α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究

本文采用X射线光电子能谱、紫外光电子能谱和低能电子衍射对室温下P在GaAs(100)表面上的生长进行了研究。结果表明,在生长初期P是成团吸附的,随着淀积量的增加而生长成α-P薄膜,该薄膜的价带结构与等离子体淀积的α-P:H薄膜的价带结构相似。在界面处有约一单层的P与衬底表面的Ga成键。α-P覆盖层使GaAs表面势垒下降约0.2eV。 关键词：     

快速光电探测器脉冲响应的电光取样测量

建立了半导体激光器电光取样系统。选择１．３μｍ，ＩｎＧａＡｓ增益开关半导体激光器作为取样光源，利用微带ＧａＡｓ衬底的纵向电光效应作为电光取样器，测量了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ雪崩二极管的脉冲响应特性。分析表明，本系统具有０．３５ｍＶ／√Ｈｚ的电压灵敏度和９ｐｓ的时间分辨率。     

微电子,光电子高技术的发展源于固体能带的基础性研究

文章简要地介绍了当今信息高科技领域中半导体微电子、光电子技术的发展现状，阐明其得以发展的物理基础是本世纪初叶提出的量子力学概念以及随后建立的固体能带论．文章还探讨了其今后进一步发展的前景．     

全固态紫外激光器研究

本文报道了具有增强谐振倍频腔的全固态紫外激光器研究半导体激光二极管(LD)泵浦的Nd:YVO₄激光晶体产生波长为1064nm的近红外光,腔内倍频输出波长为532nm的绿光,再送入增强谐振腔进行四倍频,输出波长为266nm的深紫外激光产生深紫外激光的基频绿光输入阈值可低到2.5mW据我们所知,这是国内首次报道的全固态紫外激光器.     

半导体物理效应与光电子高技术产业

阐述了能带理论和晶格动力学的创建对半导体科学技术发展发展的历史意义，重点介绍了若干关键半导体物理效应的内涵及其对光电子器件与技术发展所作出的源头性贡献，描绘了以半导体激光器为代表的现代光电子高科技产业的发展现状与趋势，指出了光电子高科技持续发展的主要方向。     

Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnSe（100）极性界面的能带连接问题．表面灵敏的芯能级谱显示出Ge原子与Se原子在界面处存在较弱的化学反应．利用芯能级技术，测量了该异质结的价带偏移，为1.76±0.1eV．用界面键极性模型对ZnSe（100）极性表面对价带偏移的影响进行了讨论，理论与实验符合较好 关键词：     

光电子物理及应用前沿问题

综述了全国首届光电子物理及应用前沿研讨会有关情况,讨论了若干光电子物理这其在高技术应用领域的前沿科学技术问题,从物质运动形态转化的角度探讨了当前主要的光电子材料、器件和相关的物理基础研究。     

光电子技术及其进展

综述了光电子学的产生及其发展，提出了光电子技术的几个发展方向和研究热点。对各种新型激光器、硅基光电子技术、有机聚合物光电子材料、光互连、光计算技术、大容量光存储、生物医学中的光电子技术等内容进行了简要的介绍。     

光电子物理及应用前沿问题——介绍全国首届光电子物理及应用前沿问题研讨会

综述了全国首届光电子物理及应用前沿问题研讨会有关情况,讨论了若干光电子物理及其在高技术应用领域的前沿科学技术问题,从物质运动形态转化的角度探讨了当前主要的光电子材料、器件和相关的物理基础研究     

全固态Cr:LiSAF激光器的研究

本文报道了红光激光二极管泵浦的Cr:LiSAF激光器.采用纵向泵浦的平凹腔结构,在脉冲方式泵浦下,当泵浦平均功率为54mW,重复频率为200Hz时得到平均功率为5mW的激光输出,在连续波状态下,测得了输出功率随泵浦功率的变化曲线.激光输出的中心波长为873nm.     

光电成象系统中的积分抽样效应

光电成象系统涉及空间和时间上的积分和抽样.本文从理论上研究了光电成象系统中的抽样的空间积分效应和前置光学滤波的影响.结果发现前置光学滤波可以等效为抽样象元的空间积分抽样效应.这一原理对设计光电成象系统具有指导意义.利用这一原理也可以改善光电成象系统获取图象的质量.     

烟气连续监测系统稀释采样比例技术研究

在工业固定污染源所安装的烟气连续监测系统中,稀释抽取采样方法占了大多数,而稀释比例的精确确定则是此类方法的关键。本文分析了影响烟气连续监测系统稀释比例的相关因素,提出相应改进措施,并在实际的烟气连续监测工程中应用验证。     

一种新型可见光条纹相机标定系统

本文提出了一个以亚皮秒脉冲光源——半导体激光二极管为核心而研究的一台扫描相机标定系统,该系统能对相机的时间分辨率、扫描速度、扫描线性、触发晃动以及相机的最小探测能量等参数进行标定。     

激光蒸发进样ICP－AES测定地质祥品中的钡和锶

本文讨论了用连续ＣＯ＿２激光器蒸发地质粉末样品，ＩＣＰ－ＡＥＳ测定Ｂａ和Ｓｒ。在样品中加入适量的粘合剂和石墨粉混匀压饼，用激光全部蒸发。在蒸发室出口处加入了一只多层多孔过滤器，一定程度上改善了系统长时间工作的稳定性。对影响激光采样和ＩＣＰ－ＡＥＳ分析性能的参数进行了研究。实验结果表明，连续激光蒸发地质粉末样品、ＩＣＰ－ＡＥＳ测定Ｂａ、Ｓｒ，大部分分析结果满意。在选择的系统条件下，Ｂａ、Ｓｒ的检出限分别为２．６μｇ·ｇ￣－１和３．０μｇ·ｇ￣－１；精密度ＲＳＤ分别为６．３％（４７０μｇ·ｇ￣－１）和５．６％（５２μｇ·ｇ￣－１）     

一个等温状态方程（Ⅴ）——不同温度的高压状态方程

 本文以NaCl为例，证实了在我们的状态方程体系中，不同温度的状态方程可以认为是在p_x坐标系中不同起点开始的同一状态方程。于是，可由室温状态方程和常压热膨胀的测量数据估计高温状态方程。     

一个等温状态方程（Ⅳ）——理想固体和绝对压强坐标

 本文给出了由文献（1）导出的等温状态方程具有压强平移不变的普遍性质，由此，讨论了一种理想固体的模型，给出了一个绝对的压强坐标。并讨论了二种真实固体材料的状态方程的数学拟合的形式。     

Ni-Si多层膜中固态非晶化反应的热力学与动力学过程

研究了Ni/非晶Si(a-Si)多层组分调制膜(ML)中界面上的固相反应。根据计算的亚稳自由能图,对界面上固相反应形成非晶态进行了热力学与动力学的分析。提出了Ni/a-Si多层膜中的固相反应的动力学模型。 关键词：     

As在Co/Ti/Si三元固相反应中的分凝效应

在注入As的Si表面上,采用离子束溅射淀积Co/Ti双层金属膜。在氮气氛下对Co/Ti/Si进行多步热处理,研究As原子在Co/Ti/Si三元固相反应过程中的行为。实验采用背散射技术测量As原子在反应各阶段中的分布。结果表明,随着反应形成TiN(O)/Co-Ti-Si/CoSi₂/Si多层薄膜结构,一部分Si衬底中的As原子被分凝出来,向表面运动,并聚集在Co-Ti-Si三元硅化物中。对As原子的这一再分布行为进行了讨论。 关键词：