混合集成电路和多芯片组件综述

本文就国内外在混合集成电路和多芯片组件方面的发展现状进行了比较分析，指出了未来的发展趋势，较系统地介绍了多芯片组件的主要技术及其应用。     

多芯片组件将铸就世界辉煌

自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分析近年来国内外专家对MCM较普遍的看法,对MCM作如下定义比较妥当:MCM是将2个以上的大规模集成电路裸芯片和其它微型元器件互连组装在同一块高密度、高层基板上,并封装在同一管壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。MCM是实现电子装备小型化、轻量化、高速度、高可靠、低成本电路集成不可缺少的关键技术,它与传统的混合IC主要区别在于MCM是采用“多块裸芯片”与“多层布线基板”,并实现“高密度互连”。     

三维多芯片组件及其应用

一、前言 三维多芯片组件(简称3D-MCM)是在二维多芯片组件(即2D-MCM,通常指的MCM均系二维)技术基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于:3D-MCM是通过采用三维(x,y,z方向)结构形式对IC芯片进行立体结构的三维集成技术,而2D-MCM则是在二维(x,y方向)对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进行高密度组装,是IC芯片的二维集成技术。三维多芯片组     

混合IC的发展方向——多芯片组件（MCM）

ＭＣＭ是９０年代兴起的在混合微电路薄厚膜技术基础上发展起来的高密度立体组装微电子组件，它以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻和性能优良等显著特点受到世界各国电子整机厂商的重视，被广泛应用于计算机、通信、军事、航空／航天和汽车等领域。美国国防部还将Ｍ...     

多芯片组件技术

简要地介绍了多芯片组件技术的主要特征和关键技术，并指出它不仅是集成电路组装技术的一次大变革，而且将对９０年代电子和计算机技术的发展产生深远的影响。     

低成本多芯片组件及其应用

本文阐述了多芯片组件成本考虑的因素以及几种低成本多芯片组伯工艺结构及其应用概况,为推进多芯片组件在民用消费类电子产品以及汽车电子、医疗电子等领域中的应用提供一借鉴。     

多芯片组件及其技术发展现状

多芯片组件（ＭＣＭ）近年来发展迅速，正在成为电子产业的一个重要分支和前沿。本文综述多芯片组件的优点、特性、制作技术以及实际应用，分析多芯片组件主要制造技术的现状及发展趋势。     

多芯片组件（MCM）的封装技术

电子元器件（组件）的封装严重影响微电路的性能和可靠性,其成本约占IC器件的I／3,因此,封装的性能和成本对电子产品的竞争力影响很大,MCM封装是多芯片组件的重要组成部分,本文从构成MCM封装技术的材料选择,结构类型以及MCM封装的密封技术和冷却技术几个方面作一介绍。     

厚膜混合集成电路可靠性技术

总结了混合集成电路的主要失效模式,在此基础上,主要从混合集成电路的设计和工艺两方面分析了其产生的原因,通过设计、工艺、原材料和元器件等方面采取对策和措施,达到提高混合集成电路可靠性的目的.     

Timing-driven MultiChip Module routing algorithm with crosstalk consideration

This paper presents a timing-driven MultiChip Module （MCM） routing algorithm considering crosstalk, which maximizes routing density while minimizing vias and total wire length. The routing algorithm allows a more global solution as well as the incorporation of more accurate crosstalk modeling. In addition, various time domain characteristics of MCM are analyzed in this contribution. A deembedding technique for the S-parameter calculation is presented and functions for the time-domain signals are investigated in order to decrease the computation time. Routing results show that the proposed algorithm consistently produces the better results than other previously proposed routers while offering flexibility for future incorporation of noise and delay constraints.     

混合集成电路内部多余物的控制研究

分析了混合集成电路的内部多余物引入的途径,重点分析和阐述了金属空腔管壳在储能焊封装过程中金属飞溅物形成的原因.通过封装设备和工艺参数的控制以及管座和管帽设计的优化改进,有效控制了金属飞溅物进入封装腔体内部,提高了混合集成电路颗粒碰撞噪声检测(PIND)合格率以及产品的可靠性.     

供混合微波集成电路用的直流偏压电路的研究

使用现有的微波电路CAD软件,对几种微带直流偏压电路进行了优化设计,并用HP8510网络分析仪测试了所设计的这几种偏压电路的性能.结果表明,经过优化设计,这几种偏压电路的工作带宽均可达到倍频程以上.     

厚膜混合集成电路的制造技术与应用

本简要介绍厚膜混合集成电路的制造过程，由于它的制造特点使其性能稳定可靠，应用领域广泛。其制造工艺适于大批量自动化生产，具有工艺简单、投资省、见效快等优点。     

混合集成电路应用中的失效分析

通过对两种混合集成电路即温控电路及隔离放大器BB3656BG的失效分析，表明以下观点：（1）对混合集成电路的分析，应通过电路内部测试，测量电路工作状态下各个关键部位的参数乃至动态波形；（2）深入的分析过程有利于对电路透彻的了解及促进同类型电路分析的深度，有利于使分析结论更趋准确。     

微波混合集成电路的ESD设计

主要介绍了微波混合集成电路ESD设计的一些探索工作,对两种不同功能和形式的混合集成电路的抗静电能力和电路中的薄弱部位进行了研究和分析.依据实验摸底结果并结合电路的自身特点,有针对性地进行ESD保护电路设计,既有效提高了电路的抗静电能力,又保证电路的微波电性能不受较大的影响.试验结果表明,运用这种电路后,使得HE393B宽带放大器防静电能力从300 V提高到1 500 V,HE010电压产生器达到800 V.     

新型功率混合集成电路材料—氮化铝（A1N）

本文主要介绍了A1N的成瓷工艺,金属化方法,特性及在新型电子器件中的应用示例,A1N在功率电子领域有限取代BeO,成为本世纪大量应用的主导电子材料。     

功率混合集成电路键合强度控制研究

通过引入铜过渡键合垫片，取消了金-铝键合系统，改用铝-铝键合，以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级，满足某些特殊领域的要求。运用SPC控制，对键合工艺进行了有效控制，使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到了较大的提高。     

140Mb/s混合集成激光器驱动模块

140Mb/s LD驱动器模块包括Si双极耦合逻辑开关缓冲、整形放大、LD驱动器和LD组件三部分。采用混合集成平面微组装工艺将这三部分制作在一块30×49mm~2的陶瓷基片上。在ECL电平驱动下,光脉冲上升时间和下降时间均小于等于1ns,出纤光功率为-6dBm～-3dBm,消光比≤10％,在10~(-9)误码率下,接收机的灵敏度为-39dBm。