInS_2/ZnS量子点

以二乙基二硫代氨基甲酸锌(ZDC)为ZnS的前驱体材料、三辛基膦(TOP)为主要配体,在温度不高于200℃的条件下合成了广谱发光的核壳结构CuInS2/ZnS(CIS/ZnS)量子点.研究了ZDC用量、壳层包裹温度和配体对CIS/ZnS光学特性及荧光量子产率的影响.结果表明,使用ZDC可在相对较低的温度下实现ZnS的包裹过程,并且随着包裹温度的提高,ZnS的包裹速度明显加快.吸收光谱、荧光光谱及X射线衍射分析结果表明,使用TOP为配体合成的CIS/ZnS量子点的明显吸收峰为其激发吸收峰.使用荧光分光光度计、高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪和傅里叶变换红外光谱仪对使用不同配体进行壳层包裹得到的样品进行了表征.结果表明,在ZnS的包裹过程中,配体TOP和十二硫醇作为有机层包覆在颗粒表面也会影响量子点的光学性能和晶体生长速度.使用TOP能够加速ZnS的包裹速度,形成的颗粒尺寸均一,其荧光波长可蓝移至550nm.     

ZnO/ZnS大面积单晶异质结及其光电性能研究

ZnO和ZnS是重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,二者之间形成的异质结具有Ⅱ型能带结构,可以促使受激载流子实现空间分离,延长受激载流子的寿命,从而提高材料的光催化和光电探测性能。本文利用物理气相沉积方法,首次在ZnO块状单晶衬底上生长了一层ZnS单晶薄膜,薄膜由厚约4nm、边长几百纳米,取向一致的等边三角形纳米片组成。X射线衍射和透射电子显微镜的表征结果显示,ZnS薄膜与ZnO衬底具有单一外延取向关系。阴极射线荧光光谱表明ZnS薄膜的制备显著提高了ZnO单晶片可见光荧光发光峰的强度。此外,对ZnO/ZnS异质结的紫外光电探测性能的研究结果显示,异质结对不同波长的紫外光均有响应,光响应的上升弛豫时间和下降弛豫时间分别为200ms和1050ms,展示了较好的光电应用潜力。     

掺杂ZnS纳米粒子的制备及应用

近年来,掺杂ZnS半导体纳米材料作为一类新型发光材料,因其独特的光学特性和在众多领域中的广阔应用前景而成为研究的热点。由于量子尺寸效应,随着纳米粒子粒径减小,掺杂ZnS纳米粒子量子产率增加、带隙能增大,导致吸收光谱和荧光激发光谱发生蓝移,而荧光发射光谱红移。本文详细讨论了影响掺杂ZnS纳米粒子发光性能和量子产率的因素,并综述了掺杂ZnS纳米材料制备及其应用的研究进展。     

ZnS:Mn/ZnS量子点在DNA定量分析中的应用

以巯基乙酸为稳定剂,采用成核掺杂的方法在水溶液中一步制备得到具有核壳结构的ZnS:Mn/ZnS量子点.研究了荧光、室温磷光产生的机理.基于DNA对量子点发光的增强效应,以ZnS:Mn/ZnS量子点作为标记探针建立了测定DNA的荧光、室温磷光的分析方法.考察了量子点浓度、EDC/NHS用量和反应时间等条件对DNA测定的影...     

Mn:ZnSe/ZnS核-壳结构纳米晶的无膦法制备和光学性质

以溶于十八烯的Se作为Se前驱体,在无膦条件下制备得到了具有较高量子产率的Mn:ZnSe纳米晶.为了进一步提高纳米晶的稳定性和发光强度,运用外延生长的方法进行ZnS壳层包覆并得到了具有核-壳结构的Mn:ZnSe/ZnS纳米晶.X射线衍射、透射电子显微镜及吸收和荧光光谱测试结果表明,该方法合成的Mn:ZnSe纳米晶以及核-壳结构Mn:ZnSe/ZnS纳米晶均为闪锌矿结构,具有良好的单分散性,包覆ZnS外壳层后量子产率可达到60%以上.此外,对ZnS壳层厚度和Mn2+的掺杂量对Mn:ZnSe/ZnS纳米晶发光强度的影响及发光机制也进行了初步讨论.     

CdSe/ZnS量子点敏化太阳能电池电子注入与光伏性能表征

合成了CdSe/ZnS核壳结构量子点(QDs), 将其作为光敏剂吸附在TiO2纳米晶薄膜上, 组装成量子点敏化太阳能电池(QDSSCs), 从电子注入速率和电池性能两方面对QDSSCs进行了表征. 为了定量研究ZnS层包覆对电子注入的影响, 运用飞秒瞬态光谱技术, 测试了包覆ZnS前后, CdSe-TiO₂体系的电子注入速率. 实验测得ZnS包覆前后电子注入速率分别为7.14×10¹¹s^-1和2.38×10^-11s^-1, 可以看出包覆后电子注入速率明显降低, 仅为包覆前的1/3. 电池器件J-V性能测试表明, ZnS作为绝缘层包覆在CdSe的表面有效提高了QDSSCs的填充因子和稳定性, 但同时也导致了效率的降低. 上述结果说明了电子注入速率的降低是导致电池电流和效率下降的重要原因, 为今后优化核壳结构QDSSCs的电流和效率提供了依据.     

ZnS∶TbF_3薄膜电致发光器件性能的研究

用射频磁控溅射和扫描电子束蒸发方法研究制备了ZnS∶TbF3薄膜的交流电致发光器件。研究了制备ZnS∶TbF3薄膜电致发光器件的几种因素对电致发光器件性能的影响 ,诸如 ,磁控溅射过程中衬底温度 ,发光层厚度 ,退火等。     

ZnS：TbF3薄膜电致发光器件性能的研究

用射频磁控溅射和扫描电子束蒸发方法研究制备了ZnS:TbF3薄膜的交流电致发光器件。研究了制备ZnS:TbF3薄膜电致发光器件的几种因素对电致发光器件性能的影响,诸如,磁控溅射过程中衬底温度,发光层厚度,退火等。     

不同电子传输层的蓝光有机电致发光器件的性能研究

自从Tang等^[1]首次报道多层有机电致发光器件（OLED）以来,其在亮度和效率上有了质的飞跃,表明器件的结构对提高发光亮度和发光效率起着至关重要的作用,单层器件虽然具有制作简单的优点,但却存在明显缺点：（1）复合发光区靠近金属电极,该处缺陷很多,非辐射复合几率大,导致器件效率降低;（2）由于两种载流子注入不平衡,载流子的复合几率较低,因而影响器件的发光效率,要使发光层中具有高的载流子辐射复合效率,两种载流子的注入及传输能力应相当,否则传输快的一方就会直接穿过发光层到达对电极被猝灭,平衡电子和空穴的注入与传输可通过在电极和发光层之间加入载流子输运层或限制层制作多层器件的途径来实现,基于上述考虑,我们以PPCP为发光层（PPCP是一种荧光效率较高的蓝光材料^[2-4],对其进行深入研究尚未见有文献报道＿,设计了4种不同电子传输层（ETL)的三层 结构的OLED,为研究电子传输层对器件性能的影响,我们还制备了不含电子传输层的双层器件,结果表明,通过选择合适的ETL,OLED的发光亮度及发光效率会有很大程度的改善。     

新型稀土投影电视荧光粉—LaOBr:Tb~(3 )

本文叙述了LaOBr∶Tb~(3 )白色荧光粉的制备工艺和其阴极射线发光性能,以及应用于投影电视管的结果。LaOBr∶Tb~(3 )白色荧光粉的发光亮度与阴极射线的激发电压和束流密度星线性关系。LaOBr∶Tb~(3 )投影管的亮度为(YGd)_2O_2S∶Tb~(3 )投影管的1.2～1.5倍,工作亮度衰减特性也好得多。此外,LaOBr∶Tb~(3 )投影管具有能在更宽的工作电流和工作温度范围内使用而不变色的优点。几种不同的投影管发光颜色的稳定性的顺序为:LaOBr∶Tb~(3 )>Y_2O_2S∶Tb~(3 )>(YGd)_2O_2S∶Tb~(3 )。     

ZnS薄膜原子层沉积机理的密度泛函理论研究

使用密度泛函方法研究了以二乙基锌(DEZn)和H2S作为前驱体在硅表面原子层沉积ZnS的初始反应机理.ZnS薄膜的原子层沉积包括2个连续的"半反应":即DEZn与H2S"半反应".研究显示:DEZn与H2S"半反应"都经历了一个C2H6消去过程.通过对比在单硫氢基及双硫氢基硅表面上的反应,发现邻位硫氢基的存在有利于前驱体分子的吸附并能够降低反应活化能,这意味着双硫氢基硅表面上的反应是能量上更有利的反应.另外,也发现DEZn"半反应"比H2S"半反应"更容易进行.     

Lu2O3∶Bi3+粉末晶体发光性能的研究

采用共沉淀法和燃烧法分别制备得到纳米和亚微米的Lu2O3∶Bi^3＋的粉末晶体。立方结构,属Ia3^-[206]空间群,晶格常数a=1.039 nm,密度高达9.4 g·cm^-3。利用XRD,TEM,荧光光谱和阴极射线发光等方法,研究了不同的制备方法和条件对制成样品的结构、形貌、发光亮度、光谱以及余辉的影响。两种方法制得的样品在紫外和阴极射线激发下,有亮度较高的兰青色的发光。余辉较短,衰减曲线是单指数型。     

水溶性的CdSe/CdS/ZnS量子点的合成及表征

用L-半胱氨酸盐(Cys)作为稳定剂,合成了水溶性的双壳结构的CdSe/CdS/ZnS半导体量子点。吸收光谱和荧光光谱结果表明,双壳结构的CdSe/CdS/ZnS纳米微粒比单一的CdSe核纳米粒子和单核壳结构的CdSe/CdS纳米粒子具有更优异的发光特性。用透射电子显微镜(TEM)、ED、XRD、XPS和FTIR等方法对CdSe核和双壳层的CdSe/CdS/ZnS纳米微粒的结构、分散性及形貌分别进行了表征。