凝固速度对金属基复合材料液-固界面形态选择的影响

液－固界面形态的转变决定着材料内部显微组织的变化,本文采用定向凝固垢方法,研究了凝固速度对金属基复合材料液－固界面形态选择的影响。随着凝固冷却速度的提高,Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ－４．５Ｃｕ复合材料液０固界面形态将发生由胞状向树枝状的转变、其胞－枝转变的临界速率实验值是４９．８μｍ／ｓ。     

NaCl（OH）^—）色心激光晶体的单晶生长研究

采用ＮａＣｌ－ＮａＯＨ掺杂，控制晶体中ＯＨ＾－的含量在１０８０ｐｐｍ，排除Ｋ＾＋，Ｌｉ＾＋等杂质离子的影响，调整适当的生长工艺条件，在Ａｒ气氛中用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长晶体，获得了性质优良的ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）单晶，为ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）；（Ｆ２＾＋）Ｈ色心激光晶体的制备及激光运转奠定了良好的基础。     

RAP法生长KBr单晶反应机理的探讨

采用反应气氛法（Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ Ｐｒｅｃｅｓｓ，简称ＲＡＰ法）生长ＫＢｒ单晶，选取ＣＣｌ４与ＣＨ２Ｂｒ的混合物作为纯化ＫＢｒ熔体的试剂。探讨ＣＣｌ４，ＣＨ２Ｂｒ２在纯化过程中的反应机理。分析纯化试剂与含氧阴离子进行反应的可能性。采用ＲＡＰ法生长ＫＢｒ单晶的吸收系数比用普通方法生长的单晶吸收系数降低了两个数量级。     

在H2—CH4—CO2气相系统中沉积金刚石薄膜

研究了在Ｈ２－ＣＨ４－ＣＯ２气相系统中金刚石薄膜的沉积情况。随着ＣＯ２浓度的增大，金刚石薄膜二次成核现象减少，晶体形态趋于完整，薄膜质量变化；随着ＣＯ２、ＣＨ４２的同时增大，金刚石薄膜农渐从完整晶体形态变为菜花状聚晶体，薄膜质量变差；在较高的ＣＨ４（约１５％）、ＣＯ２（约２０％）浓度下，仍可获得昌体形态貌良好的金刚石薄膜；在Ｈ２＿ＣＯ２气相系统中，不能沉积金刚石薄膜。     

Cr^3＋：BeAl2O单晶的特性及生长工艺的改进

描述了掺Ｃｒ＾３＋离子的紫翠宝石（Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４）单晶的晶体结构、物理性质、晶体的吸收光谱与发射光谱及其激光特性。讨论了用引上法生长Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４晶体的一些工艺问题中。引上法晶体生长过程中选用较慢的提拉速度、较快的转束客生长较大直径的晶体的工艺参数,能够生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶本。我们的实验表明,采用温梯法也能生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶     

异质粒子对高温高压下金刚石成核的影响

本文通过将一系列粉末粒子（包括Ｂ４Ｃ，β－ＳｉＣ，ＴｉＣ，ＴｉＢ２，结晶完整的石墨和Ｃ６０）定点地分别添加到溶媒－碳反应系里，就添加物质对金刚民核的影响进行研究。结果发现，所有这些添加粒子均具有明显的金刚石选择成核作用，在不同程度上促进金刚石的成核。在相同条件下，Ｂ４Ｃ可能是更为有铲的成核促进物质。     

等离子体CVD金刚石薄膜衬底正偏压增强成核效应机理研究

衬底正偏压增强成核效应是最近等离子体ＣＶＤ金刚石薄膜中光滑衬底表面金刚石的成核研究发现的，它对于增强和控制金刚石在非金刚石衬底光滑表面的成核行为具有重要的意义。基于已经得到的实验结果。本文分析了衬底正偏压作用于成核过程的机理，提出了这种效应的电子流密度模型，并且给出了正偏压增强效应与沉积参数的关系，描述了正偏压处于过渡和饱和区时的成核状态，合理地解释了所谓“正偏压阻止成核”现象，本模型的结果与已经     

C70作为金刚石薄膜成核区的理论模型

本文基于已经得到的实验事实，提出了在低压气相生长金刚石薄膜系统中，Ｃ７０薄层作为非金刚石衬底表面金刚石成核区的理论模型，较好地解释了相关的实验现象。本文还讨论了Ｃ６０及其它富勒烯对金刚石成核的增强作用。     

化学气相沉积金刚石薄膜成核机理研究

本文综述了在化学气相沉积（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ,ＣＶＤ）金刚石薄膜过程中非金刚石衬底表面金刚石成核机理研究进展。主要讨论了衬底表面缺陷诱导金刚石成核模型,指出最大原子团的存在决定了金刚石成核是否能够在衬底表面发生;分析了金刚石在非金刚石衬底成核时的过渡层问题,提出了过渡层存在机理;对于在等离子体ＣＶＤ中的偏压增强金刚石成核效应,提出的负偏压离子流增强成核模型和正偏压电     

离心倾液法与初晶Si的生长

本文首次提出了一种研究晶体生长的新方法－离心倾液法。用该方法获得了过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金初晶的Ｓｉ的生长形貌，发现了初晶Ｓｉ存在错台阶生长机制，并且，借助该生长机制成功地解释了初晶Ｓｉ的分枝和初晶Ｓｉ包裹共晶组织的形成机理。此外，观察到了共晶体包裹初晶Ｓｉ生长的过程。     

V:Al2O3的电子及中子辐照改性研究

测量和分析了Ｖ：Ａｌ２Ｏ３晶体在电子辐照前后的吸收谱,发射谱和正电子湮没寿命及强度。结果表明：电子辐照可使Ｖ：Ａｌ２Ｏ３晶体中的Ｖ离子变价,而中子辐照在晶体中诱生Ｆ＾２＋２和（Ｖ＾＆３＋－Ｆ＾＋２）心。（Ｖ＾３＋－Ｆ＾＋３）心可发射４５０－５６０ｎｍ５ 连续荧光。     

杂质对SnO2纳米小晶粒生长的影响

本文研究了杂质对ＳｎＯ２纳米晶粒生长的影响。结果表明，掺入Ｌｉ２Ｏ有利于ＳｎＯ２晶粒的生长，ＮｉＯ对ＳｎＯ２晶粒的生长没有明显的影响，Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｆｅ２Ｏ３在８００℃以下阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长；在更高温度时，杂质相结晶，它们将不再阻碍ＳｎＯ２晶粒的生长。     

NaCl晶体中氧族离子稳定的(F+2)H心

描述了掺氧族离子（Ｏ＾２－，Ｓ＾２－，Ｓｅ＾２－）ＮａＣｌ晶体中（Ｆ２＾＋）Ｈ心的制备过程，报道了氧族离子稳定的（Ｆ２＾＋）Ｈ心的吸收光谱和发射光谱，测量了这些（Ｆ２＾＋）Ｈ心的室温避光稳定性。研究表明，氧族离子对Ｆ２＾＋心的稳定作用顺序为Ｏ＾２－〈Ｓｅ＾２－〈Ｓ＾２－，而受这三种离子扰动的（Ｆ２＾＋）Ｈ心的光谱峰位相对于纯Ｆ２＾＋心的移动大小亦为这一顺序。这一顺序与它们相应元素的电子亲合能顺序相     

NaCl晶体中激光工程心——（F2^＋）H心的形成

ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）晶体中的（Ｆ２）Ｈ色心是理想的激光工作心。本文设计一个系统实验，测定了室温光聚集和液氮温度光聚集过程ＮａＣｌ（ＯＨ＾－）光谱性质变化，研究了此过程（Ｆ２）ＨＩ和（Ｆ２）Ｈ２色心的形成，探讨了（Ｆ２）Ｈ色民主的结构和性质。浓度罗高、稳定性好的（Ｆ２）Ｈ激光工作心。     

ACRT定向凝固过程非小面胞枝晶形态的演变

ＡＣＲＴ定向凝固技术是一个新型的晶体生长技术，已成功地应用于制备一些优质高效的功能材料，本文利用自行研制的透明模型合金ＡＣＲＴ定向凝固装置，实时实地观察了ＡＣＲＴ定向凝固过程中胞晶枝晶生长形态的变化过程。     

Cr^4＋离子在晶格中的结构稳定性

本文着重从以下三个方面系统论述Ｃｒ＾４＋离子在Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２晶格中的稳定性：二介补偿离子的选择；生长气氛的影响；以及Ｃｒ＾４＋离子的退火效应和形成动力学。分析结果表明，Ｃａ＾２＋离子是最佳补偿离子，氧化气氛的退火温度应高于１０００Ｋ；而Ｃｒ＾４＋离子在Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２晶格中的稳定性与生长气氛无关。     

引上法晶体生长的温度时间特性

采用同－装置生长钇铝石榴石和不同掺质的钇铝石榴石晶体：ＹＡＧ、Ｔｍ：ＹＡＧ、ＮＤ：ＹＡＧ、（Ｃｅ，Ｎｄ）：ＹＡＧ、（Ｃｒ，Ｔｍ）ＹＡＧ：和（Ｃｒ、Ｔｍ、Ｈｏ）：ＹＡＧ，，晶体生长的温度时间特性曲线不同。特性曲线先是温度随时间上升，然后下降。以上棕顺序特性曲线上升的时间逐渐变短。生长晶体表面热辐射和与对流气体的热交换增加了热损失，是造成升温生长的因素；生长晶体盖在熔体表面减少了熔体的热损失，是造成降     

基于自反应淬熄法制备空心复相陶瓷微珠吸波剂的凝固组织分析

本文以Al-TiO2-Fe-MnO2-Fe2O3-蔗糖和O2为反应体系与送粉气,利用自反应淬熄法合成了空心复相陶瓷微珠.借助SEM、EDS与XRD等现代分析测试方法,对微珠的凝固过程进行了表征与分析.结果表明,高热的空心陶瓷熔滴进入冷却介质(蒸馏水)后,发生快速淬熄转变,发生表面枝晶长大及纳米条状晶形成,内部柱状晶形成,内部纳米等轴晶粒形成等现象形成空心复相陶瓷微珠,同时共晶组织的形成伴随凝固全过程.微珠由Al2O3与呈尖晶石结构的Fe3O4、Mn3O4、(Fe2.5Ti0.5)O4、Mn2AlO4组成,其中呈尖晶石结构的后四种成分形成固溶体,并与Al2O3形成共晶组织.超大过冷度条件可能是产生以上组织的主要原因.     

低温化学气相沉积SiC的组成,组织结构及高温稳定性

利用Ｘ射线衍射、Ａｕｇｅｒ能谱、Ｒａｍａｎ光谱、扫描电和透射电等分析手段，对低温（１０００－１３００℃）化学气相沉积ＳｉＣ的化学组成、组织结构及高温稳定性进行了分析。实验结果表明，在本实验的沉积温度范围内，沉积物是由３Ｃ型β－ＳｉＣ和少量４Ｈ型的ａ－Ｓｉｃ组成，无游离Ｓｉ存在，这与高温条件下的实验结果存在明显差异。同时在沉积物的表面还有ＣＬ和Ｓ等吸附吸物等及ＳｉＯ２氧化膜存在。所得到的ＳｉＣ均为１     

掺Cr^3＋,Tm^3＋,Ho^3＋离子的YAG晶体的光谱性能

作者测试了Ｃｒ＾３＋，Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋离子在ＹＡＧ晶体中的吸收谱、荧光谱及荧光衰减寿命。计算了Ｃｒ＾３＋向Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋及Ｔｍ＾向Ｈｏ＾３＋的能量转移效率。在（Ｃｒ，Ｔｍ，Ｈｏ）：ＹＧＡ晶体中由于加入Ｃｒ＾３＋，Ｔｍ＾３＋离了，使Ｈｏ＾３＋离子被敏化、荧光强度增大。（Ｃｒ，Ｔｍ，Ｈｏ）：ＹＡＧ晶体是制作－２μｍ（＾５Ｉ７－＾５Ｉ８）波长激光的优质晶体。