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用UPS、XPS、AES和功函数测定等方法考察了氯对Ni(110)上CO共吸附的影响。预吸附的氯强烈降低了CO的吸附速度和饱和吸附量,减少了CO-Ni的平均偶极矩。UPS和XPS结果表明,氯的共吸附使CO的1π和O(1s)移向较高的结合能,而5σ则轻微移向较低的结合能。氯能取代表面吸附的CO并伴随总功函数的下降。氯的强电负性和空间位阻减小了Ni-CO的键合作用,从而降低了CO的吸附键能,并使C-0 相似文献
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使用HREELS,XPS及TDS在室温下考察了氧吸附Fe(110)上的CO吸附态,观察到了振动频率为2120cm^-1的CO弱吸附态,3种检测手段的结果相互支持。 相似文献
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利用紫外光电子谱(UPS)对乙烯(C2H4)和乙烯(C2H2)气体在Ru(1010)表面的吸附及与K的共吸附进行了研究,实验结果表明:当衬底温度超过200K,乙烯即发生脱氢反应后,σCH和σCC能级均高结合方向移动.在室温下、σCH和σCC能级位置与乙炔在Ru(1010)表面的吸附时的分子能级完全一致.乙烯发生脱氢反应后的主要产物为乙炔。衬底温度从120K升到室温,Ru(1010)表面上乙炔的σCH和σCC能级均未发现变化.室温下乙炔仍然可以在Ru(1010)表面以分子状态稳定吸附.在有K的Ru(1010)表面上.室温时σCH谱峰几乎消失.碱金属K的存在促进了乙炔的分解. 相似文献
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CO与Cs在Ru(101-0)表面上共吸附的高分辨电子能量损失谱研究结果表明:CO在有Cs覆盖的Ru(101-0)表面上有两种吸附状态,除了与CO在清洁表面上相似的一种吸附状态以外,还有一种新的吸附状态,它的C—O伸缩振动频率比前者低得多.在CO暴露过程中,CO分子首先吸附在低C—O伸缩振动频率的状态,随着CO覆盖度的增加,两种吸附状态的C—O伸缩振动频率都向高频方向移动.两种吸附状态的C—O伸缩振动频率也与Cs的覆盖度有关.当CO覆盖度饱和后,在Cs覆盖度较高的表面上两种吸附状态的C—O伸缩振动频率相对
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本文应用Recursion方法,计算了CO在Cu(001)表面不同位置(顶位、桥位和空位)吸附的电子结构,分析了CO与Cu表面原子之间的键作用。分析表明CO在顶位吸附时,Cpx(py)-Cuds(1号)和Cpx(py)-Cud2(ds)(2号)之间存在较强的键作用,这有利于CO在顶位吸附。桥位和空位吸附时,CO与表面原子形成的键较弱,是不稳定的。计算结果得到了实验的支持。 相似文献
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用红外透射光谱法,在295~368K范围内,作CO在AgY分子筛上的等温吸附线,建立CO在Ag_n~+原子簇上的等量吸附热,其值为35.6kJ/mol,对应吸附熵值为0.163kJ/mol·K,从而获得了Co与Ag_n~+的吸附键能量为42.20kJ/mol。 相似文献
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用EAM方法(embeded-atommethod)研究H_2在Ni,Pd与Cu的(100),(110)与(111)面上的解离吸附.首先通过拟合单个H原子在Ni,Pd与Cu不同表面上的吸附能和吸附键长,得到H与这些金属表面相互作用的EAM势,然后计算H_2在这些表面上以不同方式进行解离吸附时的活化势垒E_a,吸附热q_(ad)与吸附键长R.并给出H_2在(110)面上解离吸附的势能曲线.计算结果表明H_2的解离吸附与衬底种类、衬底表面取向及解离方式有关.H_2在Ni表面上解离时活化势垒很低,而在Cu表面解
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采用氢-钯表面的5参数Morse势,用对势方法研究了氢原子在Pd(n(100)×(111))-(011)台阶面上的吸附和扩散,获得了氢原子在该台阶面上的吸附位,吸附几何,结合能和本征振能,并给出氢原子在台阶下四重位的吸附优先于台阶面上的三重位吸附,计算结果与实验结果符合很好,理论分析给出台阶对氢原子表面扩散的影响。 相似文献
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孙艳 《原子与分子物理学报》2020,37(5):644-648
利用密度泛函理论研究了低覆盖度下CO分子在Ni(110)表面的吸附结构和电子态。研究结果表明:在低覆盖度情况下, CO分子优先垂直吸附在短桥位,其次是顶位和长桥位。垂直短桥位吸附、顶位吸附相应的振动频率分别是1850.52 cm-1、1998.08cm-1。态密度的研究结果表明:CO分子和Ni原子在-10 eV -8 eV,-8 eV—-6 eV及1 eV -5 eV能量范围内发生了杂化作用。-10ev -8ev能量范围内的杂化主要来源于C、O原子的s轨道、pz轨道与Ni原子s、p、d轨道的杂化作用。-8ev—-6ev能量范围内的杂化作用主要来源于C、O原子的py、 px轨道与Ni原子d、s轨道的杂化作用。轨道间的杂化作用是吸附作用的主要来源。 我们计算的吸附位置与相应的振动频率与相关实验结果基本一致。 相似文献
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为研究钆在MgO薄膜表面吸附的特性,首先在经硫代乙酰胺(CH3CSNH2)处理的GaAs(100)表面外延生长P型半导体MgO(110)薄膜,然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附,结果发现由于Gd/MgO界面的能够弯曲使Mg2p向高结合能端位移0.4eV,而且从实验结果推断,钆与衬底反应很弱,并且主要以团簇的形式吸附。 相似文献