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自从1960年第一块集成电路问世以来,集成电路工业飞速发展,不断遭遇新的要求和挑战。至今仍在应用的传统双极工艺,能够同时提供纵向NPN晶体管和横向PNP晶体管,在实际应用过程中,在遇到要求高输出电流,大驱动能力的电路时,横向PNP晶体管的性能成为电路设计的瓶颈。研究表明在传统的双极工艺中,由于基区浓度由外延本身决定,因此掺杂浓度相对较低。同时横向结构决定了基区的宽度相对于纵向结构而言,大大的增加。因此导致了PNP双极晶体管的输出性能差强人意。基于上述分析,在对传统的结构进行修改之后,以增加工艺复杂性为代价,在保证原有结构的情况下,能够得到性能令人满意的纵向PNP晶体管。增加一个BLN2层次,以满足纵向PNP晶体管对于隔离的要求,增加NB层次,从而得到掺杂浓度远高于外延层的纵向PNP晶体管的基区。从而避免了横向PNP晶体管的缺陷。主要结论为：通过合理地安排工艺步骤,能够在对原有结构不产生影响的情况下,得到性能令人满意的纵向PNP晶体管。相比于原有的横向PNP晶体管,输出特性得到极大改善。 相似文献
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本文结合俐者在集成电路制造工艺中应用计算机辅助设计所微的部分工作，着重介绍了目前较为成熟，且使用越来越广泛的集成电路全工艺模拟系统ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ，向读者介绍该系统在单管和双极型电路的工艺设计及工艺优化中的若干应用，从中可以解到微电子工艺ＣＡＤ系统所能够提供给从事集成电路制造工艺的研究人员的数据信息量。 相似文献
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放眼全球,集成电路制造工艺的升级速度却依然未减,新材料、新器件、新工艺的产业化进程尚未真正来临。"十三五"期间,在坚持以FinFET为代表的先进工艺技术升级的同时,还需积极拓展新兴应用市场,以实现我国集成电路产业的做大做强。 相似文献
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本文从半导体制造工艺晶体生长与衬底制备、氧化、扩散、外延生长、化学汽相淀积、物理淀积、离子注入、刻蚀、光刻、合金化和焊接等方面，叙述了对气体使用的要求。 相似文献
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采用虚拟制造技术对0.8μm双阱LPLV CMOS工艺进行优化，确定了主要的工艺参数。在此基础上，对全工艺过程进行仿真，得到虚拟制造器件和软件测试数据，所得结果与实测数据吻合得很好。 相似文献
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快速热处理技术在集成电路制造上的应用 总被引：1，自引：0，他引：1
主要介绍快速热处理技术，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火，Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ，及ＥＥＰＲＯＭ隧道薄栅的快速热氧化和用Ｎ２Ｏ加固薄栅用的快速热氮化等方面的应用。 相似文献
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本文采用正交试验方法，在原有设备和技术不变的条件下，用很少的试验次数，优化出一种汽车专用ＩＣ生产的最佳工艺条件；并找到了器件参数随工艺条件的变化规律，使该电路在大批量生产过程中，降低成本，提高了经济效益。该方法也可用于半导体新品ＩＣ试制工艺条件的优化。 相似文献
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本文从半导体制造工艺晶体生长与衬底制备、氧化、扩散、外延生长、化学汽相淀积、物理淀积、离子注入、刻蚀、光刻、合全化和焊接等方面，叙述了对气体使用的要求。 相似文献
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通过对微波混合集成电路采用ＳＭＴ进行批生产的前提条件－薄膜电路的焊接性能进行了理论分析和实验研究，得出了铜薄膜体系工艺最适于满足ＳＭＴ要求的微波混合集成电路的制作，并给出了制作实例。 相似文献
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文章在讨论集成电路（ＩＣ）制造后工序特点基础上，提出了广义后道工序成本模型，该模型综合考虑了ＩＣ封装、总测及老化工序全过程，系统得到了可设计的经济学模型。最后，文章给出了一个集成电路工厂在某产品生命周期内的综合效益最优化模型，为ＩＣ可制造性设计和ＩＣ制造提供了经济学依据。 相似文献
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本简要介绍厚膜混合集成电路的制造过程，由于它的制造特点使其性能稳定可靠，应用领域广泛。其制造工艺适于大批量自动化生产，具有工艺简单、投资省、见效快等优点。 相似文献
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