含氮磷酸锂薄膜在空气中的稳定性

利用射频(RF)磁控溅射方法制备了含氮磷酸锂(LiPON)薄膜. 采用SEM、XRD、XPS等技术以及交流阻抗法和电位线性扫描法, 研究了空气湿度对LiPON薄膜形貌、组成和性能的影响. 结果表明, LiPON薄膜在湿度为40%的空气环境中放置24 h后, 将发生明显的水解反应, 使LiPON薄膜表面形貌变得疏松、局部突起; PH3和NH3的产生, 使薄膜中磷元素和氮元素含量减少, 而Li2CO3的生成, 则使薄膜中碳元素和氧元素含量有明显的增加. LiPON电解质薄膜形貌和组成的变化, 造成了薄膜电化学性能的严重恶化.     

CdS和CdSe薄膜的制备及其光电化学性质

本文采用简易的化学水浴沉积法和自牺牲模板法制备CdS、CdSe薄膜,对两种薄膜进行了XRD表征,比较了两种薄膜的紫外吸收光谱并研究了CdS、CdSe薄膜作为太阳能电池中的光阳极时所产生的光电流和光电压,对两种薄膜的电化学性能进行了比较.     

真空薄膜浓缩装置的研制及应用研究

介绍了真空薄膜浓缩装置的构造、特征、工作原理及使用方法,并将真空薄膜浓缩法与旋转薄膜浓缩法的工作效率及对热敏性成分含量的影响进行了比较研究。结果表明,两法相比,前者具有仪器容量大、浓缩速度快、浓缩液受热时间短、操作简单及工作效率高等优点。     

LiBPON薄膜电解质的制备及电化学性能研究

应用磁控溅射法在N2气氛中制备LiBPON薄膜电解质,研究薄膜性能与沉积条件的关系,优化其制备条件.扫描电镜图显示其表面平整均匀致密,X射线衍射及交流阻抗测试分别表明该薄膜呈非晶态,室温离子电导率随溅射功率增大而减小,随N2压力增大而增大,最高达3.5×10-6S/cm;薄膜的沉积速率随溅射功率增大而增大,随N2压力增大而减小.N的结合对电解质的电化学性能有明显改善,作为薄膜锂电池电解质有良好的应用前景.     

GaN薄膜的两步法制备及其物性转变的研究

本实验通过水浴加热和简单化学气相氨化两步法,在旋涂有ZnO的Si衬底上成功合成了由排列整齐纺锤体形貌的GaOOH构成的薄膜,然后在950℃下对样品进行氨化得到由排列整齐纺锤体组成的GaN薄膜。然后对氨化前后样品的形貌,结构和光学性能分别通过FESEM、EDS、TEM、XRD和PL谱进行了表征。结果表明:水热生成的GaOOH薄膜是由纺锤体形状GaOOH紧密排列形成,该纺锤体形状GaOOH有直径大约600 nm,长约为1.5~2μm。氨化前后样品的形貌没发生太大的变化;但晶体结构由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN;而且发光峰也由较宽的绿光峰转变为中心为365 nm的蓝光峰,这主要是由于样品由正交晶系相GaOOH转变为六方纤锌矿GaN引起的。最后对排列整齐的锤体形构成的GaOOH薄膜的形成机理以及GaOOH向GaN的转变过程发生的化学反应做了简单的探讨和分析。     

Fe—RE磁性多层膜的结构稳定性研究

用真空双源蒸镀法在ＮａＣｌ和Ｓｉ单晶衬底上沉积了ＲＥ－Ｆｅ（ＲＥ：Ｄｙ、Ｙ）成分调制多层膜，借助透射电子显微镜（ＴＥＭ）热台及真空退火方式研究了多层膜受热过程中的结构变化规律。受热温度≤２００℃时，多层膜各单层的非晶结构不发生显著变化，且成分调制结构不被破坏，因此，可以认为非昌单支在多层膜在２００℃以下的结构是稳定的。     

介绍一种真空薄膜浓缩方法

介绍一种真空薄膜浓缩方法袁珂胡润淮（河南中医学院化学教研室４５０００３）浓缩是实验室及生产中经常使用的一种工艺操作，在化学化工、医药卫生、食品工业及化妆品工业等许多行业中用途甚广。尤其是对天然产物化学成分的研究，一般都要经过提取、浓缩、分离等过程，因...     

低介电常数介质薄膜的研究进展

用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路(ULSI) 的互连延迟、串扰和能耗。从介质极化的原理出发,揭示了开发低介电常数介质薄膜的可能途径;综述了低介电常数介质薄膜的制备方法、结构与性能表征、工艺兼容性等领域的最新进展。     

碳薄膜电极材料在电分析化学中的应用

由于具有一系列的优点,碳材料被广泛地应用于电分析化学。新型碳电极材料的开发及其性质研究对电分析化学的发展起着重要的推动作用。最近文献报道了一些制备新型碳薄膜电极材料的方法,因为制备方法不同,这些碳薄膜材料的电化学性质如电位窗、稳定性、导电性也显著不同。人们对电位窗宽、背景电流低、稳定性高、表面不易被电极产物钝化的碳薄膜电极材料的研究非常活跃。本文综述了采用不同方法制备的一些碳薄膜电极材料如硼掺杂的金刚石薄膜、无定形碳和纳米晶体碳薄膜材料等在电分析化学中应用。     

Abnormal Fluorescence Behavior of Pyrene Functionalized Chitosan Films to Some Quenchers

Investigation of the fluorescence behavior of a pyrene functionalized chitosan film (PSC-CS) to some quenchers,including KI,CH3NO2 and Cu(NO3)2,has revealed that the monomer emission from the PSC-CS film increased rather than decreased,whereas the excimer emission decreased with the increase of time of duration after addition of KI or Cu(NO3)2.Both the increasing and decreasing processes could last as long as 20min to 40min,Unlike that observed in the system containing KI or Cu(NO3)2,for CH3NO2 system,both the monomer emission and the excimer emission increased with introduction of the quencher,but the excimer emission only started to increase after an hour-long induction period.The position of the excimer emission of the PSC-CS film did not change very much with addition of KI or Cu(NO3)2.However,addition of CH3NO2 made the excimer emission blue shifted for at least 20nm indicating formation of distorted excimers opr partially overlapped excimers.The fluorescence response of the film to external additions is sensitive but is low in selectivity.This property may make the film use as a novel sensing material for monitoring the purity of water.     

半晶性有机半导体薄膜形态结构及对有机发光器件老化的影响

以NPB（N,N’-二苯基-N,N’-二（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺）为例,简要综述了本课题组近年来在发光有机半导体薄膜形态结构方面的研究进展．通过差热分析、偏光显微镜、透射电子显微镜、电子衍射、原子力显微镜表征,确认NPB是一类本征半晶性材料．一般的OLED器件采用的是非晶的NPB薄膜．基于等温结晶和表面诱导结晶实验确认,OLED器件可能存在两种热力学老化机制．对于采用非晶衬底的OLED器件,当NPB薄膜厚度小于临界厚度时器件可以稳定工作;对于采用多晶缓冲层衬底的OLED器件,由于表面诱导NPB结晶不存在临界厚度限制,器件容易结晶老化．     

聚氯乙烯薄膜的压电性研究

系统地研究了极化条件、热历程、增塑作用等与聚氯乙烯薄膜压电性的关系,并且讨论了聚氯乙烯薄膜压电性对时间的稳定性。研究结果表明,极化聚氯乙烯薄膜的压电应变常数d_(33)值为2.1×10~(-12)C/N,压电电压常数g_(33)达到73.9×10~(-3)V·m/N,与经典的压电材料石英晶体的压电性相当。     

气相合成SnO2超微粒薄膜研究

用直流气体放电活化反应蒸发法在玻璃基片上沉积的SnO2超微粒薄膜,研究其过程中各工艺参数对薄膜结构的影响及作用机理.结果表明, SnO2超微粒薄膜粒径随氧分压增加而增大;蒸镀时间的延长有助于SnO2的生成,也使薄膜发生晶化;而增加放电电压,则薄膜出现外延单晶生长趋势.     

等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜

利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜，用X射线衍射谱观察到位于 2θ34．56°处（0002）的衍射峰，表明ZnO沿c方向呈柱状生长．通过荧光光谱，观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射（375um）．紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193，显示出材料的高质量，并通过原子力显微镜加以验证．为了实现高阻ZnO薄膜，利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜．结果表明，电阻率由0．65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm（分段退火）和5×104Ω·cm（掺氮）．进一步比较发现，掺氮的样品不仅电阻率高，而且光荧光特性好，显示出更高的薄膜质量．     

Ag-PVA和Ag-PVA/TiO2复合超薄膜的制备及性能研究

用3种方法制备了银纳米粒子-聚乙烯醇复合体系,其中用加热还原法所得体系中Ag纳米粒子的尺寸较大(15nm),其表面等离子体共振吸收峰较宽,最大吸收波长位于420nm;用室温硼氢化钠还原法得到的复合体系的吸收峰蓝移至409nm,且峰形较窄,Ag纳米粒子的平均粒径为8.7nm;低温NaBH4还原法所得体系吸收峰进一步蓝移至397nm,此时Ag纳米粒子粒径最小(3.5nm).将室温还原法所得Ag-PVA复合体系旋涂成膜,所得薄膜光滑、透明、均匀性好,该法适用于制备多层薄膜,以调控薄膜的厚度和光谱性质.将Ag-PVA复合体系与钛酸四丁酯(Ti(O_nBu)₄)的乙醇溶液交替旋涂得到Ag-PVA/TiO₂有机/无机复合薄膜.紫外-可见吸收光谱研究表明,随着Ag-PVA层数的增加,薄膜的表面等离子体共振吸收强度呈线性增加,但是TiO₂层数的增加对吸收光谱没有明显影响.Ag-PVA/TiO₂有机/无机复合薄膜将金属纳米粒子、有机高分子与无机半导体材料结合在一起,这种多层纳米结构在光电、催化功能薄膜等方面具有潜在的应用前景.     

稀土-过渡族金属非晶态磁光薄膜表面氧化的物理过程研究

本文报道用表面效应(光电子能谱,极克尔效应)和体效应(磁化强度,矩曲线)研究稀土-过渡族金属(RE-TM)非晶态磁光薄膜表面氧化的物理过程。稀土选择性氧化,在薄膜表面富集,过渡族金属在氧化层内贫乏。表面氧化层内的Fe_2O_3对平面磁化有贡献,且在转矩曲线上180°处出现异常峰,其峰值大小和表面氧化层深度有关。铁比钴容易和氧结合,RE-Co磁光薄膜有奸的抗湿抗氧性能。     

一种新结构ZnS：Tm^3＋薄膜电致发光器件的研究

采用电子束蒸发法制备了一种新结构（ITO／SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/ZnS:TmF3/SiO2/Al)的薄膜电致发光器件,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2夹层起到了加速电子和提供界面的作用。     

（100），（110）和（111）生长方向的La0.7Sr0.3MnO3薄膜结构及性能研究

利用磁控溅射方法，在（100），（110）和（111）LaAlO3（LAO）衬底上制备得到了不同生长方向的La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）薄膜并对其晶体结构及磁电学性能进行了系统研究。AFM图揭示出（100），（110）和（111）生长方向的LSMO薄膜分别具有圆形、长条形和点状的表面晶粒形貌。磁电学测试结果表明不同生长方向的LSMO薄膜磁电学性能与其应变程度有关。（111）生长方向的LSMO薄膜由于按最密排面生长，晶格畸变很小，从而具有相对最大的磁饱和强度值和最低的电阻。     

Image Contrast Inversion of a Solvent Cast SEBS Film

The image contrast inversion was investigated in detail when soft polymeric materials were imaged with tapping mode atomic force microscopy （TM-AFM）. Solvent cast film of polystyrene-block-poly（ethylene/butylene）block-polystyrene （SEBS） triblock copolymers was used as a model system in this study, which showed phase separation domains with a size of several tens of nanometers. AFM contrast reversal process, through positive image, to an intermediary and till negative image, could be clearly seen in height images of the soft block copolymer using different tapping force. The higher tapping force would lead to not only contrast inversion, but also the different size of the microdomains and different roughness of the images. Moreover, contrast inversion was explained on the basis of attractive and repulsive contributions to the tip-sample interaction and indentation of the soft domains.     

氧化钨薄膜微型电化学器件的研究

本文论述了WO_3薄膜氢离子敏器件的结构、原理、制备技术和测试分析。利用WO_3薄膜在H+溶液中由绝缘转化为导电特性,成功地研制成氢离子敏器件。这是一种简易而经济的微型pH敏器件技术。