新型物理喷束淀积技术制备富勒烯薄膜

建立了一套新型物理喷束淀积装置，并且成功地进行了薄膜制备工作，所制备的薄膜包括Ｃ６０，Ｃ７０，ＰＶＫ，ＰＶＫ／Ｃ６０等薄膜，并测量了物理喷束淀积技术制备得的Ｃ６０薄膜，ＰＶＫ／Ｃ６０混合膜的吸收光谱，荧光光谱，时间分辨率荧光光谱，与Ｃ６０等薄膜的高真空蒸发膜的相应光谱进行了比较，结果表明，物理喷束淀积可以制备具有很好质量的高抗光损伤薄膜，薄膜的荧光衰减特性与蒸发膜有很大差别。采用该法制备的ＰＶＫ／     

淀积氧化锌压电薄膜用的直流平面磁控溅射系统的性能

本文叙述了我们设计改装的直流平面磁控溅射系统和用以淀积氧化锌压电薄膜的性能。 给出了磁控电极的结构和磁场分布;测量了系统的放电特性和淀积速率与混合气体压力、靶的输入功率的关系及磁控电极淀积的氧化锌薄膜的厚度分布;提出了提高靶材利用率的简单方法。最后,给出了用此系统淀积的氧化锌薄膜及其体波实验器件的实验结果。     

脉冲激光淀积高温超导薄膜

１９８７年贝耳实验室首次用脉冲准分子激光制备出高温超导薄膜以后，脉冲激光淀积技术获得了长足的发展，现在已成为最好的薄膜制备技术之一．文章简要介绍了用脉冲激光淀积技术制备高温超导薄膜的原理、特点及发展情况．     

固体光学薄膜结构研究的一些进展

一、引 言 我们现在所说的固体光学薄膜,大多数是指用真空蒸发的方法制备的薄膜,也就是所谓物理蒸汽淀积膜.这种薄膜的制备过程受着多种条件的影响.例如,由于蒸发材料、加热源材料、蒸发速率、环境条件、基体材料、基体温度等因素的不同,形成薄膜的性质和结构也就不同.而且理论     

电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积

本文叙述了电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积（ＥＣＲＰＣＶＤ）的工作原理、特点及其应用．ＥＣＲＰＣＶ Ｄ由放电室、淀积室、微波系统、磁场线圈、气路与真空系统组成．处于放电室的等离子体在磁场中做回旋运动，使电子的回旋运动频率与微波频率相同；处于回旋共振条件下的电子有效地吸收微波功率而获得高的能量，从而产生高活性和高密度的等离子体．电离度大于１０％，电子密度为１０１３ｃｍ３．ＥＣＲＰＣＶＤ可在低的气体流量、衬底不加热的情况下高速淀积高质量薄膜．以该技术淀积的Ｓｉ，Ｎ４，ＳｉＯ２薄膜可分别与高温ＣＶＤ的Ｓｉ３Ｎ４高温热氧化的ＳｉＯ２相比拟．ＥＣＲＰＣＶＤ淀积ａ－Ｓｉ：Ｈ淀积速率为通常ＣＶＤ的２０倍，而性能与射频ＣＶＤ淀积的ａ－Ｓｉ：Ｈ相当．ＥＣＲＰＣＶＤ 已成功用于淀积多种薄膜。     

实用超高频ZnO薄膜换能器的研制

在进行凝聚态物质的声传输性质的研究工作中,声换能器是必不可少的关键器件.它是将石英片预先粘在延时棒上,使用通常的抛磨技术减薄,目前国内可以做到的工作基频为100MHz左右.为了获得较高效率的超高频体波换能器,作者在延时棒上制作了氧化锌(ZnO)薄膜换能器. ZnO单晶是6mm类晶体,在与其C轴垂直的平面内的电性是各向同性.C轴高度择优取向的多晶薄膜具有与单晶相近的性能.一般的薄膜淀积技术,如真空蒸发、化学蒸汽淀积(CVD)和溅射法都能在一定的基底上淀积出结构致密、压电性强的C轴垂直膜面的ZnO多晶薄膜. 我们使用磁控电极组成的直流…     

PVK/C_(60)组合体系薄膜的拉曼光谱和荧光光谱研究

我们采用物理喷束淀积技术制备了Ｃ６０、Ｃ７０及聚乙烯咔唑ＰＶＫ／Ｃ６０的混合和分层薄膜，拉曼光谱的测量表明，这种技术所制备的富勒烯薄膜中，富勒烯的笼型结构仍保持完整，而在ＰＶＫ／Ｃ６０组合薄膜中，拉曼光谱及荧光光谱测量表明：在ＰＶＫ和Ｃ６０分子之间存在激发传递过程，在混合膜中，这种激发传递过程要明显强于分层组合薄膜。     

淀积气压对脉冲激光淀积La掺杂钛酸铅薄膜介电性能的影响

利用脉冲激光淀积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了28mol%La掺杂钛酸铅薄膜.采用不同的淀积氧气压，并分析了其对薄膜微观结构和介电性能的影响.结果表明，在2Pa左右的气压下淀积的薄膜具有好的结晶度和介电系数.在频率为10kHz时28mol%La掺杂钛酸铅薄膜的介电系数达852，并且保持了较低的损耗.同时制备了其他La掺杂浓度的PbTiO3薄膜，发现它们也有类似的特点.对此作了定性解释. 关键词： 脉冲激光淀积 PLT薄膜 气压 介电增强     

光-CVD技术的最新进展及其应用

采用光诱导激励化学反应气氛淀积成固态薄膜，是近些年来在国际上发展极为迅速的一种薄膜生长新技术．本文介绍了光－ＣＶＤ技术的基本原理及特性，以及用该技术淀积各种类型金属薄膜、半导体薄膜、绝缘性薄膜以及ш－ｖ族化合物半导体薄膜.介绍了光－ＣＶＤ技术在大规模集成电路、硅器件微加工过程中的重要应用，用光－ＣＶＤ技术在低到～２００℃温度下已成功地制备出～１００ｎｍ厚的薄层外延单晶硅膜．     

低噪声HT_c rf SQUID芯片可控制备的实验研究

针对低内禀噪声要求条件下HTcrf SQUID芯片制备成品率和优质率低等问题,通过对YBCO薄膜的PLD制备工艺参数及所制作的YBCO薄膜性能与微观形貌的观测分析,提出晶界结构的非均匀和不一致性可能是影响低噪声台阶边沿型晶界结制备质量的观点,进而以淀积温度为典型控制参数设计了一组实验,对实验获取的YBCO薄膜和SQUID芯片的性能测试表明:YBCO薄膜生长的三高条件(高淀积温度、高氧分压和高激光能量密度)易造成薄膜表面平整度恶化和晶界构型的不均匀,而选择合适的淀积温度可有效提高SQUID芯片的噪声性能。     

GRIN透镜在细径内窥镜中的应用

介绍在细径内窥镜中ＧＲＩＮ透镜的应用原理及其设计方法。     

确定薄膜光学常数的一种新方法

介绍用光谱曲线同时确定薄膜材料折射率n、消光系数k和薄膜厚度d的方法,给出严格的计算公式和处理过程,以及计算程序框图。用微型计算机很容易实现这一计算。     

开关结构对a-SiTFT-LCD光学特性的影响

分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性，讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺，存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比，信号响应与保持特性，图像亮度与对比度等光学特性的影响。     

EFFECT OF ZnFe22O4 DOPING ON THE OPTICAL PROPERTIES OF TiO2 THIN FILMS

Amorphous TiO₂ thin films and ZnFe₂O₄ doped TiO₂ composite films were deposited by radio frequency magnetron sputtering. The effect of ZnFe₂O₄ doping on the optical properties of TiO₂ thin films was reported. Our results show that the absorption edge of TiO₂ thin films and composite films exhibits a blue shift with decreasing annealing temperature. The absorption edge of composite films has moved to visible spectrum range, and a very large red shift occurs in comparison with TiO₂ thin film. An enhanced photoluminescence in ZnFe₂O₄ doped anatase TiO₂ thin film at room temperature.     

基底微缺陷对介质薄膜光学性能影响的理论研究

基于非均匀膜理论提出一种存在微缺陷的介质基底的折射率分层模型，将基底依次分为表面层、亚表面层和体材料层，其中表面层和亚面层分别等效为折射率服从统计分布的非均匀膜，将它们分别再次细分为N₁和N₂个子层，每一子层均视为均匀介质 膜.应用光学薄膜特征矩阵法对其进行理论分析，并对单层介质膜的光学性能进行数值计算. 研究结果表明：基底的表面和亚表面微缺陷改变了薄膜和基底的等效折射率，导致了准Brew ster角和组合反射率与理想情形的偏离.同时这些微缺陷也改变了光在薄膜和基底中的传播 特性，因此反射相移和相位差均偏离理想情形.在研究基底的微缺陷对多层介质膜光学性能 影响的分析和计算时，该模型同样适用. 关键词： 微缺陷 介质薄膜 非均匀膜 光学性能     

TeSeIn相变记录薄膜的微观特性研究

TeSeIn是一种可逆光存贮介质.分别用单源热蒸发和磁控溅射制备TeSeIn膜.利用透射电镜(TEM)研究了膜的结构和微观形貌.利用俄歇剖面技术(AES-PRO)给出了膜的组分深度剖面,分析了TeSeIn记录介质膜与ZnS保护膜界面间的互扩散大小.利用X光电子能谱(XPS)分析了组元深能级结合能的化学位移.最后根据上面实验结果简要讨论了制备稳定的多元记录介质膜的方法.     

可用于光存储和光学信息处理的SrS（Eu,Sm）电子俘获薄膜的研究

报道用电子束蒸发法制备的ＳｒＳ（Ｅｕ，Ｓｍ）电子俘获薄膜的特性，给出了这种薄膜的Ｘ射线衍射图、原子力显微镜（ＡＦＭ）形貌观察结果、光谱及存储的图像照片等。结果表明所制备的电子俘获薄膜具有很好的光学特性，具有应用在光存储和光学信息处理上的能力。     

可用于光存储的氧化物、次氧化物薄膜材料的研究及发展

介绍了可用于可录、可擦除、全息光存储及超分辨掩膜层的氧化物、次氧化物薄膜材料的种类、制备方法、光存储特性和存储机制。这类薄膜材料由于具有种类多、应用范围广、制备方法多样、写入灵敏度高和记录稳定性好等优点 ,正受到各国研究者越来越多的关注。分析总结了这类材料的研究现状、存在的主要问题和未来发展方向     

InP/SiO2纳米复合膜的微观结构和光学性质

应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP/SiO₂复合薄膜,并在几种条件下对这些薄膜进行退火.X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明,复合薄膜中InP和SiO₂的化学组分都大体上符合化学计量配比.X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒.磷气氛保护下的高温(520℃)退火可以消除复合薄膜中残存的In和In₂O₃并得到了纯InP/SiO₂纳米复合薄膜.实验观察到了室温下纳米复合薄膜的明显的光学吸收边蓝移现象和光学非线性的极大增强 关键词： InP 纳米晶粒 微观结构 光学性质     

La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x/40/60)薄膜- x射线衍射分析表明制备的PLZT(x/40/60)薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜- 通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为2-5—12-6μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱，采用经典色 散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数，同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度- 随着La掺杂浓 度的增大，折射率逐渐减小- 而消光系数除PLZT(4/40/60)薄膜外，呈现逐渐增大的趋势- 分析表明这些差异主要与PLZ 关键词： PLZT薄膜 红外光学性质 红外椭圆偏振光谱