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相似文献
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1.
在生长LiNbO3过程中掺进6mol%ZnO和0.2mol%Nd2O3生长了Zn:Nd:LiNbO3晶体。测试了晶体的吸收光谱,荧光光谱和抗光损伤阈值,应用简并四波混频技术研究了Zn;Nd:LiNbO3晶体的光折变效应,它的光栅形成机制是异常光生伏特效应,它的抗光损伤能力比Nd:LiNbO3晶体提高二个数量级,这是由于光电导的增强而引起的。  相似文献   

2.
Eu:Zn:LiNbO3晶体全息存储性能的研究   总被引:4,自引:2,他引:2  
在LiNbO3中掺进Eu2O3和ZnO生长Eu:Zn:LiNbO3晶体。采用二波耦合光路测试晶体的指数增益系数和衍射效率。以Eu:Zn:LiNbO3晶体作为存储元件,实现了全息关联存储。  相似文献   

3.
本文报道了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的生长,利用简并四波混频测试了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的位相共轭反射率、响应时间、光电导、位相工轭温度效应。并且测试了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体的非简并四波混频变位相共轭反射率和抗光散射能力。研究和探讨了Pr∶Fe∶LiNbO3晶体提高响应速度和抗光散射的机理。  相似文献   

4.
Zn:Eu:LiNBO3晶体光折变效应的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文报导了Zn:Eu:LiNbO3晶体的11生长,测试了晶体抗光致散射能力。研究Zn:Eu:LiNbO3晶体的二波耦合效应和四波混频效应。结果表明,Zn:Eu:LiNbO3晶体具有较高的的抗光致散射能力和响应速度。  相似文献   

5.
Zn:Fe:LiNbO3晶体的生长及其全息性能的研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
本文首次详细报导了Zn:Fe:LiNbO3晶体的生长技术,研究了晶体的吸收光谱、衍射效率和响应时间。与Fe:LiNbO3相比,Zn:Fe:LiNbO3晶体响应速度快,且衍效率较高,并具有较宽的角度响应范围,是一种优良的全意记录介质材料。  相似文献   

6.
用双掺杂Zn:Fe:LiNbO3晶体作全息记录介质,另一块Cu:KNSBN晶体作自泵浦位相共轭反射镜,同全光学实时图象边增强。本文以Zn:Fe:LiNbO3晶体作作全息记录介质的性能进行了分析讨论。  相似文献   

7.
Mg:Fe:LiNbO3晶体全息存储性能的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
在LiNbO3中同时掺入MgO和Fe2O3,生长了Mg:Fe:LiNbO3晶体。该晶体的衍射效率达到80%,且抗光致散射能力强,响应速度较快。以Mg:Fe:LiNbO3晶体作为全息关联存储的记录介质,记录图象清晰,噪声小,恢复图象信息完整。  相似文献   

8.
本文报道了Ce:Pr:LiNbO3晶体的生长。测试了晶体的指数增益系数、衍射效率、位相共轭反射率和响应时间。以Ce:Pr:LiNbO3晶体作存储元件,实现全息关联存储,图象清晰完整。  相似文献   

9.
通过吸收光谱的研究,确诊γ射线辐照引起民的LiNbO3晶体内出现Vo等缺陷。经过γ射线辐照处理后的Ce:LiNbO3晶体型人二波耦合指数增益系数比处理前有所提高,我们认为这各光折变增强的原因是晶体现内缺陷浓度增大,使载流子的电离和迁移运动更为有利。  相似文献   

10.
Mg:LiNbO3及Nd:Mg;LiNbO3晶体畴结构与单畴化研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文对Mg;LiNbO3及Nd:Mg:LiNbO3晶体的畴结构与单畴化条件进行了系统的研究;报道了主要晶面的畴结构特征;确定了合适的极化温度和电流密度。  相似文献   

11.
Ce:Nd:LiNbO3晶体具有优良的光折变性能,它作为全息记录介质,用于实现了光学图象微分和全息关联存储。  相似文献   

12.
制备LiNbO3周期性畴反转的一种新方法   总被引:1,自引:1,他引:1  
本文对用电子束扫描LiNbO3晶体的负畴面实现畴反转进行了实验研究。对于不同的扫描电压,扫描电流和扫描速率得到了不同的畴反转宽度,并且研究了畴反转宽度与扫描参量之间的关系。  相似文献   

13.
Ce:Mn:LiNbO3晶体中的自泵浦相位共轭效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了用Ce:Mn:LiNbO3晶体构成的环形自泵浦相位共轭振荡器及其所产生的49%的自泵浦相位共轭反射率。同时,借助红外灯的加热,在晶体中引入一热涨落,使相位共轭波出现脉动,此外,又利用晶体缺陷对光的散射观察到衍射光环(锥)。  相似文献   

14.
在LiNbO3晶体中掺入In2O3和Er2O3,利用提拉法生长了In:Er:LiNbO3晶体,获得了In和Er在晶体中的分凝系数.通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力,确定In:Er:LiNbO3晶体中In的掺杂阈值浓度为~3mol;,In(3mol;):Er:LiNbO3晶体的抗光损伤能力比Er:LiNbO3提高3个数量级以上.研究了In的掺入使Er:LiNbO3晶体的吸收边移动和抗光损伤能力提高的机理.  相似文献   

15.
本文报道采用Ce:Fe:LiNbO3晶体由多波作用产生的相位共轭波(双泵浦、自磁浦相位共轭、四波混频);获得了44%的双泵浦相位共轭反射率。对以上现象我们理论上进行了分析。  相似文献   

16.
在LiNbO3中掺进ZnO和In2O3以Czochralski技术生长Zn∶In∶LiNbO3晶体.采用光斑畸变法测试Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力.Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高二个数量级.测试晶体的红外光谱,Zn∶In∶LiNbO3晶体吸收峰的位置相对LiNbO3晶体发生紫移,且随着Zn2+和In3+浓度增加紫移程度增加.晶体的倍频性能(相位匹配温度和倍频转换效率)研究表明:Zn∶In∶LiNbO3晶体相位匹配温度在室温附近.并研究了Zn∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤机理和OH-吸收峰紫移的机理.  相似文献   

17.
Ce:Fe:LiNbO3晶体的生长与其四波混频效应的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文报道了Ce:Fe:LiNbOe晶体的生长,采用简并四波混频光路测试晶体相位共轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应,在632.8nm和488.0nm波长的非简并四波混频中,获得了变频相位共轭光,具有温度增强效应。  相似文献   

18.
近红外半导体激光器的切伦科夫波导倍频研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
利用质子交换MgO:LiNbO3平板波导研究了对近红外半导体激光器的切伦科夫倍频特性实现了对956nm和804nm半导体激光器的直接倍频,得到了478nm的倍频光和402nm的倍频紫光输出。  相似文献   

19.
在LiNbO3晶体中掺进0.1wt?O2和0.03wt?2O3以Czochralski技术生长不同Li/Nb比(0.94、1.20、1.40)Ce:Fe:LiNbO3晶体,其中Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体是化学计量比.测试了不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体抗光损伤能力,得到随着Li/Nb比的增加,晶体的抗光损伤能力增加.研究了晶体抗光损伤能力增强的机理.随着Li/Nb比的增加,晶体的响应速度和光折变灵敏度增加.测试不同Li/Nb比Ce:Fe:LiNbO3晶体位相共轭效应,利用产生的位相共轭光波消除图像的位相共轭畸变.利用Li/Nb=1.40的Ce:Fe:LiNbO3晶体做记录介质,Li/Nb=1.20的Ce:Fe:LiNbO3晶体作位相共轭镜进行全息关联存储实验.实验结果表明,存储系统具有实时处理,成像质量好,信噪比高和可反复使用的优点.  相似文献   

20.
一种制备LiNbO3周期性畴反转的新方法   总被引:2,自引:1,他引:2  
本文对质子交换然后快速热处理在LiNbO3上产生畴反转进行了实验研究。研究了畴反转的形成及发展,畴反转深度与快速热处理条件之间的关系。并用此方法制备了周期性畴反转结构,反转区呈弧形。  相似文献   

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