可替代SRAM的1兆位铁电存储器

Ramtron国际公司宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM201．08该存储器的工作电压为3Y，采用32引脚TSOP封装，FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电俘储器，可以对其进行尢限次的读写操作。该型号是专门设计用束替换标准异步静态随机存储器的（SRAM）。同时．这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数掂系统，如机顶盒、汽车远程信息处理及工业应用等系统。     

借助Sumitomo公司的技术Epson转向SAW开发

日本Seiko Epson公司与Sumitomo电子公司达成一项协议，即，Epson公司将从Sumitomo电子公司获得金刚石基SAW相关技术的专利、技术及生产设备。     

Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器

Ramtron国际公司（Ramtron International）宣布推出1兆位的铁电存储器产品——FM20L08。此型号操作电压为3伏，采用32引脚TSOP（薄型小尺寸封装）封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器。该型号专门用来替换标准异步静态随机存储器（Standard asynchronous SRAM）。同时，该型号还特别适用电压多样或者电压可能突然消失的存储数据系统，如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。     

支持可携式应用市场的需求：茂矽电子的高密度、超低电压／低功率的SRAM存储器

茂矽的手机用产品 茂矽电子公司认定中国大陆为全球移动通讯及手机主要成长的市场之一,不只是移动电话生产重镇,也是重要的消费市场。根据最新In-Stat Group发表的资料以及茂矽电子的预估,到2004年前该市场将会保持持续成长。 茂矽电子预估全球有35％的成长率会来自于亚洲地区,特别是中国。为满足手机持续成长的需     

最小静态随机存取存储器元件研制成功

日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报，这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0．128平方微米的静态随机存取存储器（SRAM）元件，并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。     

SRAM版图布局方向对产品失效率的影响

静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元。由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素。针对一款微控制单元(MCU)芯片的SRAM失效问题,进行逻辑地址分析确认失效位点,通过离子聚焦束(FIB)切片及扫描电子显微镜(SEM)分析造成失效的异常物理结构,结合平台同类产品的设计布局对比及生产过程中光刻工艺制程的特点,确认失效的具体原因。对可能造成失效的工艺步骤或参数设计实验验证方案,根据验证结果制定相应的改善措施,通过良率测试及SEM照片确认改善结果,优化工艺窗口。当SRAM中多晶硅线布局方向与测试单元中一致时,工艺窗口最大,良率稳定;因此在芯片设计规则中明确SRAM结构布局方向,对于保证产品的良率具有重要意义。