光折变晶体中四波混频中间段强度特性的研究

对Ce:KNSBN晶体四波混频相位共轭中间段的强度特性进行了实验研究。建立了在弱后向抽运小信号条件下的理论公式,并进行了分析。实验结果与理论曲线趋势相一致。     

光折变聚合物中载流子特性对空间电荷场的影响

根据适用于光折变聚合物系统的空间电荷场形成的动力学微分方程,将陷阱情况分为四类,分别讨论了光折变聚合物中光生载流子的量子产生效率及其迁移率对空间电荷场的稳态和动态特性的影响.结果发现空间电荷场的稳态特性相对于光生载流子的量子产生效率的变化比较敏感,而空间电荷场的动态特性则易受到载流子的迁移变化的影响.     

外加交变电场对光折变基频空间电荷场瞬态特性的影响

利用“跳跃模型”讨论外加交变电场（包括正弦和方波电场）对光折变基频空间电荷建立的影响,给出了空间电荷场基频分量随时间、外加交流电场振幅频率等变化的通解表达式。发现基频空间电荷场虎部和实部的振荡频率分别是外加交流电场振荡频率的两倍和一倍。当外加交变电场频率较大时光折变光栅是相移型的。这和基于“带导模型”给出的数值结果相符。     

短脉冲光在光伏光折变晶体中写入和擦除光折变光栅理论研究

利用GCValley的准连续光(Quasi-cw)近似模型,研究了短脉冲激光（纳秒ns量级）在光伏光折变材料LiNbO3晶体中写入和擦除光折变光栅的过程,给出了空间电荷场随时间变化的表达式.理论研究表明,空间电荷场的形成和擦除与两个时间参量有关,在考虑或者不考虑光生伏打效应两种情况下,这两个参量随擦除光强的变化有基本相同的变化规律,光栅的写入和擦除有相同的结果.同样,擦除一个光栅所需的光能量在两种情况下也有相同的结果.因此,在短脉冲光入射光折变晶体材料情况下,考虑光生伏打效应与不考虑光伏效应,对短脉冲光在光折变LiNbO3晶体中写入和擦除光栅基本没有影响.     

光折变晶体中高速调制光放大特性的研究

本文对光折变晶体中高速调制光的放大特性进行了理论分析,给出了在Ce:SBN晶体中进行的实验结果,并从物理概念上进行了讨论,指出光折变晶体中的双光束耦合可以用于时域编码通讯。     

Cu∶KNSBN晶体光折变参量的温度特性研究

本文研究了Cu∶KNSBN晶体光折变材料参量的温度特性.用光折变理论分析了文献6给出的Cu∶KNSBN晶体两波耦合增益系数Γ随2θ在不同温度下的变化关系.得出了该晶体有效电荷密度Neff,有效电光系数和电子-空穴对抗因子乘积Rreff随温度的变化关系.     

LiNbO3:Ru晶体的光折变特性研究

采用丘克拉斯基法生长了单掺杂的LiNbO3∶Ru晶体,并对其作氧化处理。实验研究了LiNbO3∶Ru晶体二波混频条件下光栅记录特性和波长的依赖关系;并且研究了氧化处理对其透射谱和光栅记录特性的影响。研究结果表明,LiNbO3∶Ru晶体的最佳记录波长为458 nm;氧化处理会增加LiNbO3∶Ru晶体对光的吸收,同时提高光栅记录的灵敏度和饱和衍射效率,表现了不同于LiNbO3∶Fe晶体的氧化态依赖特性。分析认为,LiNbO3∶Ru晶体的反常氧化态依赖特性可能是由于出现了电子通道效应的暗衰减机制,以及Ru存在多个价态所造成的。     

Cu:KNSBN晶体光折变参量的温度特性研究

本文研究了Cu:KNSBN晶体光折变材料参量的温度特性.用光折变理论分析了文献6给出的Cu:KNSBN晶体两波耦合增益系数Γ随2θ在不同温度下的变化关系.得出了该晶体有效电荷密度N_eff,有效电光系数和电子-空穴对抗因子乘积Rr_eff随温度的变化关系.     

双掺杂LiNbO3晶体中的稳态空间电荷场

建立了包括扩散、漂移和光伏打三种输运机制下双掺杂LiNbO3晶体在用双色光进行光存储的带输运方程,并得出了小调制度下稳态空间电荷场的分析解。对双色光的光强比、体光栅的波矢、双掺杂的浓度和晶体的 氧化还原程度对空间电荷场的影响进行了数值计算和讨论。     

外加直流场下光折变半导体InP∶Fe的双波混频增益特性

提出以单缺陷双边带非线性载流子输运方程描述InP∶Fe中光折变动态光栅的写入过程,通过微扰法将非线性方程线性化,从而求得小调制干涉图样下空间电荷场的稳态解,并用耦合波方程建立空间电荷场与增益系数的关系.研究温度、泵浦光强、外加直流电场和入射角对增益系数的影响.结果表明,增益系数存在温度-光强共振,最佳泵浦光强强烈依赖于...     

THEORETICAL STUDY OF THE INTENSITY DEPENDENCE OF TOTAL EFFECTIVE TRAP DENSITY IN PHOTOREFRACTIVE CRYSTALS

Intensity dependence of the total effective trap density N_eff is studied theoretically for the two-centre and the three-charge-state photorefractive crystals. The results show that N_eff always increases with increasing intensity in three-charge-state crystals, whereas it has more complicated behaviors in two-centre crystals. When S_Dγ_T/S_Tγ_D is small, N_eff increases and tends to saturate with increasing intensity for both type-A and type-B two-centre crystals. When S_Dγ_T/S_Tγ_D is large, N_eff increases to a maximum and then decreases a little for type-A crystals and decreases greatly for type-B crystals. The different intensity dependences of N_eff in the two types of crystals come from their different level structures.     

极性晶体中表面极化子的温度效应

有不少的极性晶体,电子与体纵光学声子的耦合弱,但与表面光学声予的耦合强.本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱,与表面光学声子耦合强时对表面极化子的温度特性的影响,用线性组合算符法研究表面极化子的振动频率、诱生势和有效质量的温度依赖性.对AgBr晶体进行了数值计算,结果表明极化子的振动频率,诱生势和有效质量随温度的升高而减小.     

用体全息术对皮秒光脉冲进行二维测量

本文提供一种测量两束相干的ps光脉冲的空间二维时间振幅相关函数的新方法.在此方法中,光脉冲是被记录在一种光致折变的体积全息介质中,而所记录的信息可以通过直接量度在介质中所形成的光栅的空间分布而读出.这种方法可的可行性已为实验证实,它是通过3.5ps倍频锁模Nd:YAG激光测量光致折变晶体LiNbO₃来实现的。     

静电场中电场强度的数值意义

“近场强远场弱”是静电场的普遍特点,宏观带电体的静电场是点电荷电场叠加的结果.本文以静电场中两个实际的电场强度问题为例,用相对数值比较了电荷分布对电场强度的贡献,阐述电场强度“近场强远场弱”的数值意义.     

静电场和稳恒电流磁场诸定律的统一性浅探

从点电荷的场强公式出发，根据狭义相对论中场强张量的变换，推导出了静电场和稳恒电流磁场的诸定律，使学生对电场和磁场的统一性有了更为深刻的认识．     

带电导体球表面处的电场强度

通过带电导体球阐述了面电荷所在处的电场强度并且对分别采用的面和壳物理模型的结果进行了比较。     

导体球壳上感应电荷及空间电场的分布(1)

本文利用镜象法讨论了在接地导体球壳附近有点电荷时，空间的电场分布和球壳表面上感应电荷的分布。     

TFEL器件发光层的电场随外电压的变化

本文利用弗朗兹-凯尔迪效应研究了TFEL器件发光层中的电场随外加电压的变化。用此方法算得的发光层中的电场同把器件各层当作只起绝缘作用的电介质时算得的电场强度,虽然数量级相同,但数值上有差别,特别当外加电压达到发光阈值电压时,差别更为明显。     

均匀磁场中转动的导体上电荷的分布

指出了在均匀磁场中运动的轴对称导体上分布的电荷所产生的附加磁场是很弱的,在忽略附加磁场时导体内的电荷是均匀分布的,并求出导体球上电荷分布。