高分子中的激子-激子复合过程

高分子的一维特性使电子激发产生显著的自陷(self-trapping)效应，两个单激子(exciton)会复合形成双激子(biexciton)，这是形成双激子的重要通道，其效率高于双光子过程.这种复合过程伴随着晶格畸变，需要了解其演变过程并确定其弛豫时间.本文利用动力学方程研究了激子-激子复合的弛豫过程，确定了它的弛豫时间为160fs，同时还研究了外电场E对复合过程的影响，结果表明，当E大于0.5MV/cm时，两个单激子不能复合成双激子，而是解离成正负双极化子. 关键词：     

分子聚集体中激子-激子湮灭过程

分子的激发能量转移和电荷转移是提高光伏电池和发光二极管效率的关键问题,其中分子聚集体中的激子-激子湮灭过程是影响分子激发能量转移的重要方面,细致研究激子-激子湮灭的动力学过程并与相关的瞬间吸收谱信号对比对相关的理论和实验都有重要意义.本文在分子间弱耦合近似下,用经典的率方程,应用方酸分子的基本参数对激子-激子湮灭过程做...     

双分子链中非线性多激子态的动力学研究

在超快激光激发下分子聚集体内有多个激子产生.针对具有链间耦合的双分子链系统,应用密度矩阵理论,在偶极-偶极近似和算符算术平均值近似下通过求解量子主方程计算了不同双链构型下的多激子动力学过程.研究发现在光激发作用下的多激子离域在双链分子系统中,在能量表象下形成激子态能带.激子态能带的宽度和激子占据能级随双分子链构型的不同而不同.对于链间和链内均为H型排列的分子链,激子态能带变宽,激子态优先占据在高阶能级上.在不同能级下的激子具有不同的动力学演变特点.若链间耦合较强,激子态通过链间耦合传递,与分子是否直接受到激发没有直接关系,激发态在两个链内的转移周期与最近邻的链间耦合有直接关系.     

纳米半导体中多重激子效应研究进展

多重激子效应是指纳米半导体吸收一个高能光子后产生两个甚至多个电子-空穴对的物理过程,不仅具有重要的基础研究意义,而且在新型太阳电池及高性能光电子器件领域具有潜在应用价值.综述了多重激子效应的发展历程;总结了纳米半导体的材料组分、体系结构甚至表面质量对多重激子效应的影响;介绍了多重激子效应的实验测试分析方法以及解释多重激子效应的理论方法;概括了目前多重激子效应在器件中的应用并对其应用前景进行展望.     

RbMnF_3和KMnF_3中的激子及激子-磁子状态的分时发射光谱

我们证实了RbMnF_3和KMnF_3中Mn~(2 )的~4T_1g本征激于及激子-磁子辐射。在吸收和辐射中激子线E_1及E_2是完全重合的。能量稍低的第三个激子辐射E_3有一个对应的微弱吸收(图1)。在吸收和辐射E~3中磁子边带的能量峰值几乎是相等的(RbMnF_3∶56cm~(-1),KMnF_3∶57cm~(-1))应用分时发射光谱技术可以有效地找出磁子边带的带的形状,它表明了弱快和强慢跃迁的作     

高分子中的激子激子复合过程

高分子的一维特性使电子激发产生显著的自陷（ｓｅｌｆｔｒａｐｐｉｎｇ）效应，两个单激子（ｅｘｃｉｔｏｎ）会复合形成双激子（ｂｉｅｘｃｉｔｏｎ），这是形成双激子的重要通道，其效率高于双光子过程．这种复合过程伴随着晶格畸变，需要了解其演变过程并确定其弛豫时间．本文利用动力学方程研究了激子激子复合的弛豫过程，确定了它的弛豫时间为１６０ｆｓ，同时还研究了外电场Ｅ对复合过程的影响，结果表明，当Ｅ大于０５ＭＶ／ｃｍ时，两个单激子不能复合成双激子，而是解离成正负双极化子．     

GaP:N和GaAs1-xPx:N中束缚激子的辐射复合依赖于激子声子耦合的热猝灭

实验中发现,氮掺杂的GaP和Ga(As,P)的发射光谱的零声子带和声子伴带的热猝灭过程是不同的.声子伴带的热猝灭非常强烈地依赖于激子声子耦合.我们提出了一个激子声子复合体((N-激子)—声子)模型.     

GaAs激子吸收的微微秒光谱

运用微微秒光谱学中的激发与探测方法,测量了5K下GaAs样品的时间分辨吸收光潜。结果表明:激子被屏蔽的时间约600ps,从电子-空穴对等离子体到激子态的转变不是一个突变过程,在1ns之后出现一个来源于激子被散射的“透过”峰。     

ZnCdse-ZnSe多量子阱中的激子发光

在77-300K温度下研究了Zn_1-xCd_xSe-ZnSe多量子阱(MQWs)的光致发光特性.首次在77K,Ar离子激光器的457.9nm激发下,在Zn_0.68Cd_0.32Se-ZnseMQWs中观测到5个发光带,其中三个发光带被归因于不同的激子发射:即n=1重空穴(HH)激子;n=l轻-重空穴(LH)激子和n=IHH激子同时发射两个纵光学声子的复合发光,并且n=1HH激子发光可延续至室温.     

半导体微腔中腔模、重空穴激子模和轻空穴激子模耦合

采用传输矩阵方法利用半经典的线性色散模型,计算半导体微腔内同时存在重空穴激子、轻空穴激子时,在不同入射角度下的反射谱,同时,利用三简谐振子耦合模型计算了在不同入射角度下,腔模同时和重空穴激子模、轻空穴激子模耦合所形成的三支腔极化激元的能量,以及腔模、重空穴激子模、轻空穴激子模分别在三支腔极化激元中所占的权重,结果表明随着入射角的增加腔极化激元的高能支和两个低能支之间存在明显的反交叉现象,同时,腔模和重空穴激子模、轻空穴激子模在腔极化激元中所占的权重呈现增加或减小的趋势 关键词： 半导体微腔 腔极化激元 激子     

红色Hgl_2中激子-电子和激子-空穴相互作用

在N_2激光的强激发下研究了纯的红色HgI_2的光致发光光谱。所用HgI_2是层状的半导体,具有2.4eV的直接能带隙。光谱呈现出激子-空穴的相互作用,也呈现出激子-电子的相互作用。 脉冲强激发引起两条发射带(在150°K温度下为2.280eV和2.226eV)。当温度超过60°K时,发射强度随激发强度按平方规律增长。当温度降到60K以下时,另一个位于     

激子模型中的激子态寿命和激子态跃迁率与发射率

通过预平衡核反应理论中的激子模型理论 ,给出了激子模型中的激子态寿命和激子态发射率与跃迁率的表达式。并通过计算给出了轻核 (9Be、1 6O) ,中等核 (56Fe、64Zn) ,重核 (1 75Lu、1 84W)等核的各激子态寿命以及它们的发射率和跃迁率。结果表明对于轻核 ,前几个激子态在反应中占主要的部分 ,使用时可以作无返回近似。这反映了在轻核反应中 ,预平衡反应占主要的地位。     

激子集成电路

美国物理学家制造了一种基于激子的新型集成电路,在电路中光信号不转变为电信号,而是被转化成一种叫做“激子”（exciton）的准粒子．在超低温下,当一个光子被半导体吸收时会产生由一个电子和一个空穴绑定而成的激子,而这种激子在重新转化成光信号之前可以方便地被半导体器件处理．器件的制造者美国的物理学教授列奥尼德·布托夫（Leonid Butov）认为这种晶体管集成电路将会是未来新型计算机的基础．     

共轭高分子中激子形成的非绝热动力学研究

有机共轭高分子被光激发后,其电子结构会发生明显的变化,通过非绝热数值计算的方法模拟了受光激发后有机高分子中激子生成的动力学过程.结果表明,激子的生成一般需要数十飞秒时间,激子的生成周期随分子链长度的增大而增大.高激发态激子可以根据生成周期分为两类,第一类激子的生成周期在数十到上百飞秒之间,第二类激子的生成周期可达上千飞秒.对于超过200个碳原子的高分子,第二类激子的生成周期可达5000飞秒以上.这个计算结果说明,相比于有机高分子,有机小分子中更容易观测到激子.     

非线性激发的磁激子对的振荡特性

通过分析放置于微波谐振腔中的磁有序晶体中的磁激子对激励过程，推导出了磁激子对的运动方程，发现磁激子对不能被认为是两个单个的磁激子的一般组成，而是可以整体的看作为一个具有非线性行为的单模谐振子.依据微波谐振腔与磁激子对集体形成的谐振器之间的耦合作用的机理，可以定性解释在有关磁激子对激励实验中所出现的双峰现象.     

在两个耦合的量子点和腔QED系统中的双模激子的压缩性质(英文)

本文研究了在两个耦合的量子点和腔QED系统中的双模激子的压缩性质.讨论了不同的初始光场对双模激子的正常压缩与和压缩的影响.计算表明,当初始态光场制备在相干态时,双模激子既不存在正常压缩,也不存在和压缩,这说明双模激子振辐的两个正交分量具有相同的量子涨落;然而,当初始腔场处于压缩真空态时,无论是正常压缩还是和压缩,双模激子振辐的两个正交分量总有一个存在压缩.这意味着量子噪声能被有效的得到抑制.此外,两种情形下的最大压缩都由初始腔场的压缩因子r决定.经过比较,我们还发现双模激子的正常压缩比和压缩大.     

量子环上的负电荷激子

讨论了负电荷激子X^-的能-光谱及其Aharonov-Bhom振荡.负电荷激子是三个带电粒子组成的体系,其基函数（基矢）数目大,数值计算艰巨. 以往人们常把体系的空间波函数分离成质心运动和相对运动两部分来处理,这种方法误差大,只适用于外加磁场很小的情况.直接由体系的Hamilton量出发,基于角动量守恒,把基矢按总角动量分类. 据此提出了一种简便的求解体系的本征矢和本征函数方案,使用该方法使计算时间节省了90%以上.所得计算结果没有抗磁现象,且计算结果与现有的实验数据符合很好.还讨论了环的半径、介质电容率和空穴的有效质量与ABO的关系. 关键词： 量子环 负电荷激子 能-光谱 Aharonov-Bhom振荡     

硅BC8量子点太阳能电池中的多重激子效应

多重激子效应是指在纳米半导体晶体中,量子点吸收一个高能光子而产生多个电子-空穴对的过程,该效应可以提高单结太阳电池能量转换效率。利用碰撞电离机制和费米统计模型计算了工作温度300 K的单结硅BC8量子点太阳能电池在AM1.5G太阳光谱下的能量转换效率。对于波长在280~580 nm的入射光,多重激子效应可以大幅增强硅BC8量子点直径d>5.0 nm的量子点太阳电池的能量转换效率。硅纳米量子点的直径d=6.3~6.4 nm时,最大能量转换效率为51.6%。     

计及激子-双激子相干下半导体单量子点中的空间光孤子对

考虑激子-双激子的相干效应, 解析地研究了半导体单量子点中探测光和信号光的吸收特性和非线性传播特性.结果发现, 在线性条件下, 单量子点中出现电磁感应透明现象; 进一步分析可得, 电磁感应透明所呈现的是单窗口或双窗口或光学增益均可通过调节控制光强加以控制.在非线性条件下, 弱信号光诱导弱探测光产生两个分量, 这两个分量在系统中所激发的自克尔和交叉克尔 非线性效应与系统的衍射效应相平衡从而形成稳定的亮-亮, 亮-暗, 暗-暗等空间光孤子对. 关键词： 半导体量子点 电磁感应透明 空间光孤子对     

高密度激发下CdS中束缚激子与激子的散射发光

本文在液氦温度下在CdS中观测到一个新的发光峰,并提出束缚激子与激子非弹性散射发光模型对该峰的产生和特性进行了解释。