半磁半导体Cd_(1-x)Fe_xTe的光学和磁性质的研究

用透射光谱法报道和讨论了组份x=0.03和x=0.06的Cd_(1-x)Fe_xTe单晶样品的光吸收,同时用提拉法在温度1.5～30K、磁场强度直到7T范围内测量了磁化强度与组份、温度和磁场强度的变化规律。结果表明,随着x组份的增加,Cd_(1-x)Fe_xTe的能隙移向长波(低能)方向。根据分子场理论,采用类布里渊函数,对磁化强度实验结果进行了拟合和分析。在本文的x值范围内,理论与实验符合得很好,证实了铁离子间存在反铁磁的交换耦合。     

稀磁半导体Cd_(1-x)Mn_xS磁化率的研究

用振动样品磁强计和提拉法在1.5K≤T≤300K温度范围内系统测量了组分为0.03≤x≤0.45的Cd_(1-x)Mn_xS稀磁半导体单晶样品的磁化率.磁化率测量表明在高温区服从居里-外斯定律。从定量分析得到Mn~(++)离子间交换积分常数值.低场磁化率与温度变化规律(最低温度达1.5K)表明当样品x≤0.2时,体系仍然为顺磁态;而当样品组分x=0.3时,经零场冷却后磁化率在温度T_f处观测到一个尖峰,对x>0.3样品亦得到类似结果,只是磁化率在不同冻结温度T_f处对应一个较宽的峰。这些结果说明在低温区发生从顺磁态到自旋玻璃态的相变.文中给出Cd_(1-x)Mn_sS的磁相图并对此作了讨论.     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe的磁光开关效应

在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。讨论了该效应用于光控、温控磁光开关及混合型磁光光学双稳态的可能性。     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe压力光致发光研究

采用金刚石对顶砧压机,在77K和不同压力下测量了半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe(x=0.25,0.40,0.60)的光致发光光谱.分别在x=0.25和x=0.40的Cd_(1-x)Mn_xTe和Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中观察到两种不同性质的复合发光。根据发光峰的能量位置及其随压力的变化可以判定在Cd_(0.75)Mn_(0.25)Te和Cd_(0.6)Mn_(0.4)Te中的发光峰对应于带间复合发光,而Cd_(0.4)Mn_(0.6)Te中的发光峰对应于Mn离子3d↓能级到杂化价带的复合发光.     

混晶Zn_(1-x)Mn_xSe的远红外光谱

通过测量混晶半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x-0.31,0.18)在远红外波段20～7000m~(-1)的反射与透射光谱,观察到了类ZnSe和类MnSe光学声子的频率与组份的异常关系,应用等位移模型具体地分析了混晶的晶格力常数与有效电荷的组份异常关系,并定性讨论了这些异常关系的物理起源。     

Cd_(1-x)Mn_xTe的远红外吸收光谱

在4.2K到300K的温度范围内和20～400 cm~(-1)的波数范围内研究了x=0.1到0.675的Cd_(1-x)Mn_xTe的远红外吸收光谱。实验结果表明,在Cd_(1-x)Mn_xTe光学声子频段,有一个很强的复合的剩余射线吸收带,其吸收系数通常可达10~3 cm~(-1)的量级,因而即使样品厚度只有数百微米,在室温下仍不能对此进行任何分解或分辨。随着温度的降低,这一复合吸收带逐步变得可以分解或分辨开     

窄禁带半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe的磁化强度

本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对实验结果进行了拟合和分析.结果表明在本文x值范围内,理论与实验符合较好,证实了锰离子间存在强的反铁磁交换耦合.     

Zn_(1-x)Co_xS和Zn_(1-x)Ni_xS新吸收谱线的测量与分析

在12K和300K下测量了半磁半导体Zn_(0.095)Co_(0.05)S和Zn_(0.97)Ni_(0.03)S的吸收光谱,分别发现3个新的吸收峰。根据晶体场理论和群论分析结果,它们分别对应于Co~(2+)的~4A_2(F)→~2T_1(H)、~4A_2(F)→~2T_1(G)和~4A_2(F)→~2T_2(P)的跃迁吸收及Ni~(2+)的~3T_1(F)→~1A_1(G),~3T_1(F)→~1T_1(G)和~3T_1(F)→~1E(G)的跃迁吸收,并用晶体场理论分析了跃迁的选择定则和跃迁的相对强度。     

丝网印刷Cd_(1-x)Zn_xTe半导体电阻的研究

丝网印刷Cd_(1-x)Zn_xTe半导体厚膜电阻,具有较好的光敏性,且响应光谱范围较宽(可从近紫外到近红外)。其阻值和响应光谱波长,可用调节锌镉比来控制。这种电阻,可广泛用于各种光控电路。将它与Cd_(1-x)Zn_xS组合一起,可制成性能较好的太阳能电池。     

Gd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转与激子跃迁

在８０Ｋ－３５０Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ＝０．１，０．２，０．３，０．４，０．４５，０．５，０．６，０．７的Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ系列样品的法拉第旋转随入射光子能量、组分和温度的变化规律，用单振子模型拟合实验结果，给出激子能量随组分和温度的变化规律，本文还讨论了锰离子内能级间跃迁对高组分样品中法拉第效应的影响。     

Cd0.95Fe0.05Te能隙的温度和压力效应

采用金刚石对顶砧高压装置测量了半磁半导体Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te光吸收边的压力效应,得到其一级和二级压力系数分别为α=8.2×10~(-11)eV/Pa和β=-7.7×10~(-21)eV/Pa~2;测量了不同温度下的Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te吸收谱,得到其能隙温度系数为α=-4.4×10~(-4)eV/K。此外,在低温下发现了一个Fe~(2+)吸收峰,根据晶体场理论判定为Fe~(2+)的~5E→~3T_1跃迁吸收峰。     

三元系Cd_(1-x)Zn_xTe晶体生长

将三种元素一次合成,然后用布氏法长晶工艺生长CdZnFe单晶.得到x=0～0.15的若干晶体,全单晶直径为15～17mm,长度大于40mm,晶体结构致密,单个晶粒的自然介理面尺寸为13×20mm~2,光滑如镜,晶体外观无气泡。用“321”晶界腐蚀剂显示没有发现明显的孪晶线。扫描电镜观察未发现Te的沉积相及金属夹杂相。用X射线粉末法测量了     

稀磁半导体(Ga_(1-x)Fe_x)As的磁性及稳定性

运用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半导体(Ga1-xFex)As(x=1,1/2,1/4和1/8)的电子结构、磁性及其稳定性.计算了Fe掺杂浓度的变化对(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性的影响.     

Cd_(1-x)Zn_xTe和Cd_(1-y)Hg_yTe系的品格匹配

由于ZnTe具有比CdTe位错密度低,缺陷浓度低,机械强度高等优点,尤其是通过调节zn的含量,可使Cd_(1-x)Zn_xTe晶格常数与各种组份的Cd_(1-y)Hg_yTe的晶格常数相匹配。因此普遍认为Cd_(1-x)Zn_xTe是代替CdTe作为Cd_(1-y)Hg_yTe晶体液相外延衬底的一种较希有     

Cd_(1-x)Zn_xTe和Cd_(1-y)Hg_yTe系的晶格常数的测定

本文给出含Zn量0.00≤x≤0.10的Cd_(1-x)Zn_xTe晶体晶格常数对组分x的变化曲线,并与三元系 Cd_(1-y)Hg_yTe晶体晶格常数进行比较.分别计算了 Cd_(0.094)Zn_(0.036)Te-Cd_(0.2)Hg_(0.3)Te和CdTe-Cd_(0.2)Hg_(0.3)Te双晶系的晶格失配度,讨论了其晶格匹配.     

Cd_(1-x)Mn_xTe基本吸收边的研究

报道了用透射法在10～300K温度范围内测量不同组分(x=0.007、0.20、0.30和0.45)Cd_(1-x)Mn_xTe的基本吸收边,结果表明,能隙随温度线性变化,能隙的温度系数为负并显著地随Cd_(1-x)Mn_xTe混晶的组分变化。     

Cd_(1-x)Mn_xTe光学吸收边的压力效应(英文)

For the Mn-substituted CdTe semiconductors, the anomaly of the concentration-independent optical absorption edge at about 2.0-2.3eV is studied by using the method of linear combinations of atomic orbits. Results show-that at the optical absorption edge, the p-d excitations may occur at higher Mn concentration and that the pressure behavior has the negative effect having the similarity as that of Mn intra-d excitations. The physical reasons of the negative pressure effect of the p-d transition are discussed and the numerical calculated result of the pressure coefficient for Cd0.5Mn0.5 Te is in excellent agreement with the experimental data.     

a—Si_xC_(1-x):H的光致发光和光电导低温光诱导效应

报道在相同曝光条件下,a-Si_xC_(1-x):H薄膜的光致发光(PL)和光电导(PC)的低温光诱导效应。实验结果表明:PL和PC在曝光初期迅速下降,然后各自趋于稳定;PL光谱的形状及其峰值能量位置在曝光后没有变化;低温光诱导效应经室温退火即可消除。还讨论了光诱导效应机理,导出了与实验结果符合很好的光诱导效应动力学方程。     

一个Ga_(1-x)Al_xAs的折射率模型

我们开发了一个高纯Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的室温折射率模型,适用于直接禁带以上和以下部分,并在禁带处连续．对与１．２和１．８ｅＶ之间的能量的光子,模型与实验符合得很好．该模型也可推广到ＧａＩｎＡｓＰ等其它半导体材料