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当前的移动边缘计算资源分配结构多为单向形式,资源分配效率较低,导致资源分配比下降,文中设计了一种基于强化学习的移动边缘计算资源分配方法,并通过实验验证了其有效性。根据当前的测试需求,首先部署了资源采集节点,然后采用多阶的方式,提升整体的资源分配效率,构建多阶迁移资源分配结构,最后设计了移动边缘计算强化学习资源分配模型,采用动态化辅助协作处理的方式来实现资源分配。测试结果表明,对于选定的5个测试周期,经过3个分配组的测定及比对,最终得出的资源分配比均可以达到5.5以上,这说明在强化学习技术的辅助下,文中设计的移动边缘计算资源分配方法更加灵活、多变,针对性较强,具有实际的应用价值。 相似文献
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为进一步探究移动互联网的资源分配问题,文中基于无线互联网通信工况恶劣的特殊情形构建了仿真模型,并结合实际情况,以支持移动边缘计算的服务器为基础,引入基于深度域不变性残差计算的长短期记忆网络(DR-LSTM),从互联网设备任务卸载的角度着手设计了资源分配策略和主要算法流程。通过仿真实验结果可知,基于移动边缘计算的资源分配策略在性能上存在一定的优势,具有潜在的应用价值。 相似文献
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随着移动设备和互联网的普及,近年来人们对计算能力和网络资源的需求显著增加。为了降低网络延迟、提高用户体验,移动边缘计算(MEC)应运而生,将云计算与边缘计算相结合成为解决方案。MEC通过将计算资源移动到靠近终端用户的位置来实现这一目的。然而,随着移动设备数量和生成数据量的增加,对MEC网络中的计算资源分配进行优化。其中计算卸载是一种实现方式,它将资源密集型任务从移动设备转移到MEC服务器,以便更高效地处理。故此,本文主要分析了适用于MEC网络的不同计算卸载策略,以期为后续的相关研究和工作开展提供帮助。 相似文献
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在电路瞬态分析中经常会遇到换路后形成由全电容或同时包含理想电压源组成的全电容回路情况。由于换路瞬间电容电压不再是连续函数,即换路时uc会发生跳变,所以此时换路定则失效,这使得确定换路后电容电压的初始值变得复杂。本文依据电容元件的伏安关系导出了计算全电容回路电容电压初始值的等效电路分析法,并将这种方法推广到由任意多个电容构成的全电容回路的情况。最后通过举例说明利用该方法可使复杂的全电容回路初始值的计算变得轻而易举。 相似文献
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介绍在PCB板上添加去藕电容进行EMC和信号质量的优化设计方法。详细说明在添加去耦电容时,去耦电容取值大小的计算、电容类型的选择、去耦电容的摆放、不同线路的频率和上升速度大小、线路板各层之间以及时钟的自协调频率的配合、防止共振的产生等这些应用去耦电容时关注和考虑的内容。 相似文献
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求解椭圆方程的局部间断Galerkin(LDG)方法具有精度高、并行效率高的优点,且能适用于各种网格。文章提出采用LDG方法来求解IC版图中电势分布函数满足的Laplace方程,从而给出了一个提取互连线电容的新方法。该问题的求解区域需要在矩形区域内部去掉数量不等的导体区域,在这种特殊的计算区域上,通过数值测试验证了LDG方法能达到理论的收敛阶。随着芯片制造工艺的发展,导体尺寸和间距也越来越小,给数值模拟带来新的问题。文章采用倍增网格剖分方法,大幅减小了计算单元数。对包含不同数量和形状导体的七个电路版图,用新方法提取互连线电容,得到的结果与商业工具给出的结果非常接近,表明了新方法的有效性。 相似文献
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C. J. Brabec A. Cravino D. Meissner N. S. Sariciftci T. Fromherz M. T. Rispens L. Sanchez J. C. Hummelen 《Advanced functional materials》2001,11(5):374-380
A series of highly soluble fullerene derivatives with varying acceptor strengths (i.e., first reduction potentials) was synthesized and used as electron acceptors in plastic solar cells. These fullerene derivatives, methanofullerene [6,6]‐phenyl C61‐butyric acid methyl ester (PCBM), a new azafulleroid, and a ketolactam quasifullerene, show a variation of almost 200 mV in their first reduction potential. The open circuit voltage of the corresponding devices was found to correlate directly with the acceptor strength of the fullerenes, whereas it was rather insensitive to variations of the work function of the negative electrode. These observations are discussed within the concept of Fermi level pinning between fullerenes and metals via surface charges. 相似文献
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Scobey Robert P. Howard Dwight L. Gabor Andrew J. 《IEEE transactions on bio-medical engineering》1981,(4):358-359
There are several specialized applications which require amplifiers with very low input capacitance. Two field effect transistors (FET's) can be cascaded in a source follower configuration to drive the drain of the input FET. The cascaded source follower provides at least an order of magnitude decrease in input capacitance. The cascaded source follower can be added to existing amplifiers or incorporated into new amplifier design with relatively little difficulty. 相似文献