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本文考虑在N→S_A相变中,当T→T_c~ (相交点)时,声在液晶中传播引起的压力效应。使用模-模耦合方法计算了声的衰减和色散,得到在高频区间,声的衰减有反常发散行为,在低频极限声衰减的临界指数为2.5.当T→T_c~ 时,本文的理论曲线大体上与实验结果相一致。 相似文献
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本文由粘滞系数的时间关联函数表达式,得到了实验观察到的现象:在液晶N相→SA相转变点附近(T→T(sA)),体粘滞系数的反常发散比切变粘滞系数反常发散要大得多。说明了Brochard等人的理论中,不能解释此实验的原因。
关键词: 相似文献
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本文由粘滞系数的时间关联函数表达式,得到了实验观察到的现象:在液晶N相→S_A相转变点附近(T→T_s_A),体粘滞系数的反常发散比切变粘滞系数反常发散要大得多。说明了Brochard等人的理论中,不能解释此实验的原因。 相似文献
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本文提出了π介子与核子作用产生η粒子的N*(1535)激发模型,计算了在阈能附近的πN→ηN反应截面以及S-波ηN散射长度,并与实验及其他理论作了比较. 相似文献
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本文提出了π介子与核子作用产生η粒子的N~*(1535)激发模型,计算了在阈能附近的πN→ηN反应截面以及S-波ηN散射长度,并与实验及其他理论作了比较。 相似文献
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导出双轴丝状相液晶在指向矢与易取向轴重合时的表面相互作用能.应用Ritz方法,对半无 界液晶体得出沿表面法向的双轴相(Bc)至沿表面某一轴的双轴相(Ba)的相变.随着表面锚泊强度双轴性部分的增大,Ba的产生机制逐渐由降低温度 转为表面锚泊,因此Ba相可出现在较高温度和较大温度范围内.在表面锚泊强度 单轴性部分α值的一定范围内,增大α值可使Ba在较高温度产生,但α值的进 一步增大则使液晶又从Bα返回Bc相.
关键词:
液晶
相变
表面能 相似文献
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应用双模晶体相场模型计算二维相图,并模拟了在熔点附近预变形和保温温度对六角相晶界演化以及六角相/正方相相变的影响.研究发现:在相变初期,当预变形为零、保温温度离熔点很近时在晶界发生缺陷诱发预熔;增大预变形,变形与缺陷的交互作用在熔点附近诱发预熔;随着预变形的进一步增大,变形在畸变处同时诱发液相和正方相,且预变形越大、保温温度越接近熔点,液相生长越明显,反之正方相生长明显.持续保温使得畸变能释放,晶粒最终完全转变为平衡正方相.模拟结果表明:预变形六角相在熔点附近保温时,由于晶界固有缺陷和预变形双重作用使得原子无序度增加,从而在晶界或其他缺陷处产生液相,待能量释放后晶粒再转变成平衡正方相,进而延缓了六角相/正方相相变时间. 相似文献
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本文根据Freiser关于向列相液晶分子相互作用模型,利用平均场理论,建立了梳型高分子聚合物向列相液晶分子的哈密顿量,导出序参数自洽方程,得到各向同性相至单轴向列相以及单轴至双轴向列相的相变,结果表明,当分子主、侧链耦合项中排斥作用及主、侧链中较强向列相场的场强增大时,单轴至双轴向列相相变温度升高,并从一级相变逐渐变为二级相变。
关键词: 相似文献
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