多孔硅发光材料

扼要叙述多孔硅发光的原理、工艺与应用，并指出应用存在的问题。     

多孔硅发光机制的分析

从量子力学的基本理论出发讨论了量子限制效应，推导出多孔硅有效禁带宽度增量并用量子限制效应和表面态及其物质在发光中作用的理论解释了ＰＳ光致发光的实验现象。     

发光多孔硅微结构及其发光起源探讨

用制备发光多孔硅样品的常规电化学方法，在未抛光多晶硅表面，成功地制备出了均匀地发射肉眼可分辨的可见光样品。样品的先致发光光谱得到了测定，证明是一种典型的多孔硅光致发光光谱。用扫描电镜对样品的表面形貌、截面结构进行了详细的分析，摄制出了发光多孔硅样品的完整多孔状微结构清晰照片。实验结果认为多孔硅样品可分成三层：表面层、多孔层、单晶硅衬底；而多晶硅表面上制备的发光样品只有两层结构：表面层、多晶硅衬底。文中认为多孔硅可见光发射应来自其表面层，而与层下的多孔层微结构无关。     

关于多孔硅发光的研究进展

关于多孔硅发光的研究进展ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓｉｎＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔＰｏｒｏｕｓＳｉＫ．Ｈ．Ｊｕｎｇ等曾有研究表明，多孔硅层（ＰＳＬ）在４．２Ｋ的温度下具有可见的光致发光（ＰＬ）特性。近期对ＰＳＬ的观察表明在室温下也有一定强度的ＰＬ现象，这一特...     

多孔硅的发光机制综述

本文对目前所持的几种关于多孔硅发光机制的观点加以介绍，给出了一些实验事实和结果。     

多孔硅的制备和发光特性

本文叙述了多孔硅的制备、多孔形态层的形成机理,以及多孔硅的光致发光现象和理论解释,并且讨论了目前存在的一些问题。     

多孔硅器件的电流诱导发光

本文介绍了多孔硅发光（ＬＥＰＯＳ）实验。多孔硅是在ＨＦ电解槽中通过电流把ｎ型硅阳极氧化制成的。用紫外光照射可得到可见光的光发射。在多孔硅层的顶部对固体接触层上施加交流或直流电压，可看到可见的电致发光（ＥＬ）。给出了两个实验的原始光谱。     

多孔硅发光机制的量子理论

评述了多孔硅发光机制的量子限制效应理论，讨论了与此相关的一些实验和两种新的ＱＣＥ理论，最后分析了ＱＣＥ理论存在的一些问题。     

国外发光多孔硅的研究评述

本文系统地综述了多孔硅的微结构、发光特性和发光机制等方面的最新研究成果,介绍了当前多孔硅研究中的一些热点问题与学术争论情况,对多孔硅在光电器件中的应用前景作了讨论。     

多孔硅的发光机理及应用

对多孔硅的发光机理和应用前景作了详细介绍。     

多孔硅：从发光到发光二极管

硅显微电子革命的核心所在。它比起其它半导体来，其优势完全依赖于其优良的材料和加工性能，以及围绕它发展起来的巨大技术基础。其它半导体不可能代替硅作为诸多电子应用中的所选材料。然而硅是一种效率特低的发光材料，为此，它在诸多光学应用中并不具有同等的优势。很久以来人们就认识到发展一种把光学器件和电子器件既方便而又便宜地集成在一块硅片上的技术的重要性。此类进展会对显示、通讯、计算机和许多相关技术产生重大影响。事实上，把光电子集成在硅片上已经取得一些成功。例如，已能用硅制成高质量光探测器，此外，硅电荷耦合器…     

用脉冲腐蚀制备发光多孔硅

采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．     

多孔硅的发光机理及应用

对多孔硅的发光机理和应用前景作了详细介绍。     

多孔硅的发光机制与微结构

详细讨论了两种新的多孔硅发光机制理论（无序Ｓｉ网络结构和聚硅烷／氢化物发光）以及相应的实验支持。通过分析多孔硅的各种发光机制和多孔硅微结构研究，作者认为多孔硅不是仅有一种发光机制，不同的微结构和成分构成会产生不同的发光机制，其中量子限制效应和聚硅烷／氢化物发光是受到较多实验支持的，分别有微结构和成分决定的发光理论。     

硅基材料高效发光——多孔硅光致发光研究

本文介绍了采用阳极氧化腐蚀工艺在单晶硅上制作多孔硅（ＰＳ）薄层，对ＰＳ薄层进行了微结构的分析为毫微结构量子线组成的复杂网络，其截面尺寸为纳米范围而纵向尺寸在微米量级。对ＰＳ样品光致发光谱的测定发现随阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加谱峰发生“兰移”并用ＰＳ的量子限制效应解释了上述实验现象。