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引入调节剂是一种改善立方氮化硼生长环境的重要手段. 本文中,我们研究了在Li3NhBN体系中引入调节剂对合成立方氮化硼的影响. 研究发现,调节剂的引入对立方氮化硼成核有明显的影响,并且通过光学显微镜可以明显发现调节剂曾有溶融的迹象,认为是调节剂在高温高压下发生溶解,改变了立方氮化硼生长溶液的性质,为立方氮化硼的生长提供了良好的生长环境,改变了立方氮化硼的生长速度,使晶体形貌得到了明显的改善. 通过电镜分析,发现调节剂含量的不同给晶体带来了不同的缺陷. 相似文献
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用Mg和Mg3N2作触媒,以LiH作添加剂,在55—64千巴及1700—2100℃的高温高压下,进行了由六方氮化硼到立方氮化硼的合成。对合成晶体作了结构与有关性能的鉴定和测试。晶体表面上杂质、缺陷、生长中心和台阶结构的显微观察表明,高温高压下合成的立方氮化硼晶体具有通常条件下晶体生长的一般特征。对密切依赖于温度、压力状况及触媒组装的合成结果进行了分析和讨论。文中特别报道了触媒中少量LiH的加入对提高晶体粒度和质量的显著效果,其中获得了1毫米以上的大颗粒立方氮化硼晶体。 相似文献
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在立方氮化硼薄膜气相生长过程中生成的无定形初期层和乱层结构氮化硼中间层,一直是阻碍立方氮化硼薄膜外延生长的主要原因.系统地分析了硅衬底预处理对立方氮化硼薄膜中无定形初期层成分的影响,发现在等离子体化学气相生长法制备薄膜时,硅衬底上形成无定形初期层的可能原因有氧的存在、离子轰击以及高温下硅的氮化物的形成.在H2气氛中1200K热处理硅衬底可以有效地减少真空室中残留氧浓度,除去硅表面的自然氧化层,保持硅衬底表面晶体结构.控制衬底温度不超过900 K,就能防止硅的氮化物的形成,成功地除去无
关键词:
立方氮化硼薄膜
等离子体化学气相生长
界面
电子显微镜 相似文献
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较系统地研究了不同衬底材料对制备氮化硼薄膜的影响。用热丝增强射频等离子体CVD法,以NH3,B2H6和H2为反应气体,在Si,Ni,Co和不锈钢等衬底材料上,成功生长出高质量的立方氮化硼薄膜,还用13.56MHz的射频溅射系统将c-BN薄膜沉积在Si衬底上,靶材为h-BN(纯度为99.99%),溅射气体为氩气和氮气的混合气体,所得到的氮化硼薄膜中立方相含量高于90%,用X射线衍射谱和傅里叶变换红谱对样品进行了分析表明,衬底材料与c-BN的晶格匹配情况,对于CVD生长立方氮化硼薄膜影响很大,而对溅射生长立方氮化硼薄膜影响不大。 相似文献
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在高温高压条件下,用hBN-LiH和hBN-Li3N-B为初始材料均可以合成出黑色cBN晶体。拉曼光谱测试结果表明,cBN晶体颜色变黑的原因是晶体中多余B原子的存在造成的。在hBN-Li3N-B体系中,晶体内部有明显的三角形阴影形成,表明从晶体表面的中心到顶角间B原子的含量较多,从表面中心到棱边B原子的含量逐渐减少。而在hBN-LiH体系中所得到的晶体颜色从黑色透明直接变成黑色不透明状态,晶体内部没有出现三角形阴影,表明晶体中作为杂质的B原子分布比较均匀。此两种情况说明,B作为杂质原子进入cBN晶体中可以有两种分布情况,一是居中对称分布,二是均匀分布,从晶体的生长环境和自身的排杂能力方面分析了晶体为什么会出现上述现象。 相似文献
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The transverse electro-optic(EO)modulation system is built based on cubic boron nitride(cBN)single crystals unintentionally doped and synthesized at a high pressure and high temperature.The photoelectric output of the system includes two parts that can be measured respectively and the value of elements in the linear EO tensor of the cBN crystal can be obtained.This method does not need to measure the absolute light intensity.All of the surfaces of the tiny cBN crystals whose hardness is next to the hardest diamonds are{111}planes.The rectangular parallelepiped cBN samples are obtained by cleaving along{110}planes and subsequently grinding and polishing{112}planes of the tiny octahedral cBN flakes.Three identical non-zero elements of the EO tensor of the cBN crystal are measured via two sample configurations,and the measured results are very close,about 3.68 and 3.95 pm/V,respectively,which are larger than the linear EO coefficients of the general III-V compounds. 相似文献
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将黑色、黄色、棕色三种小于50 μm立方氮化硼粉末为样品,研究了其红外光谱、拉曼光谱、反射光谱,结果表明:(1)样品的红外光谱中,1 818 cm-1和1 548 cm-1属于cBN的晶格本征振动,而立方氮化硼的晶格本征振动外的晶体缺陷吸收则发生在~800 cm-1,1 580 cm-1~1 740 cm-1和大于2 400 cm-1处。(2)拉曼光谱测试表明,在1 052 cm-1和1 304 cm-1附近出现的散射与cBN不具有反演中心及cBN具有立方结构这样的事实相一致,并且这种散射伴随着布里渊区中心声子的横向和纵向发射。144 cm-1附近出现的散射,被认为是由于局部振荡模式的出现,在反斯托克斯区造成的信号,这与晶格中杂质缺陷有关。(3)依据得到的反射光谱,计算了cBN单晶禁带宽度,发现这三种cBN都具有大于金刚石的禁带宽度值,分别为:Eg(黑)=6.21 eV,Eg(黄)=5.73 eV,Eg(棕)=5.71 eV。 相似文献
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L. M. Gameza 《高压研究》2013,33(1-6):373-378
Abstract We have investigated the effect of beryllium additions on the kinetics of conversion of hexagonal graphite-like BN to cubic BN (hBN → cBN) as well as on the linear rate of cBN crystal growth in a Li-B-N (H, Be) system. Experiments were performed in the temperature range 1940-2080K at a pressure of 4.3GPa. With the addition of 0.25 and 0.50wt.% beryllium the activation energy of the cBN formation process is found to be 45.8 and 42.0kJ/mol, respectively. The resulting crystals showed p-type conductivity. The activation energy of the impurity carriers for the samples with 0.25 and 0.50 wt.% beryllium additions equalled 0.22 and 0.17eV, respectively. 相似文献