引上法晶体生长的温度时间特性

采用同－装置生长钇铝石榴石和不同掺质的钇铝石榴石晶体：ＹＡＧ、Ｔｍ：ＹＡＧ、ＮＤ：ＹＡＧ、（Ｃｅ，Ｎｄ）：ＹＡＧ、（Ｃｒ，Ｔｍ）ＹＡＧ：和（Ｃｒ、Ｔｍ、Ｈｏ）：ＹＡＧ，，晶体生长的温度时间特性曲线不同。特性曲线先是温度随时间上升，然后下降。以上棕顺序特性曲线上升的时间逐渐变短。生长晶体表面热辐射和与对流气体的热交换增加了热损失，是造成升温生长的因素；生长晶体盖在熔体表面减少了熔体的热损失，是造成降     

Nd：DL—ALa：L—GLu：TGS晶体的生长及热释电性能研究

选择Ｎｄ２Ｏ３、Ｌ－谷氨酸ＤＬ－丙氨酸为掺杂剂，生长出Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体，测定了其热释电性能。结果表明，Ｎｄ：ＤＬ－ＡＬａ：Ｌ－ＧＬｕ：ＴＧＳ晶体有希望成为性能优良的热释电新的晶体材料。     

Nd：YVO4和Nd：YLiF4晶体的荧光特性

测试了Ｎｄ：ＹＢＶＯ４和Ｎｄ：ＹＬｉＦ４晶体的吸收和荧光谱，并根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算了Ｎｄ＾３＋离子在ＹＶＯ４、ＹＬｉＦ手ＹＡＧ晶体中的唯象强度参数Ω、Ω４，利用这些值计算了振子强度ｆＪＪ，荧光寿命ｒｊ，荧光分支比βＪＪ和辐射截面σ等光谱参数。从速方程计算了Ｎｄ＾３＋离子这三种晶体中的最佳掺杂浓度。论述了ＹＶＯ４和ＹＬｉＦ４作为基质晶体的优点。     

Nd^3^＋：La2Be2O5激光晶体的研究

掺钕铍酸镧－Ｎｄ＾３＾＋：Ｌａ２Ｂｅ２Ｏ５（Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ）激光晶体为单斜晶系，其荧光谱具有线性偏振特性。本文用提拉法生长了Ｎｄ＾３＾＋：ＢＥＬ单晶，并对晶体结构进行了分析，对其光谱特性（吸收，偏振荧光谱，低温谱及荧光寿命等）和激光二极管（ＬＤ）泵浦的激光特性进行了研究，并和Ｎｄ：ＹＡＧ晶体进行了比较。     

Cr：Tm：YAG晶体生长及其特性研究

本文详细研究了提拉法生长Ｃｒ：Ｔｍ：ＹＡＧ晶体的原料配制和晶体生长工艺，研究了晶体生长过程中出现的主要缺陷，测试了晶体的吸收光谱，荧光光谱及激光性能。结果表明，Ｃｒ：Ｔｍ：ＹＡＧ晶体是一种优良的中红外灯泵激光材料。     

Nd：GdVO4晶体生长及其1064nm的激光特性

本文报道了用Ｇｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ方法生长Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱,表明晶体在８０８．５ｎｍ有吸收峰,其发现波长在１０６４ｎｍ。晶体中掺Ｎｄ浓度的原子分数为１．５６％的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４的＾４Ｆ３／２荧光寿命为１００μｓ。用激光二极管泵浦１ｍｍ厚的Ｎｄ：ＧｄＶＯ４晶体,得到了超过１Ｗ１０６４ｎｍ的输出光,泵浦阀值为２０ｍＷ,光－光转换效率为５５．９％,斜效率为６３％。     

Yb:YAG晶体的生长与激光性能

采用中频感应提拉法生长出掺杂浓度的原子分数高达２０％的Ｙｂ：ＹＡＧ晶体,探索了合适的晶体生长,退火工艺参数;研究了晶体中的杂质离子和色心;选用ＩｎＧａＡｓ半导体激光泵浦,通过激光腔的设计,研究了晶体的激光性能,获得了１０３０ｎｍ波长３００ｍＶ的脉冲激光输出,斜率效率为３０％。     

掺Cr^3＋,Tm^3＋,Ho^3＋离子的YAG晶体的光谱性能

作者测试了Ｃｒ＾３＋，Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋离子在ＹＡＧ晶体中的吸收谱、荧光谱及荧光衰减寿命。计算了Ｃｒ＾３＋向Ｔｍ＾３＋和Ｈｏ＾３＋及Ｔｍ＾向Ｈｏ＾３＋的能量转移效率。在（Ｃｒ，Ｔｍ，Ｈｏ）：ＹＧＡ晶体中由于加入Ｃｒ＾３＋，Ｔｍ＾３＋离了，使Ｈｏ＾３＋离子被敏化、荧光强度增大。（Ｃｒ，Ｔｍ，Ｈｏ）：ＹＡＧ晶体是制作－２μｍ（＾５Ｉ７－＾５Ｉ８）波长激光的优质晶体。     

Zn：Nd：LiNbO3晶体的生长及其抗光折变效应

在生长ＬｉＮｂＯ３过程中掺进６ｍｏｌ％ＺｎＯ和０．２ｍｏｌ％Ｎｄ２Ｏ３生长了Ｚｎ：Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体的吸收光谱，荧光光谱和抗光损伤阈值，应用简并四波混频技术研究了Ｚｎ；Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体的光折变效应，它的光栅形成机制是异常光生伏特效应，它的抗光损伤能力比Ｎｄ：ＬｉＮｂＯ３晶体提高二个数量级，这是由于光电导的增强而引起的。     

（Ho,Cr）：YAG单晶光纤生长与光谱特性分析

本文工作中用ＬＨＰＧ生长Ｈｏ：ＹＡＧ，（Ｈｏ，Ｃｒ）：ＹＡＧ，Ｃｒ：ＹＡＧ等单晶光纤。在室温下测试了这些单晶光纤的吸收谱、荧光谱、荧光寿命等光谱参数。通过荧光寿命分析了Ｃｒ→Ｈｏ和Ｈｂ→Ｃｒ之间的能量转移过程及能量转换效率η，并通过荧光衰减曲线的计算机拟合，计算了Ｈｏ→Ｃｒ之间的微观相互作用参数ＣＤＡ。     

掺持TGS系列晶体的生长形态与表征的研究

采用水溶液缓慢降温法生长了８种掺质ＴＧＳ系列晶体，即ＬＶＡＴＧＳ，ＬＨＩＴＧＳ，ＬＡＳＴＧＳ，ＣＲＴＧＳ，ＤＬＳＥＴＧＳ，ＬＣＹＴＧＳ，ＬＭＥＴＧＳ和ＬＴＹＴＧＳ晶体。系统地研究了这８种掺质ＴＧＳ系列晶体的生长形态，并分别与纯ＴＧＳ进行了对比。利用Ｘ射线粉末衍射 外光谱分析确定掺质均已进入晶体。当掺质进入ＴＧＳ晶体后，虽然只引起民结构的微小变化，但显著地改变了晶体的生长形态，证明ＴＧＳ晶体结构在质     

掺氟KTP晶体的缺陷和非线性光学性质

本文报道了对熔盐籽晶法生长的Ｎｄ：ＫＴＰ晶体的ＸＲＤ，ＤＴＡ，同步辐射形貌术的测试结果和晶体的倍频实验。实验表明，不同掺铌量的ＫＮＴＰ结构在实验误差范围内基本相同；晶体的熔点随其中含铌量的增加而提高。     

YAG∶Er晶体中的自饱和跃迁和激光波长红移

用提拉法生长出ＹＡＧ∶Ｅｒ晶体，测定和分析了晶体的晶胞参数。讨论了＾２Ｈ１１／２，＾４Ｓ３／２，＾４Ｆ９／２能级的发光与猝灭，＾４Ｉ１１／２→＾４Ｉ１３／２自饱和跃迁的变化规律及激光波长红移的有关因素。     

Cr^4＋离子在晶格中的结构稳定性

本文着重从以下三个方面系统论述Ｃｒ＾４＋离子在Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２晶格中的稳定性：二介补偿离子的选择；生长气氛的影响；以及Ｃｒ＾４＋离子的退火效应和形成动力学。分析结果表明，Ｃａ＾２＋离子是最佳补偿离子，氧化气氛的退火温度应高于１０００Ｋ；而Ｃｒ＾４＋离子在Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２晶格中的稳定性与生长气氛无关。     

Mg：LiNbO3及Nd：Mg;LiNbO3晶体畴结构与单畴化研究

本文对Ｍｇ；ＬｉＮｂＯ３及Ｎｄ：Ｍｇ：ＬｉＮｂＯ３晶体的畴结构与单畴化条件进行了系统的研究；报道了主要晶面的畴结构特征；确定了合适的极化温度和电流密度。     

掺质TGS晶体生长机制的探索研究

本文采用水溶液降温法生长了６种掺质ＴＧＳ晶体，掺质分别为有机小分子化合物：甲酸、乙酸、丙酸、丙醇、１，２－丙二醇和硫脲。研究了此６种掺质ＴＧＳ晶体的生长形态，Ｘ－射线粉末衍射和红外光谱以及主要的热释电性能参数等。最后从氢键形成的观点出发，探索研究了掺质ＴＧＳ晶体的生长机制。     

Cr^3＋：BeAl2O单晶的特性及生长工艺的改进

描述了掺Ｃｒ＾３＋离子的紫翠宝石（Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４）单晶的晶体结构、物理性质、晶体的吸收光谱与发射光谱及其激光特性。讨论了用引上法生长Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４晶体的一些工艺问题中。引上法晶体生长过程中选用较慢的提拉速度、较快的转束客生长较大直径的晶体的工艺参数,能够生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶本。我们的实验表明,采用温梯法也能生长出高质量的Ｃｒ＾３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４单晶     

温梯法Ce:YAG闪烁晶体的宏观缺陷观察

采用温度梯度法(TGT)成功生长了直径为76mm高光学质量的Ce:YAG高温闪烁晶体,采用偏光显微镜研究了Ce:YAG闪烁晶体中的主要宏观缺陷,观察到了生长条纹、侧心、气泡、包裹物以及应力双折射等宏观缺陷.实验结果表明,晶体中的气泡、包裹物以及应力双折射等宏观缺陷主要集中在晶体边缘部分,因此温梯法可以获得高质量的Ce:YAG闪烁晶体.     

Bix（PrGdYb）3—x（FeAl）5O12晶体薄膜的助熔剂液相外延生长

本文介绍了采用助熔剂法和液相外延技术生长单晶薄膜的工艺技术。使用这种方法生长出了Ｂｉｘ（ＰｒＧｄＹｂ）３－ｘ（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２磁光晶体薄膜，并测试了薄膜的磁光性能。     

V:Al2O3的电子及中子辐照改性研究

测量和分析了Ｖ：Ａｌ２Ｏ３晶体在电子辐照前后的吸收谱,发射谱和正电子湮没寿命及强度。结果表明：电子辐照可使Ｖ：Ａｌ２Ｏ３晶体中的Ｖ离子变价,而中子辐照在晶体中诱生Ｆ＾２＋２和（Ｖ＾＆３＋－Ｆ＾＋２）心。（Ｖ＾３＋－Ｆ＾＋３）心可发射４５０－５６０ｎｍ５ 连续荧光。