电容器长期贮存可靠性研究

在A(寒温)、B(亚湿热-入海口)、C(亚湿热-内陆)、D(热带海洋)四地开展了14个型号电容器的150个月贮存试验,研究了累积失效样品数变化趋势、贮存失效模式、贮存敏感参数和贮存寿命。结果表明:A地较适合电容器长期贮存;电容器的主要贮存失效模式是参数超差,贮存敏感参数是漏电流或损耗角正切;在这14种电容器中,有机薄膜电容器贮存可靠性最好,平均贮存寿命远超150个月;铝电解电容器(CDK—X)贮存可靠性最差,平均贮存寿命仅为1.875个月。     

半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型

加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一.针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础.介绍了半导体器件在长期贮存时的主要失效机理及其加速应力模型,给出了这些模型的适用条件.     

光电耦合器的长期贮存退化特性分析

介绍了某光电耦合器在自然条件下的贮存退化特性,长期贮存14年后出现了电流传输比和集电极暗电流等性能参数退化失效。其性能参数退化的原因为内部水汽含量高、胶体开裂。该试验结果对于贮存寿命设计和贮存延寿工程有一定的参考价值。     

空间行波管输能窗组件贮存失效分析

高频组件是空间行波管的主要部件,是管内传播高频电磁波的重要传输部件,其中陶瓷封接部位一般采用银焊料进行焊接,它一般存放于真空柜中.存放一段时间后,组件表面出现了发黑现象.分析表明真空柜中放置的橡胶制品导致了高频组件银焊料焊接部位发生硫化,导致贮存失效.结合实验结果和理论分析,在大气状态下,橡胶套中的硫是比较稳定的.然而...     

空间行波管输能窗组件贮存失效分析

高频组件是空间行波管的主要部件,是管内传播高频电磁波的重要传输部件,其中陶瓷封接部位一般采用银焊料进行焊接,它一般存放于真空柜中.存放一段时间后,组件表面出现了发黑现象.分析表明真空柜中放置的橡胶制品导致了高频组件银焊料焊接部位发生硫化,导致贮存失效.结合实验结果和理论分析,在大气状态下,橡胶套中的硫是比较稳定的.然而在真空状态下,硫是比较容易从橡胶套中升华进入真空柜中的,从而会在真空柜中弥漫大量硫蒸气,这些硫蒸气与银焊料发生化学反应形成Ag2S,因此含硫的橡胶套不宜放入真空柜.     

砷化镓高电子迁移率晶体管的贮存试验与失效分析

高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关键器件.今天,这些器件已成功地用于卫星接收器、微波振荡器、混频器和多路转换器中.文献中描述过的限制HEMT可靠性的失效机理包括:界面和陷阱相关效应、2度泄漏、欧姆与肖特基接点退化、ESD和紫斑.本文的目的是介绍通过商用晶格匹配的AlGaAs/GaAs低噪声HEMT的无偏压贮存试验来鉴别的失效机理。     

单一失效机理引起的元器件贮存寿命评价方法研究

电子元器件长期贮存过程发生的失效是由多种失效机理共同作用的结果．以器件贮存寿命整体为基础的寿命评价难度很大。选择对器件贮存寿命影响最大的单一失效机理．以失效物理为基础．通过高加速应力试验进行寿命评价研究,获得的寿命可以较准确地反映器件真实的贮存寿命。单一失效机理贮存寿命的研究是元器件贮存可靠性工作的重要内容。     

高温贮存寿命评估试验

元器件分别进行常温储存试验和高温贮存试验,通过常温储存试验累积试验数据并以此研究总结元器件长期储存性能参数变化规律和失效模式。通过高温贮存试验加速元器件常温储存过程累积试验数据,根据关键参数随加速试验的变化情况,得到高温贮存条件相对常温储存条件的加速因子,根据加速因子得到加速贮存试验的时间,在该高温点下进行相应时间的加速贮存试验。试验结果即为常温特定年限储存寿命的预计结果,从而在较短的时间内对元器件长期储存寿命做出评定。     

某种电阻器长期贮存寿命预测研究

选用某种电阻器在A（寒温）、B（亚湿热）、c（亚湿热）、D（热带海洋）等4地开展了为期120个月的库房贮存试验。跟踪测试了其性能参数。应用灰色预测理论中的灰色GM（1,1）模型,对该种电阻器的贮存寿命进行了预测,结果表明A地的寿命最长,为51年;D地的寿命最短,为41年。     

长期贮存寿命评估方法研究

报告了长期贮存寿命常用的两种评估方法(自然贮存试验评估和加速寿命试验评估)的研究现状,从工程应用角度实际使用出发,对自然贮存试验转化为类比法试验评估方法进行了研究,避免了自然贮存试验周期过长的缺点并保留了其真实性。同时,对加速寿命试验模型阿列尼乌斯方程的推导分析和建模应用进行了研究。     

产品贮存中的备件问题研究

备件保障是保证战备完好性和作战能力的重要因素,产品维修备件需求与备件配置的平衡问题是一个长期未能很好地解决的难题.对产品贮存中的备件问题进行了分析,为备件保障工作提供思路和方法.     

钽电容失效分析研究

本文介绍了钽电容的基本结构和制造工艺,并深入剖析了钽电容的常见失效模式和失效机理。通过一些技术手段结合钽电容失效的内外因分析,寻找钽电容失效的根本原因,重点对钽电容失效进行了分析归纳,提出了一些预防措施,为今后钽电容的设计、制造和应用等方面的改进提供了可靠依据。     

论电子电气设备加速贮存寿命试验的可行性

本文讨论了电子电气系统及其所属设备在长期贮存过程中，在温度、湿度、时间三因素的作用下，设备的失效机理和失效模式，以及它们和应用的作用关系；论述了在贮存过程中，湿度、湿度和温度联合对设备的失效作用大于单独温度对设备的失效作用；论述了阿伦尼斯文程及导出的１０℃法则不能普遍应用于电子电气设备的贮存试验，只适用于由随温度的长期作用而老化的关键元器件、零件、材料构成的设备。     

元器件长期贮存寿命评估方法概述

为了满足电子装备的长期贮存可靠性要求,组成电子装备的各个部件或模块均应具有长期贮存性能。明确元器件贮存寿命是保证装备长期贮存的关键。本文对元器件贮存寿命的评估方法进行了概述。     

几种电子元器件长期储存的失效模式和失效机理

通过对几种元器件长期储存期间的失效进行分析,探讨了这几种元器件的失效模式及其失效机理。     

电路污染对导弹引信系统贮存失效的影响

通过对导弹引信系统生产、操作过程中的直接污染及贮存环境效应带来的间接污染进行分析，探讨了导弹引信系统长期贮存的失效机理，并在此基础上，提出了降低引信系统电路污染影响的若干措施，对引信系统设计、生产和使用具有重要的参考价值。     

国产半导体器件长期贮存试验研究

分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析.在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7.用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据.     

国产晶体管的长期贮存可靠性

测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性.贮存37年的3DK7F 100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放大倍数hFE减小超规范失效,其最大退化率为-50%,年均退化率-1.35%.存贮29年的3DG101F,7只中有3只hFE的减小超过-30%,占该批晶体管43%,hFE最大退化从110减小到73,退化率为-34%.年均退化率-1.2%.存贮30年的J3AX54B hFE增加幅度最大,从120增加到134,增加了12%.年均增加0.4%.测试结果表明:在长期贮存中,晶体管的输出特性会发生退化;hFE值即有增加,也有减小.